1. Технология. Макроскопиялық, микроскопиялық және нанометрлік объектілер. Нанотехнология. Наномотордың принципті сызбасы. Технология
Потенциалдық тосқауылдың биіктігі. Туннельдеу құбылысы. Микроэлектрмеханикалық жүйелер
жүктеу/скачать 215.33 Kb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Туннельдік эффект
- Микроэлектрмеханикалық жүйе
- 6. Сорбент. Нанокеуекті заттар. Резонансты-туннельдік диодтың құрылымы мен жұмыс істеу принципі
| 3. Потенциалдық тосқауылдың биіктігі. Туннельдеу құбылысы. Микроэлектрмеханикалық жүйелер
туралы түсінік. Потенциалдық тосқауылдың биіктігі деп бөлшектің таушық төбесіндегі потенциалдық U=mgh энергиясы аталады E k>U болғанда, бөлшек таушықтың екінші жағына домалап кетеді E kТуннельдік эффект: егер кванттық бөлшек потенциалдық U тосқауылдың бергі жағында орналасатын болса, онда бөлшектің толық энергиясы тосқауылдан төмен болған жағдайда да оның тосқауылдың арғы бетіне өту мүмкінділігі болады. Туннельдеу, бөлшектің толқындық қасиеттері және энергия деңгейлерінің квантталуы – осылардың барлығы кванттық табиғатқа жатады Микроэлектрмеханикалық жүйе Микрожүйе – бұл, сезгіштік, есептегіш және өндіргіштік функцияға ие өте кішірейтілген жүйе МЭМЖ = Электроника + Микромеханика, Микрожүйелер аумағындағы терминология әлі дами қойған жоқ. Бірақ кең қолданылып жүрген термин «микроэлектрмеханикалық жүйе» (МЭМЖ). Сонымен қазіргі заманғы интегралды сызба технологиясы МЭМЖ технологиясымен тығыз байланыста. Алайда бұл саладағы ғылыми ойларды жүзеге асыру үшін, бұл салаға физиканың, химияның және биологияның басқа да жетістіктерін интегралдау керек.Микрожүйелік техниканың барлық элементтерін жасайтын технология жоқ, сондықтан түрлі технологиялық әдістердің жиынтығын пайдалануға тура келеді. МЭМЖ-ны жасақтауда жоғары жетістіктерге жету үшін нанотехнология жетістіктерін кең қолдану керек. 6. Сорбент. Нанокеуекті заттар. Резонансты-туннельдік диодтың құрылымы мен жұмыс істеу принципі Сорбенттер - бұл қоршаған ортадан газдарды, буларды немесе еріген заттарды таңдап алатын қатты немесе сұйық заттар. Нанокеуектер – өлшемдері наносарғышта болатын кеуектер. Резонанстық туннельдік диод (RTD) – екі потенциалдық кедергімен қоршалған потенциалды ұңғыма арқылы заряд тасымалдаушыларды туннельдеуді пайдаланатын сызықты емес ток-кернеу сипаттамасы бар электр тізбегінің жартылай өткізгіш элементі. Құрылымы: Резонанстық туннельдік диод гетероструктураны пайдаланады, онда заряд тасымалдаушыларға арналған потенциалдық шұңқыр, мысалы, электрондар үшін, легирленген байланыс аймақтарынан потенциалдық кедергілер арқылы бөлінген. Мысалы, әлеуетті ұңғыма аймағын GaAs, потенциалды тосқауыл аймақтары — Ga1-xAlxAs және сыртқы аймақтар — донорлық қоспаланған GaAs-тен жасалуы мүмкін. Потенциалды энергияның контакт–барьерлік–ұңғыма–барьерлік–контакті түрінің координатасына тәуелділігі өткізгіштік жолақ жиегінің сәйкес энергетикалық профилімен құрылады. RTD гетероструктурасы арқылы потенциалдық шұңқырдағы квантталған деңгейлердің энергияларымен шамамен энергиялары сәйкес келетін электрондар ғана жоғары ықтималдықпен өтеді. Бұл ықтималдық өту ықтималдығының туындысынан айтарлықтай асып түседі Т1, Т2 жеке кедергілер арқылы және біреуіне жақын болуы мүмкін. Энергиясы жоғары немесе төмен электрондар құрылым арқылы өте төмен ықтималдықпен өтеді жүктеу/скачать 215.33 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|