8-дәріс. Кванттық механиканың негізгі түсініктері


-дәріс. Жартылай өткізгішті құралдардың физикалық принциптері



бет10/13
Дата20.02.2023
өлшемі426.27 Kb.
#469799
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   13
8-15 д ріс. микроэлектроника негіздері

13-дәріс. Жартылай өткізгішті құралдардың физикалық принциптері


Дәрістің мақсаты:



  • биполяр транзистордың жұмыс істеу құрылымы және жұмыс істеу принципімен танысу;

  • транзистордың күшейту қасиеттерін сипаттайтын негізгі параметрлерін оқып үйрену.



    1. Биполярлы транзистор. Жұмыс істеу принципі


Биполярлы транзистор (БТ) кезектесе орналасқан, үш қабатты құрылымнан (электродтан) тұратын, электр сигналдарын күшейтуге және түрлендіруге арналған жартылай өткізгішті аспап. Ол екі электронды-кемтікті ауысудан тұрады. Транзистордағы негізгі ток тасымалдаушылар транзисторлардың p-n-p және n-p-n түрлеріне (6.1 сурет) байланысты.





    1. сурет



База транзистордың негізгі құрылымы, реттеуші, басқарушы болып табылатын, жартылай өткізгішті қабат.
Эмиттер - базалық қабатты заряд тасушылармен қамтамасыз ететін жартылай өткізгіщті қабат.
Коллектор – базалық қабат арқылы өтетін заряд тасушыларды жинақтайтын жартылай өткізгішті қабат.
Эмиттерде базаға қарағанда негізгі заряд тасушылар саны әлдеқайда артық болады. Бұл транзистордың негізгі жұмыс шарты, өйткені бұл жағдайда, эмиттерлік ауысудың тура ығысуында, ток эмиттердің негізгі тасушыларына негізделеді. База қабатына тасушыларды енгізуі эмиттердің басты қызметі. Эмиттердегі кері ток шамасы барынша аз болады. Ондағы негізгі ток тасушыларды арттыру жоғары концентрациялы қоспа қосу арқылы жүзеге асады.
Базаның қалыңдығын мүмкіндігінше аз етіп жасалынады. Заряд тасушылар базаға енгенде базадағы негізгі тасушылармен барынша аз рекомбинацияланып, коллекторға жетуі тиіс.
Коллектор база арқылы өткен тасушыларды көп жинақтап, базаның енін үлкейтуге тырысады. Мысал ретінде p-n-p транзисторды (6.2 сурет) қарастырамыз.





    1. сурет

Сыртқы кернеу жоқ кезде қабат араларында потенциалдар айырымы пайда болады. Түйісу аймағында потенциалдық бөгет пайда болады. Егер эмиттер мент коллекторда кемтіктер саны бірдей болса, потенциалды бөгеттер ені бірдей болады.


Транзистор дұрыс жұмыс жасау үшін эмиттерлі ауысу тура бағытта, ал коллекторлы кері бағытта ығысуы тиіс. Бұл транзистордың қарқынды жұмыс тәртібіне сәйкес келеді. Мұндай қосу жүзеге асуы үшін екі ток көзі болуы қажет. Uэ кернеуі бар ток көзі оң полюсімен эмиттерге, теріс полюсі базаға жалғанады. Uк кернеуі бар ток көзі теріс полюсімен коллекторге, оң полюсі базаға жалғанады (6.3 сурет). Uэ < Uк болады.





    1. сурет

Uэ кернеудің әсерінен эмиттерлі өту тура бағытта ығысады. Электронды-кемтікті ауысудың тура ығысуында сыртқы өріс бағыты өтпелдің өрісіне қарама қарсы болады және оны әлсіретеді. Өтпел арқылы негізгі тасушылар өте бастайды, эмиттерде бұл - кемтіктер 1-5, базада электрондар 7-


8 (6.3 сурет). Эмиттердегі кемтіктер саны базадағы электрондар санынан артық болғандықтан, эмиттерлі ток негізгі ток болып саналады.


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   13




©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет