1. ҚАтты денелердің беттік қасиеттеріне ультракүлгін және иондайтын сәулеленудің Әсері

а) Иондалған сәулелену әсері бір жағынан беттік ОН-топтардың (тұйықталған және сутекті байланысқан) бұзылуын шақыртады, ал басқа жағынан су молекулаларының немесе үлгі көлеміндегі сутек молекулаларының құрылуын орнатады. Оксидтердің дегидратация және дегидросилирлау нәтижесі болып кремнийдің қостотығында адсорбция орталығы болатын қоздырылған силоксанды көпірлердің пайда болуы табылды.

б) Оксидтердегі радиациялық-стимулданған адсорбцияның кинетикалық сипаттамалары зерттелген, адсорбция үрдісі реакциясының реті анықталған, осының негізінде (n=1/2) атомдық түрдегі сутектің және (n=1) молекулярлық түрдегі оттектің артықшылық адсорбция жөнінде қорытынды жасалған. γ-кванттар әсері кезінде адсорбцияның жылдамдығының монотонды емес тәуелділіктері, адсорбцияланған газ саны және алдын ала тесу температурасынан парамагниттік орталықтар концентрациясы табылды. Фотоадсорбциондық эффекті максимумы Тпр=1173 К және Тпр=473 К кезінде, ал гамма-сорбциондық эффект Тпр=1073 К және Тпр=673 К кезінде байқалады. Кремнийдің қостотығы үшін бұл эффекттерді азөлшемді адсорбциондық қондырғыларды конструкциялау кезінде қолдану жорамалданады.

в) Оттектің фотоадсорбциясының спектрлі сипаттамалары зерттелген, кремний қостотығының оттектің фотосорбциясында қоспалы жұту рөлі жөнінде болжамдары табылған және жасалған.

Фото және гамма-адсорбциондық эффектілер ұзақтылығы алдын ала қыздыру температурасынан тура пропорционалды тәуелді болатын индукционды периодтың бар болуымен сипатталады. Одан басқа зерттелген үлгілерде бөлшектер және нейтрондармен зарядталған гамма- кванттардың алдын ала сәулеленуіне «жад» эффектісі байқалады, ол алдын ала оксидтерде адсорбциондық қабілеттіліктер арттырудан немесе сәулелену аяқталғаннан кейін «постсорбцияның» пайда болуынан тұрады. Көрсетілген эффектілер табиғаты орнатылған.

г) Бастапқы және сәулеленген оксидтер парамагнетизмі зерттелген, әр түрлі температурада өңделген және әр түрлі сәулелену түрімен сәулеленген әр түрлі оксидтердегі парамагниттік орталықтарының кинетикалық қисық толтырулары алынған; парамагниттік орталықтар идентификациясы жүргізілген. Және де олардың әр түрлі электронды сипаттағы газдардың адсорбция үрдісінде рөлі анықталған. Оттектің адсорбциясы не ЭПР сигналының артуына әкелетін О₂-радикалды формада, не парамагниттік орталықтар концентрациясына өтеді. Гамма- кванттары және зарядталған бөлшектермен сәулеленген кезде сутек адсорбциясы О^- түріндегі D-тесік орталықтарында өтеді және гидроксильді топтардың қайта құрылуымен және парамагниттік орталықтардың жойылуымен қатар жүреді.

д) Кремний оксидтерінің беттік қасиеттеріне жоғары энергиядағы зарядталған бөлшектердің сәулелену әсері бірінші рет зерттелген, радиациондық адсорбция үрдісінде электронды қондырғылар рөлі орнатылған. ОРЗЭ-ге әсер ететін радиационды-стимулданған адсорбция сипаты және шамасы көп дәрежеде бастапқы оксидтердің электронды қасиеттерінен (айнымалы валенттілік, парамагнетизм, иондық радиус және т.б.); лантаноидты қатардың басында тұрған сирек жерді элементтерінің оксиді артықшылықты түрде адсорбцияның тесік орталықтарына құрылады және мүлде электрондық орталықтарға құрылмайды, бірақ Er₂O₃ және Dy₂O₃ қатар соңында орналасқан оксидтер үшін қарама-қарсы жағдай байқалады.

е) Нейтронды сәулеленудің оксидтер қасиеттеріне әсер етуін зерттеу кезінде сыртқы сәулелену әсерімен бірге тағы да Si³⁰(n,γ) P³¹ ядролық реакция нәтижесінде пайда болатын, ішкі β-сәулеленумен шартталған қосымша «постсорбцияға» орын бар. Адсорбция үрдісіне анықталған үлесті құрылымдық ақаулар мен шарттар орталықтарды қосады.

ж) Оксидтердегі оттек және сутектің радиационды адсорбция механизмі ұсынылған. Оттек ең алдымен О^-₂ радикалды түрде және қоздырылған сутектік көпірлер бұзылған кезде пайда болатын белсенді орталықтарында сорбцияланады. Оттек болғанда иондалған сәулелену әсері кезінде биографиялық тектегі қалдықты органикалық қоспалардың тотығуы орын алады; нәтижесінде су, көмірқышқыл газ, формиат-ұқсас қосылыстар құрылады. Сәулеленген оксидтердегі сутек адсорбциясы гидроксильді қабаттың қайта құрылуымен қатар жүреді.

Жұмыста алынған ғылыми нәтижелерді оксидті материалдардағы радиационды-стимулданған құбылысының механизмдері мен табиғатын орнату мәселесіне қосқан үлесі ретінде қарастыруға болады.

1. 
   Абляев Ш.А., Стародубцев С.В., Ерматов С.Е. Изменение адсорбционных свойств силикагеля под действием гамма-лучей. - Докл. АН СССР.: Т.129, 1959- 72 с.
   
2. 
   Абляев Ш.А., Стародубцев С.В., Ерматов С.Е. Изменение адсорбционных свойств пористых тел под действием гамма-облучения. - Ташкент: Фан, Т.1, 1961- 174 с.
   
3. 
   Аксенова Т.И., Ерматов С.Е., Тусеев Т. Исследование центров фотосорбции на SiO₂ методом ИК-спектроскопии. – Алма-Ата: 1979- 190с.
   
4. 
   Бобышев А.Н., Радциг В.А. Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния. - Кинетика и катализ: Т.31.1978- 925-930 с.
   
5. 
   Волков А.В., Киселев А.В., Лыгин В.И. Исследование дегидрокслирования и спекания силикагелей методом ИК- спектроскопии. - Коллойд. журн: Т.41, 1979- 323 с.
   
6. 
   Данчевская М.Н., Крейсберг В.А., Ракчеев В.А. Механизм воздействия поверхностно- активных веществ на процесс структурирования кремнезема. - Журн. физ. хим.: Т.62, №1, 1988- 122-127 с.
   
7. 
   Данчевская М.Н., Овчинникова О.Т. Спектры ЭПР облученных гамма-лучами кремнезема. - Журн. физ. хим.: Т.62, №1, 1988-128-132 с.
   
8. 
   Ерматов С.Е., Жуков Е.И., Тусеев Т. Изучение адсорбции водорода при облучении окислов кремнтя, алюминия, бериллия тяжелыми заряженными частицами. - Ташкент: Фан, 1974-84 с.
   
9. 
   Ерматов С.Е. Исследование поверхностных свойств и природы центров адсорбции облученного кремнезема. – М.: 1972-42 с.
   
10. 
    Ерматов С.Е., Жуков Е.И. Метод исследования адсорбции газа в двуокиси кремния при облучении заряженными частицами. - Изв. АН КазССР.: 1973-80с.
    
11. 
    Ерматов С.Е., Тусеев Т., Сидоров Н.А. Масс-спектрометрические исследования процессов фотосорбции в системе SiO₂.- Изв. АН КазССР.: 1975-12 с.
    
12. 
    Ерматов С.Е., Тусеев Т. Температурная зависимость γ-адсорбционного эффекта на окисных адсорбентах. – М.: Наука, 1975-33 с.
    
13. 
    Ерматов С.Е., Тусеев Т. Зависимость γ-адсорбционного эффекта от температуры предварительной тренировки двуокиси кремния. – Тащкент: Фан, 1974-67 с.
    
14. 
    Ерматов С.Е., Тусеев Т. О роли гидроксильного покрова двуокиси кремния в фотосорбции кислорода. // Изв. АН КазССР, 1975-82 с.
    
15. 
    Ерматов С.Е., Тусеев Т., Вахабов М. Радиационно-стимулированная адсорбция на поверхности SiO₂ и BeO. – Ташкент: Фан, 1985-65-71 с.
    
16. 
    Ерматов С.Е., Тусеев Т. Поверхностные радиационные эффекты на SiO₂ и BeO. – Караганда: 1986- 72 с.
    
17. 
    Ерматов С.Е., Тусеев Т., Вахабов М. Радиационные центры адсорбции на SiO₂. - Изв. АН УзССР.: №1, 1990- 21-24 с.
    
18. 
    Киселев В.Ф. Поверхные явления в полупроводниках и диэлектриках. – М.: Наука, 1974- 299 с.
    
19. 
    Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. – М.: Наука, 1976- 250 с.
    
20. 
    Киселев В.Ф., Лыгин В.Н. ИК-спектры поверхностных соединений и адсорбированных молекул.- М.: Наука, 1972- 460 с.
    
21. 
    Квливидзе В.И., Киселев В.Ф. Исследование состояния поверхности методом ЯМР.- М.: Наука, 1968- 302 с.
    
22. 
    Кольцов С.И., Алесковский В.Б. Силикагель, его строение и химические свойства. – Л.: Наука, 1963- 96 с.
    
23. 
    Киселев В.Ф., Лыгин В.И., Щепалин К.Л. Исследование химических свойств дегидроксилированной поверхности кремнезема методом ИК-спектроскопии.- М.: Наука, 1986- 1701-1706 с.
    
24. 
    Кошеров Т.С. Исследование природы радиационных центров и механизма адсорбции газов на окисных адсорбентах спектрометрическим методом.- Алма-Ата: 1974- 21 с.
    
25. 
    Крутоверцев С.А., Меньшиков С.Д., Сироткин С.И. и др. Влияние термообработки на состояние легирующих добавок в сорбционных пленках оксида кремния. – М.: Наука, 1990- 1642-1645 с.
    
26. 
    Коротков Ф.П., Холмогоров В.Е. Фотосенсиблизированное разложение воды на поверхности силикагеля. – Новосибирск: Наука, 1974- 96 с.
    
27. 
    Любимова О.И., Котов А.Г. Поверхностные центры γ-облученных силикагелей. Исследование методом ЭПР влияния адсорбции водорода и окиси азота. – М.: Химия выс. энергия, 1970-72 с.
    
28. 
    Радциг А.А., Бобышев А.А. и др. Силадиоксирановые группировки на поверхности SiO₂ .- Кинетика и катализ: Т.30, 1989- 1334-1342 с.
    
29. 
    Покровский В.А., Морозов А.В. и др. Изучение активных центров поверхности тонких пленок диоксида кремния методом масс-спектрометрии вторичных ионов. – Журн. физ. хим.: Т.63, 1989- 3370-3373 с.
    
30. 
    Солоницын Ю.П. Фотосорбционные процессы на оксидных адсорбентах. – М.: Наука, 1966- 435 с .
    
31. 
    Тагиева М.М., Киселев В.Ф. Исследование воздействия излучения на свойства поверхности кремнезема. – М.: Наука, 1961-1381 с.
    
32. 
    Теренин А.Н. ИК-спектры поверхностных соединении на силикатных соединениях. – М.: МГУ, 1957- 206 с.
    
33. 
    Тусеев Т. Т. Влияние облучения на поверхностные свойства некоторых окислов. – Туркестан: 1992- 69 с.
    
34. 
    Тусеев Т. Т. О кинетике фотоадсорбции на SiO₂.- Туркестан: 1994-164 с.