Досаева Б. Т., Койшыбаев Н., Жаугашева С. А
Жартылай өткізгіш триод (транзистор)
жүктеу/скачать 4.06 Mb.
|
| Жартылай өткізгіш триод (транзистор). Жоғарыда қарастырылған р-n-өткелдің қасиеттері электр сигналдарының жартылай өткізгіштік күшейткіштерінде пайдаланылады.
Кернеулер мен тоқтың өзгерістерін күшейтуге арналған жартылай өткізгіш приборлар жартылай өткізгіш триодтар немесе транзисторлар деп аталады. Жартылай өткізгіш триодтың құрылымының схемасы 3.36-суретте көрсетілген. Жіңішке n-обылыс (1 мк шамасында) кристалдың екі р-облысын бөліп тұр. Кристалдың бұл облыстарының тізбекке қосылуға арналған меншікті э, б және к шығымдары бар. Схемадан көріп тұрғанымыздай, транзисторда екі р-n-өткелдер бар. Э және б шығымдарды сыртқы тізбекпен қосып, кернеуді сол жақтағы р-n- өткелге, ал б және к шығымдар арқылы оң жақтағы өткелге беруге болады. Транзистордың сол жақ р-облысында р типтік қоспалар, n-обылыстағы n-қоспаларға қарағанда жүздеген есе артық болады. Осыған сәйкес түрде, р –обылыста қуыстар саны n- облыстағы электрондар санынан жүздеген есе артық болады. Сондықтан, сол жақ өткел тура бағытта қосылған кезде, өткел арқылы тура тоқ негізінен (99%-ке дейін) р-облыстан болатын қуыстардың диффузиялық ағынынан тұрады. Енді осындай транзисторда кернеудің өзгерісінің қалай күшейтілетіндігін анықтайық. Оң жақ өткелге жүктеме R кедергіні қосайық (3.36-сурет) және үлкен кері кернеуді берейік (ондаған вольттық). Өткел жабық болатындықтан, ол арқылы өте кішкентай тоқ жүруге тиісті, ол жүктеме R кедергіде байқалатындай кернеудің түсуін тудырмайды. Сол жақ өткелге азғантай тура кернеу түсірейік. Ол арқылы р-облыстан n-облысқа қарай тек диффузиялық қуыстардан ғана тұратын тура тоқ ағып өтеді. n-облыс өте жұқа болатындықтан (оның ені қуыстың рекомбинацияға дейін өтетін орташа еркін өту жолынан көп кіші болады), қуыстардың көпшілігі рекомбинацияланып үлгермей, оң жақ өткелге жетеді. n-облыстағы қуыстар негізгі тасымалдаушылар болып табылмайтындықтан, олар оң жақ өткелге тап болған кезде, оның өрісімен оң жақ р-облысқа лақтырылып тасталады. Сөйтіп, сол жақ өткел ашық болатын кезде оң жақ өткел арқылы кішігірім кері тоқ өтудің орнына, сол жақ өткелден өткен тоқпен шамалас тоқ өтеді; R кедергіде Б батареның ЭҚК-імен анықталатын біршама U=ІR кернеу пайда болады. n-p-өткел арқылы тоқтың кернеуге күшті тәуелділігінен (3.32-сурет), транзистордағы тоқ сол жақ өткелдегі азғантай кернеу кезінде-ақ өте күшті өзгереді. Сөйтіп, егер сол жақ өткелде кернеу вольттың ондық үлестеріне дейін өзгеретін болса, онда R кедергідегі кернеу ондаған вольтқа өзгереді. 3.37-суретте өрнектелген n-p-n типтік транзистордың жұмысының жоғарыда сипатталған p-n-p типтік транзистордың жұмысынан ешқандай айырмашылығы жоқ, тек өткелдердегі кернеудің полярлығы бөлек және транзистордағы тоқ негізінен электрондардан тұрады. Транзисторлардың жұмыс істеу уақыты ұзақ болады, өте үнемді және мөлшерлері кішкентай болады. Қазіргі кезде транзисторлардың қолданыс таппайтын жері жоқ деуге болады. Ғылыми әдебиетте транзистордың ортаңғы облысы база, базаны қозғалғыш зарядтарды тасымалдаушылармен қамтамасыз етіп отыратын сол жақ облысы эмиттер, ал оң жақтағы зарядтарды жинақтайтын облысы коллектор деп аталады және сәйкес түрде б, э, к әріптерімен белгіленеді (3.36, 3.37-суреттер). Тура бағытта қосылатын өткел эмиттерлік, кері бағытта қосылатын өткел коллекторлық деп аталады. Транзисторлардың схемалардағы шартты белгілері 3.38-суретте көрсетілген: а) p- n - p; б) n- p- n. жүктеу/скачать 4.06 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|