Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»

182 
5. 
р
—n-ауысу үшін қандай ойық қауіпті?
6. 
Германий шұрасының құрылымы қандай?
7. 
Нүктелік диодтың негізгі қасиеті қандай?
8. 
Қандай диодтар айнымалы тоқты түзету үшін қолданылады?
9. 
Транзистордың жұмыс істеу принципі қандай?
10. 
Транзисторды қосылу схемаларын атаңыз.
11. 
ЖЭ схемасы бойынша қосылған транзистордың сипаттамаларын 
көрсетіңіз.
12. 
Қандай сипаттамалар тобын I
Э 
мəнін өзгерту арқылы алуға болады?
13. 
Тиристордың құрылысы қандай?
14. 
Тиристордың қанша 
р
—n-ауысулары бар?
15. 
Жартылай өткізгішті резисторлардың негізгі түрлерін атаңыз.
16. 
Транзисторлар мен тиристорлар техниканың қандай салаларында 
қолданылады?

183 
12 тарау 
ФОТОЭЛЕКТРЛІК АСПАПТАР 
 
 
 
 
 
 
12.1.
ЖАЛПЫ МӘЛІМЕТТЕР 
 
 
Фотоэлектрлік аспап — сəуле энергиясын түрлендіргіш, оның 
əсерінен аспаптағы жұмыс ортасының электр қасиеттері өзгереді. 
Сәулелік 
энергия 
деп 
жиіліктердің 
кең 
ауқымындағы 
электромагниттік энергияны айтады. Алайда көптеген жағдайларда 
фотоэлектрлік аспаптар ультракүлгін, көрінетін жəне инфрақызыл 
сəулеленуді қамтитын оптикалық диапазонның электромагниттік 
сəулеленуін қабылдайды. Фотоэлектрлік аспаптардың жұмысы 
фотоэлектрлік құбылыстарға (фотоэффектілерге) негізделеді. 
Фотоэффектінің екі түрі бар: ішкі жəне сыртқы. 
Ішкі фотоэффект — заттың электрондарының қозуы, яғни 
сəулеленудің əсерінен олардың жоғары энергетикалық деңгейге 
өтуі, 
соның 
арқасында 
зарядтың 
бос 
тасығыштарының 
концентрациясы, демек, заттардың электрлік қасиеттері өзгереді. 
Ішкі фотоэффект тек жартылай өткізгіштерде жəне диэлектриктерде 
байқалады жəне біртекті жартылай өткізгіштердегі электр 
өткізгіштігінің өзгеру түрінде немесе біркелкі емес жартылай 
өткізгіштерде (р—n-құрылымдарында) пайда болады. Ішкі 
фотоэлектрлік əсер қолданылатын біртекті жəне біртекті емес 
құрылымы бар жартылай өткізгіш аспаптар фотоэлектрлік
жартылай өткізгіш сəулелену қабылдағыштары ретінде қызмет 
етеді. 
Ішкі фотоэлектрлік əсердің мəні мынада. Сəулелік энергия 
жарықтың кванттары (фотондары) түрінде белгілі бір энергиямен 
шығарылады. Бұл энергияның таза жартылай өткізгіштерде (жəне 
диэлектриктерде аз дəрежеде) əсер етуі салдарынан валентті 
электрондардың бір бөлігі энергиясы соншалықты артуы мүмкін, 
олар тыйым салынған аймақтан асып жəне өтімділік жиілігіне ауып 
кетуі мүмкін. 

184 
Қоспасыз жартылай өткізгіштерде сəулелену энергиясы əсерінен 
донорлық деңгейлерден электрондар өткізгіштің диапазонына, ал р- 
типті жартылай өткізгіштерде акцепторлардың деңгейінен тесіктер 
валенттіліктің диапазонына өтеді (яғни, валенттілігі электрондары 
аккортор деңгейлеріне өтеді). Таза жартылай өткізгіштердің 
электрондары тыйым салынған жолақшаны еңсере алатындай етіп, 
олардың ішкі электрөткізгіштігінің активтендіру энергиясынан 
үлкен, немесе оған төтенше жағдайларда, яғни фотоэлектрлік 
эффекттің пайда болу шарты орындалуы керек екенін хабарлау 
қажет. Жартылай өткізгіштерде электрондар иондалу энергиясына 
қарағанда үлкен (немесе тең) энергия туралы хабарлауы керек. 
Бұл жағдайда жартылай өткізгіш фототүрлендіргіш деп 
аталатын қосымша өткізгіштікке ие болады. 
Сыртқы фотоэффект — бұл фотоэлектрондық эмиссия, яғни 
сəулеленудің əсерінен заттың бетінен тыс электрондардың шығуы. 
Фотоэлектрлік эмиссия кез келген затта үлкен немесе аз дəрежеде 
болуы мүмкін. Бұл құбылысты зерттеуді ресейлік физик 
А.Г.Столетов жүргізді, ол фототоқтың бар екендігін анықтаған жəне 
катодпен шығарылатын бос электрондардың саны катодты 
сəулелендіретін жарық ағынына пропорционал екендігін анықтаған 
. Сыртқы фотоэлектрлік əсер электровакуумдық фотоэлектрлік 
аспаптардың - электрондық жəне газразрядты фотоэлементтердің, 
сондай-ақ фотоэлектрондық көбейткіштердің жұмысының негізінде 
жатыр. 

жүктеу/скачать 5.26 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: