Ақылбеков Ә. Т. Кривобоков В. П. Даулетбекова А. К. Радиациялық және плазмалық технологиялар Орысша-қазақша терминология анықтамалығы астана-2012 +544 (038) ббк 24. 5 Я 2 а 38



жүктеу 9.53 Mb.
бет15/54
Дата09.06.2016
өлшемі9.53 Mb.
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   54

Механика сплошной среды

Mechanics of continua, continuum mechanics

Раздел механики, посвященный изучению движения и равновесия газов, плазмы и деформируемых твердых тел. Основное допущение ее состоит в том, что вещес-тво можно рассматривать как непрерыв-ную сплошную среду, пренебрегая его молекулярным строением и одновремен-но считать непрерывным распределение в среде всех ее характеристик (плотности, напряжений, скоростей частиц и т.д).



Тұтас орта механикасы

Mechanics of continua, continuum mechanics

Деформациялаушы қатты денелердің газдар мен плазманың тепе-теңдігі мен қозғалысын оқып үйренуге арналған механиканың бөлімі. Оның негізгі артықшылығы, затты оның молекулалы (атомды) құрылысын ескермей, үзіліссіз тұтас орта деп қарастыруға болатындығында және біруақытта оның сипаттамаларының (тығыздығының, кернеуінің, бөлшектер жылдамдығының және т.б) ортада үлестірілуі үзіліссіз деп есептеуде жатыр.



Механохимия

mechanochemistry

Раздел науки изучающий химические првращения веществ при механических воздействиях (в менльницах, дезинтегра-торах, на вальцах, экструдерах и т.п), при деформировании, трении, ударном сжатии.



Механохимия

Mechanochemistry

Деформациялау, үйкеліс, соққылы сығылу (диірмендерде, экструдерлерде және т.б) сияқты механикалық әсер етулер кезінде заттардың химиялық құбылуларын зерттейтін ғылым саласы.



Миграция энергии

Energy migration

Многократный перенос энергии возбуждения электронов в веществе, не сопровождаемый излучением.



Энергия миграциясы

Energy migration

Сәулеленумен қатар жүрмейтін, затта электрондардың қозу энергияларының көпреттік тасымалы.



Микроанализ ионный

Ion microanalysis

Метод локального анализа твёрдого тела, основанный на регистрации масс-спектров вторичных ионов с микроучастков поверхности. Исследуемый образец в вакууме бомбардируют сфокусированным пучком первичных ионов (Аr+, О2+, О, Cs+ ; диаметр пучка 1-100 мкм). Первичные ионы при взаимодействии с поверхностью упруго и неупруго рассеиваются, перезаряжаются, испытывают многократные соударения с атомами твердого тела. При этом часть атомов вблизи поверхности получает энергию, достаточную для их эмиссии в вакуум в виде нейтральных частиц (катодное распыление) или в виде вторичных ионов (вторичная ионная эмиссия). Затем определяется их состав и количество. Ионный микроанализатор состоит из источника первичных ионов, вакуумной камеры, статического и динамического масс-анализаторов и системы регистрации вторичных ионов.




Иондық микроанализ

Ion microanalysis

Беттің микроучаскілерінен пайда болған екінші ретті иондардың масс-спектрлерін тіркеуге негізделген қатты денені локальді талдау әдісі. Зерттелетін үлгіні вакуумда бірінші ретті иондардың тоғысқан шоқтарымен (Ar+, O2+, O+, Cs+; шоқ диаметрі 1-100мкм) атқылайды. Біріншілік иондар бетпен әрекеттескен кезде серпімді және серпімсіз шашырайды, қайта зарядталады, қатты дене атомдарымен көп рет соқтығысады. Бұл кезде бетке жақын атомдардың бір бөлігі вакуумға бейтарап бөлшек (катодтық тозаңдалу) немесе екінші ретті иондар түрінде (екінші ретті иондық эмиссия) эмиссиялануына жеткілікті энергияға ие болады. Содан кейін олардың құрамы мен саны анықталады. Иондық микроанализатор бірінші ретті ион көздерінен, вакуумдық камерадан, статикалық және динамикалық масс-анализаторлардан және екінші ретті иондарды тіркеу жүйесінен тұрады




Микродеформа́ция

Microstrain, microdeformation

Деформация в объеме металла (изделия), составляющая малую долю его общего объема, которая может быть достаточно большой по величине локальных смещений элементов его структуры.



Микродеформация

Microstrain, microdeformation

Жалпы көлемінің аз үлесін құрайтын металл (бұйым) көлеміндегі деформация. Ол өз құрылымы элементтерінің локальді ығысу шамасынан үлкен болуы мүмкін.



Микродифра́кция

Microdiffraction

Рассеяние электронов малым объемом исследуемого вещества, используемое в электронной микроскопии для анализа локальной структуры материала.



Микродифракция

Microdiffraction

Материалдың локальді құрылысын талдау үшін электронды микроскопияда қолданылатын, зерттелетін заттың аз көлемінен электрондардың шашырауы



Микролегирование

Microalling

Введение в металический сплав в небольших (до 0,1 % его массы) добавак легированных элементов для изменения его свойств в нужном направлении, например для повышения прокаливаемости или хладостойкости конструкции жаропрочных и коррозионно-стойких никелевых сплавов. Часто в понятие «микролегирование» ошибочно включают процессы раскисления и модифицирования, отличающиеся механизмом влияния на структуру и свойства стали и сплавов.



Микролегирлеу

Microalling

Металды қорытпаға легирленген элементтердің аз мөлшердегі (0,1 % -ға дейін) қоспаларын, оның қасиеттерін дұрыс бағытта өзгертуге, мысалы ыстыққа бекем және коррозияға бекем никель корытпалар конструкциясының суыққа бекемдігін енгізу. «Микролегирлеу» түсінігі мен қорытпа және болат қасиеттері мен құрылымына әсер ету механизмі жағынан өзгеше болып келетін қышқылдану немесе модифицирлеу үрдістерін қателікпен біріктіріп қояды.


Микроско́п

Microscope

Прибор для получения увеличенного изображения объектов.


Микроскоп

Microscope



Объектінің үлкейтілген бейнесін алуға арналған құрал.

микроскоп атомно-силовой / atomic-force microscope сканирующий зондовый микроскоп высокого разрешения, основанный на взаимодействии иглы кантилевера (зонда) с поверхностью исследуемого образца. Обычно под взаимодействием понимается притяжение или отталкивание кантилевера от поверхности из-за сил Ван-дер-Ваальса. Но при туннельногои специальных кантилеверов можно изучать электрические и магнитные свойства поверхности. В отличие от сканирующего туннельного микроскопа, может исследовать как проводящие, так и непроводящие поверхности даже через слой жидкости, что позволяет работать с органическими молекулами. Пространственное разрешение атомно-силового микроскопа зависит от размера кантилевера и кривизны его острия. Разрешение достигает атомарного по горизонтали и существенно превышает его по вертикали.

атомды-күштік микроскоп / atomic-force microscopeкантилевер инелерінің (зондының) зерттелетін үлгі бетімен әркеттесуіне негізделген, ажырату қабілеті жоғары, сканерлеуші зондылы микроскоп. Көбінесе бұл әрекеттесуді Ван-дер-Ваальс күшінің есебінен кантилевердің беттен тебілуі немесе оған тартылуы деп түсінеміз. Бірақ туннельді және арнайы кантилеверлермен беттің электрлік және магниттік қасиеттерін зерттеуге болады. Сканерлеуші туннельді микроскоптан ерекшелігі мұнымен өткізгіш беттерді де және өткізбейтін беттерді де, тіпті сұйық қабаты арқылы да зерттеуге болады. Бұл органикалық молекулалармен жұмыс істеуге мүмкіндік береді. Атомдық-күштік микроскоптың кеңістіктегі ажыратқыштығы кантилевердің өлшеміне және оның ұшының қисықтығына байланысты. Ажыратқыштық горизонталь бағытта атомдық өлшемге және вертикаль бағытта одан жоғары болады.

микроскоп ионный / ion microscope электроннооптический прибор, в котором для получения изображений применяется пучок ионный, создаваемый термоионным или газоразрядным ионным источником.

иондық микроскоп / ion microscopeбейне алу үшін термоионды немесе газды разрядты иондық көзбен жасалатын иондық шоқ қолданылатын электронды оптикалық құрал.


микроскоп полевой ионный (проектор ионный, микроскоп автоионный) / field-ion microscope безлинзовый ионно-оптический прибор для получения увеличенного в несколько миллионов раз изображения поверхности твердого тела (чаще металла).

ионды өрістік микроскоп (ионды проектор, автоионды микроскоп) / field-ion microscope қатты дене (негізінен метал) бетінің бірнеше миллион есе ұлғайтылған кескінін алуға арналған линзасыз ионды-оптикалық құрал.

микроскоп полевой электронный (проектор электронный, авто-электронный микроскоп) / field-electron microscope  безлинзовый электронно-оптический прибор для получения увеличенного в 10– 10раз изображения поверхности твердого тела.

электронды өрістік микроскоп (электронды проектор, автоэлектронды микроскоп) / field-electron microscope  – қатты дене бетінің 10– 10 есе ұлғайтылған кескінін алуға арналған линзасыз электронды оптикалық құрал.


микроскоп просвечивающий электронный / transmission electron microscope микроскоп, в котором для освещения исследуемого объекта использован пучок ускоренных электронов.

электронмен жарықтандырылатын микроскоп / transmission electron microscopeзерттелетін объектіні жарықтандыру үшін үдетілген электрондар шоғыры қолданылатын микроскоп.

микроскоп растровый (сканирующий) / scanning microscope — электронный микроскоп, действие которого основано на использовании предварительно сформированного тонкого электронного луча (зонда), положением которого (скан-ированием) управляют с помощью элек-тромагнитных полей. Под воздействием электронов пучка происходит ряд процес-сов, характерных для данного материала и его структуры. К их числу относятся рас-сеяние первичных электрон-ов, испускание (эмиссия) вторичных электронов, появ-ление электронов, прошед-ших сквозь объект (в случае тонких образцов), возникновение рентгеновского излучения. В ряде специальных случаев (люминес-цирующие материалы, полупроводники) возникает также световое излучение. Рег-истрация электронов, выходящих из объекта, а также других видов излучения (рентгеновского, светового) дает информа-цию о различных свойствах микроучаст-ков изучаемого объекта. Синхронно с раз-верткой электронного зонда осуществля-ется развертка луча большого кинескопа.

растрлы микроскоп (сканерлеуші) / scanning microscope орналасу қалыбы (сканерлеу) электромагнитті өрістің көмегімен басқарылатын, қызметі алдын ала қалыптастырылған жұқа электрондық сәулені қолдануға негізделген, электронды микроскоп. Электрон шоқтарының әсерінен берілген материалға және оның құрылысына тән бірнеше процестер жүзеге асады. Оларға бірінші ретті электрондардың шашырауы, екінші ретті электрондардың шығарылуы (эмиссиясы), объект арқылы өтіп кеткен электрондардың пайда болуы, рентген сәулелерінің пайда болуы жатады. Бірқатар арнайы жағдайларда (люминесценцияланушы материалдарда, жарылай өткізгіштерде) жарықтың сәулеленуі болады. Объектіден шығатын электрондарды, сонымен қатар сәулеленудің басқа түрлерін (рентгендік, жарықтық) тіркеу зерттелетін объекті микроучаскілерінің әр түрлі қасиеттері туралы мәлімет береді. Электронды зондтың ашылуымен синхронды түрде үлкен кинескоптың сәулесі ашылады.


микроскоп растровый(туннельный) / scanning tunnel microscope электронный микроскоп, , основанный на возникновении так называемого туннельного тока между поверхностью проводника и металлическим острием, удаленным от нее на расстояние z около 0,1 нм (при разности потенциалов между ними порядка 1 В). При перемеще-нии острия вдоль поверхности и поддер-жании тока постоянным за счет изменения z можно получить рельеф поверхности проводника с точностью до размеров атомов и молекул, т.е. исследовать атомное строение поверхности, структуру отдельных молекул, адсорбцию, поверхностные химические процессы и другие свойства.

растрлы микроскоп (туннельді) / scanning tunnel microscope z арақашықтығы шамамен 0,1 нм болатын өткізгіш беті мен металл ұшының арасындағы (олардың арасындағы потенциалдар айырымы шамамен 1 В) туннельді токтың туындауына негізделген электронды микроскоп. Токты тұрақты етіп ұстап тұрып және ұшты бет бойымен қозғалтқан кезде (сканерлегенде) z-тің өзгеруі есебінен атом және молекула өшемдеріне дейінгі дәлдіктегі өткізгіш бетінің рельефін алуға болады, яғни беттің атомдық құрылысын, жеке молекулалардың құрылысын, адсорбцияны, беттік химиялық процестерді және басқа да қасиеттерді зерттеуге болады.


Микроско́пия рентге́новская

X-ray microscopy

Метод получения увеличенных изображений объекта, сформированных рентгеновскими лучами.



Рентгендік микроскопия

X-ray microscopy

Рентген сәулелерінің көмегімен объектінің үлкейтілген бейнесін алу әдісі.



Микроско́пия электро́нная

Electron microscopy

Совокупность электронно-зондовых методов исследования микроструктуры твердых тел, их локального состава и микрополей (электрических, магнитных и др.) с помощью электронных микроскопов. Электронная микроскопия включает также методики подготовки изучаемых объектов, обработки и анализа результирующей информации. Различают два главных направления электронной микроскопии: трансмиссионную (просвечивающую) и растровую (сканирующую), основанных на использовании соответствующих типов электронных микроскопов. Они дают качественно различную информацию об объекте исследования и часто применяются совместно. Известны также отражательная, эмиссионная, оже-электронная, лоренцова и иные виды электронной микроскопии, реализуемые, как правило, с помощью приставок к трансмиссионным и растровым микроскопам. Широко используется в радиационных и плазменных технологиях.



Электрондық микроскопия

Electron microscopy

Қатты денелердің микроқұрылымдарын, олардың локальді құрамын және микро өрістерін (электрлік, магниттік және т.б.) электронды микроскоп көмегімен зерттелетін электронды-зондылы әдістердің жиыны. Электронды микроскопияға сонымен қатар зерттелетін объектілерді дайындау, нәтижелік ақпараттарды өңдеу және талдау әдістері де жатады. Электронды микроскопияның екі негізгі түрі бар: трансмиссиялы(жарықтандырушы) және растрлі(сканерлеуші). Бұл әдістер сәйкес электронды микроскоптарды қолдануға негізделген. Олар зерттелетін объекті туралы әр түрлі сапалы ақпаратты береді және көбінесе бірге қолданылады. Тағы да шағылдыру, эмиссиялы, оже-электронды, лоренцтік және т.б. электронды микроскопиялар белгілі, алайда олар трансмиссиялы және растрлі микроскоптарға тіркесіп қолданылады. Радиациялық және плазмалық технологияларда кеңінен қолданылады.



Микроструктура

Microstructure (от micro – и лат. structura – строение)

Строение твердых тел ( преумущественно металлов и сплавов), видимое с помощью микроскопа. Для оптичсеких микроскопов минимальный размер элемента микроструктуры — 200 нм, для электронных – 0‚ 5 нм. Характер микростуктруры ( размеры, форма и взаимное расположение кристаллов) оказывает исключительно большое влияние на свойства металлов и сплавов. Подвержена существенным изменениям при воздействии плазмы, ионузирующих излучений, в частности пучков заряженных частиц.



Микроструктура

Microstructure (от micro – и лат. structura – строение)

Микроскоп арқылы көрінуші, қатты денелердің (металдар мен қорытпаларға тән) құрылысы. Оптикалық микроскоптар үшін микроқұрылым элементінің минимал өлшемі – 200 нм, ал электрондар үшін – 0, 5 нм. Микроқұрылымның сипаты (өлшемі, формасы эәне кристалдардың өзара орналасуы) металдар мен қорытпалар қасиеттеріне үлкен ықпал етеді. Көбінесе зарядталған бөлшектер шоқтары плазмасының, иондаушы сәулеленуері әсері кезінде айтарлықтай өзгерістерге бейім.



Микротве́рдость

Microhardness

Твёрдость отдельных участков микроструктуры материала.



Микроқаттылық

Microhardness

Материалдың микро құрылымының жеке бөліктерінің қаттылығы.



Микротро́н

Microtron (от греч. mikrós — малый и …трон)

Циклический резонансный ускоритель электронов с постоянным во времени ведущим магнитным полем и постоянной частотой ускоряющего СВЧ-поля. В классическом микротроне траектории ускоренных электронов составлены из ряда возрастающих по радиусу окружностей, соприкасающихся в общей точке, в которой расположена ускоряющая структура.



Микротрон

Microtron (гр. mikrós — кішкентай және …трон)

Үдетуші АЖЖ-өрісінің жетекші магнит өрісі уақыт бойынша тұрақты және жиілігі тұрақты болып келетін электрондарды циклдік резонанстық үдеткіш. Классикалық микротронда үдетілген электрондардың траекториясы үдеткіш құрылым орналасқан жалпы нүктеде жанасатын, радиусы бойынша артып отыратын шеңберлерден тұрады.



Микрочасти́ца

Microparticle

В радиационных и плазменных технологиях это собирательное название малых материальных объектов от элементарной частицы (порядка 10-13 см) до конденсированных частиц размером порядка 10-2 см, включая электроны, ионы, атомы, молекулы, кластеры и т.д.



Микробөлшек

Microparticle

Радиациялық және плазмалық технологияларда бұл электрондарды, иондарды, атомдарды, молекулаларды, кластерлерді және т.б. қоса элементар бөлшектерден өлшемі 10-2 см шамасындағы конденсирленген бөлшектерге дейінгі кішкентай материалды объектілердің жалпылама атауы.



Микроэлектро́ника

Microelectronics

Область электроники, изучающая проблему создания электронных устройств в миниатюрном исполнении. В микроэлектронике используются свойства полупроводников, связанных электрически, конструктивно и технологически.



Мироэлектроника

Microelectronics

Шағын орындауларда электронды қондырғыны құру мәселесін зерттейтін электрониканың аумағы. Микроэлектроникада электрлі, құрылымдық және технологиялық байланысқан жартылай өткізгіштердің қасиеттері қолданылады.



Миксинг ионный –то же, что перемешивание ионное (см.ст. перемешивание)


Ионды миксинг – ионды араластырудың өзі (қара. ст. араластыру)


Мише́́нь

Target


  1. Устанавливаемое на пути пучка атомных или элементарных частиц устройство для осуществления рассеяния частиц в целях исследования их взаимодей­ствия с веществом или получения новых пучков частиц.

  2. В некоторых источниках плазмы, например, в магнетроне, специальный элемент катодного узла, который служит поставщиком распыляемых атомов, которые затем осаждаются на подложке в виде тонкой плёнки.


Нысана

Target


  1. Бөлшектердің затпен әрекеттесуін зерттеу немесе бөлшектердің жаңа шоқтарын алу мақсатында бөлшектердің шашырауын жүзеге асыруға арналған, атомдық немесе элементар бөлшектер шоғырының жолына орнатылатын қондырғы.

  2. Плазманың кейбір көздерінде, мысалы магнетронда, кейіннен төсеніште жұқа қабық түрінде тұнатын, тозаңданушы атомдармен қамтамасыз етіп отыратын катодтық түйіннің арнайы элементі.


Модели́рование

Simulation, modelling

Замена реального объекта или процесса его физической или математической моделью. Характеристиками качества моделирования служат критерии подобия. Равенство всех критериев для модели и натуры является необходимым условием корректного моделирования.



Модельдеу

Simulation, modelling

Шынайы объектіні немесе процесті оның физикалық немесе математикалық моделімен алмастыру. Ұқсастық критерийлері модельдеу сапасының сипаты болып табылады. Модель мен түпнұсқаның барлық критерийлерінің теңдігі дұрыс модельдеудің қажетті шарты болып табылады.


моделирование математическое / mathematical simulation — метод исслед-ования физических яв­лений с помощью математи­ческих моделей и расчёта этих моделей на быстродействующих вычисли-тельных маши­нах; преследует две цели: (1) качественное описание нетривиальных явлений. Для этого строят максимально упрощенные (базовые) модели. (2) Количес-твенное описание конкретных про-цессов, качественное поведение которых известно. Для этого служат имитационные модели; они могут содержать много урав-нений и параметров, которые определяют из сравнения с экспериментальными данными.

математикалық модельдеу / mathematical simulationматематикалық модельдердің және осы модельдерді тез есептегіш машиналармен есептеудің көмегімен физикалық құбылысты зерттеу әдісі; екі мақсатты көздейді: (1) қарапайым емес құбылыстарды сапалы бейнелеу. Ол үшін максимал жеңілдетілген модельдер құрастырады. (2) Жүзеге асу тәртібі белгілі нақты процестерді сандық сипаттау. Ол үшін имитациялық модельдер қолданылады; олар эксперименттік мәліметтермен салыстыра отырып алынған көптеген теңдеулер мен параметрлерден тұруы мүмкін.


моделирование физическое / physical simulation — экспериментальный метод научного исследования, состоящий в замене изучаемого физического процесса, явления или объекта другим, ему подобным — моделью. Геометрически подобная модель объекта имеет уменьшенный, или увели-ченный по сравнению с оригиналом размер, а модель процесса или явления может отличаться от реального процесса количес-твенными физическими характеристиками, такими, как мощность, энергия процесса, давление, плотность среды, амплитуды колебаний, силы взаимодействия и т.п.

физикалық модельдеу / physical simulation зерттелетін физикалық процесті, құбылысты немесе объектіні оған ұқсас - басқа модельмен алмастырып, ғылыми зерттеудің эксперименттік әдісі. Объектінің геометриялық моделінің өлшемі түпнұсқамен салыстырғанда кішкентай немесе ұлғайтылған болады, ал процестің немесе құбылыстың моделі шынайы процестен қуат, процесс энергиясы, қысым, орта тығыздығы, тербеліс амплитудасы, өзара әсерлесу күші және т.с.с сандық физикалық сипаттамалармен ерекшеленуі мүмкін.

1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   54


©dereksiz.org 2016
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет