Физические основы работы полупроводниковых приборов


При T > 0 К увеличивается вероятность заполнения электроном энергетического уровня, расположенного выше уровня Ферми



бет6/8
Дата07.02.2024
өлшемі1.23 Mb.
#491213
түріИсследование
1   2   3   4   5   6   7   8

При T > 0 К увеличивается вероятность заполнения электроном энергетического уровня, расположенного выше уровня Ферми.

  • При T > 0 К увеличивается вероятность заполнения электроном энергетического уровня, расположенного выше уровня Ферми.
  • Ступенчатый характер функции распределения сменяется на более плавный.

ПРИМЕСНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

  • Электропроводность полупроводника может обусловливаться не только генерацией пар носителей «электрон – дырка» вследствие какого-либо энергетического воздействия, но и введением в структуру полупроводника определенных примесей.

Примеси бывают

ДОНОРНЫЕ ПРИМЕСИ

  • Донор – это примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический уровень, занятый в невозбужденном состоянии электроном и способный в возбужденном состоянии отдать электрон в зону проводимости.

Пример донорной примеси – сурьма (Sb) (элемент V группы таблицы Менделеева).

  • Пример донорной примеси – сурьма (Sb) (элемент V группы таблицы Менделеева).
  • У атома сурьмы на наружной электронной оболочке находятся пять валентных электронов.
  • Четыре электрона устанавливают ковалентные связи с четырьмя соседними атомами кремния,
  • а пятый валентный электрон такой связи установить не может, так как в атомах кремния все свободные связи (уровни) уже заполнены.

Связь с ядром пятого электрона атома примеси слабее по сравнению с другими электронами.

  • Связь с ядром пятого электрона атома примеси слабее по сравнению с другими электронами.
  • Под действием теплового колебания атомов кристаллической решетки связь этого электрона с атомом легко разрушается, и он переходит в зону проводимости, становясь при этом свободным носителем электрического заряда.

Атом примеси, потеряв один электрон, становится положительно заряженным ионом с единичным положительным зарядом.

  • Атом примеси, потеряв один электрон, становится положительно заряженным ионом с единичным положительным зарядом.
  • Он не может перемещаться внутри кристалла, так как связан с соседними атомами полупроводника межатомными связями, и может лишь совершать колебательные движения около положения равновесия в узле кристаллической решетки.
  • Электрическая нейтральность кристалла полупроводника не нарушается, так как заряд каждого электрона, перешедшего в зону проводимости, уравновешивается положительно заряженным ионом примеси.


Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5   6   7   8




©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет