Экзаменационные вопросы. Основные соотношения свч-электроники



жүктеу 33.04 Kb.
Дата22.06.2016
өлшемі33.04 Kb.
Экзаменационные вопросы.

  1. Основные соотношения СВЧ-электроники Основные соотношения СВЧ-электроники
    (ур-ние Ньютона-Лоренца, полная энергия движения электрона в стационарных и СВЧ полях.
    Специфика ЭВП СВЧ, понятие угла пролета электрона).

  2. Полный ток в промежутке между электродами. Понятие конвекционного и наведенного
    токов. Теорема Шокли-Рамо о наведенном токе.

  3. Приборы с электростатическом принципом управления. Влияние времени пролета на
    работу электронных ламп. Принцип динамического управления электронным потоком.

Приборы с динамическим управлением. Приборы с кратковременным взаимодействием электронного потока с СВЧ полем.

  1. Двухрезонаторный пролетный клистрон ( принцип действия, скоростная модуляция
    электронного потока, коэффициент электронного взаимодействия.).

  2. Кинематическая теория группирования электронов. Конвекционный ток в сечении вто­
    рого резонатора. Влияние пространственного заряда эл. потока на процессы группирования.

  3. Наведенный ток выходного резонатора 2-х резонаторного пролетного клистрона.
    Мощность колебаний в выходном резонаторе. Параметры и характеристики двухрезонаторного
    пролетного клистрона ( коэффициент усиления по мощности, к.п.д., амплитудная и амплитуд­
    но-частотная характеристики).

  4. Многорезонаторные клистроны. Принцип действия на примере 3-х резонаторного
    клистрона. Параметры и характеристики многорезонаторных клистронов ( коэффициент усиле­
    ния по мощности, к.п.д.. амплитудная и амплитудно-частотная характеристики). Область при­
    менения.

  5. Отражательный клистрон (О.К). Принцип действия, группирование электронов в О.К.,
    конвекционный и наведенный ток в сечении резонатора .

  6. Основные уравнения работы диодного автогенератора и анализ работы О.К. на их ос-
    нове( электронная проводимость резонатора О.К., условия самовозбуждения, пусковой ток,
    уравнения баланса амплитуд и фаз.).

10. Мощность в нагрузке О.К. .К.п.д. О.К.. Частота колебаний О.К.. Крутизна электрон­
ной перестройки. Применение О.К..

Приборы с длительным взаимодействием электронного потока с СВЧ полем.

Приборы О-типа.

11 .Понятие фазовой и групповой скоростей волны. Понятий дисперсионной характери­стики.



  1. Широкополосные замедляющие системы( назначение, виды и разновидности). Пред­
    ставление эл. магн. поля периодической структуры в виде суммы пространственных гармоник.

  2. Лампа бегущей волны (ЛБВ) (принцип действия).

  3. Линейная теория работы ЛВВ (вывод дисперсионного ур-ния и следствия, выте­
    кающие из его анализа).

  4. Параметры и характеристики ЛВВ( коэффициент усиления по мощности, к.п.д., ам­
    плитудная и амплитудно-частотная характеристики. Область применения ЛВВ .

  5. Лампа обратной волны (принцип действия, основные параметры и характеристики,
    область применения).

Приборы типа М.

17. Движение электронов в скрещенных статических эл. и магн. полях,



  1. Движение электрона в скрещенный статических эл. и маги, полях при наличии СВЧ
    поля.

  2. Энергетические особенности взаимодействия СВЧ-поля и электронов в приборах ти-
    паМ. Условие фазового синхронизма.

  3. Лампа бегущей волны типа М (конструкция, принцип действия и основные характери­
    стики).

  4. Многорезонаторный магнетрон. Конструкция и принцип действия.

  5. Условия самовозбуждения магнетрона. Диаграмма рабочих режимов.

  6. Основные параметры и характеристики магнетрона (ВАХ, к.п. д., выходная мощ­
    ность, частота колебаний). Область применения. Амплитрон. Стабилитрон.

Полупроводниковые приборы СВЧ.

24 . Энергетический спектр электронов в полупроводниках. Понятие эффективной мас­сы.



  1. Понятие дрейфовой скорости. Движение носителей тока в полупроводниках под дей­
    ствием сильных эл. полей.

  1. Ударная ионизация. Скорость и коэффициент ударной ионизации.

  2. Основные уравнения полупроводниковой электроники.

  1. Лавинно-пролетный диод (ЛПД). Конструкция и статические характеристики.

  2. Возникновение отрицательного сопротивления в ЛПД. Малосигнальная эквивалентная
    схема.

  3. Работа Г ЛПД в режиме большого сигнала (IMPATT-режим). Основные характеристи­
    ки работы ГЛПД (мощность, к. п. д., частота).

  4. Работа ГЛПД в ТRАРАТТ- режиме. Принцип работы. Характеристики и область при­
    менений современных ЛПД.

  5. Эффект Ганна.

  6. Виды неустойчивостей в образцах с отрицательной дифференциальной проводимо-
    стью( обогащенный слой, эл. домен сильного поля). Условие Кремера.

  7. Генератор на диоде Ганна (ГДГ). В АХ образца с доменом. Основные режимы работы
    ГДГ( пролетный и доменный режимы).

  8. Гибридный и ОНОЗ режимы работы ГДГ.

  9. Эквивалентная схема ГДГ и его основные хар-ки ( мощность, к,п.д., частота). Об­
    ласть применения.


©dereksiz.org 2016
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет