1.5. Закон Бравэ
Кристаллические тела в большинстве случаев образуются из плоскостей путём образования кристаллов из пересыщенных растворов или при кристаллизации расплавов.
Однако, известны случаи образования кристаллов непосредственно из газо- или парообразного вещества. Например, иней возникает из паров воды, из газообразных выделений вулканов осаждаются кристаллы серы, хлористого натрия и др.
Наконец, возможны и такие случаи, когда кристаллические образования возникают из твёрдых веществ. В качестве примера можно привести выделение кристаллов стекла (помутнение). В технике используют способность металлов к перекристаллизации, получая крупно- или монокристаллические образования.
Итак, при образовании кристаллов вначале возникают мельчайшие кристаллики, а затем они вырастают в более крупные кристаллы.
Установленно, что грани растущих кристаллов передвигаются параллельно самим себе от центра кристаллизации.
Вследствие этого углы между двумя любыми гранями остаются постоянными. При этом разные грани перемещаются с разной скоростью. Скоростью роста данной грани называется расстояние по нормали к ней, на которое она передвигается в единицу времени при росте кристалла (рис.1.6).
Различие в скоростях роста различных граней кристалла обуславливает его внешний облик: некоторые грани в процессе роста кристалла увеличиваются и становятся доминирующими, а другие грани постепенно уменьшаются в размерах и в конце концов могут совсем исчезнуть с поверхности кристалла. Из рис. 1.7 видно, что зарастают и исчезают те грани, которые имеют наибольшую скорость роста (грань ВС). В результате кристалл, как правило, покрывается гранями с малыми скоростями роста (при условии, что двухгранный угол между смежными гранями превышает 900).
Рис. 1.6. Передвижение граней при росте кристалла:
pq - скорость нарастания грани АВ, mn- скорость нарастания грани ВС
Чем отличаются грани с разными скоростями роста? Разные плоские сетки имеют неодинаковое строение, и различаются ретикулярной плотностью. Чем больше ретикулярная плотность, тем большее количество частиц примет строго упорядоченное расположение. Следовательно грани с малыми плотностями растут быстрее, т. е. кристаллы покрываются преимущественно гранями с большими ретикулярными плотностями.
Впервые это предположение высказал французский кристаллограф Бравэ. В настоящее время эта гипотеза подтверждается с помощью рентгеноструктурного анализа. Поэтому предположение Бравэ можно отнести к числу статистических законов.
Закон Бравэ формулируется следующим образом: “Чем больше ретикулярная плотность плоской сетки, тем чаще она встречается в качестве реальной грани на кристаллах”.
Рис. 1.7. Зарастание грани ВС, имеющей наибольшую скорость роста
Закон Бравэ часто нарушается, потому что на относительные скорости роста граней кроме ретикулярной плотности влияют другие физико-химические факторы. К ним относят концентрационные потоки, степень пересыщения раствора, давление и т. п.
Действие этих факторов приводит к появлению граней с малыми плотностями при одновременном уменьшении граней больших плотностей. Вследствие этого кристаллы одного и того же вещества могут иметь различное число граней, а так же отличаться величиной и формой одинаково расположенных граней. Но внутреннее строение всех этих кристаллов остаётся неизменным. Поэтому рёбра разных кристаллов данного вещества должны отвечать одинаковым плоским сеткам и рядам его кристаллической решётки. Углы между соответственными гранями и рёбрами у всех кристаллов сохраняются постоянными (закон постоянства углов кристаллов). Поэтому можно установить состав исследуемого кристалла, измеряя углы между его гранями и рёбрами.
Рис. 1.8. Кристаллы горного хрусталя
На рис. 1.8 изображено несколько кристаллов горного хрусталя, иллюстрирующих закон постоянства углов.
2. СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ
2.1. Элементы симметрии
Симметрия - широко распространенное в природе явление. Особенно многообразно симметрия проявляется в мире животных и растений. Кристаллы - наиболее яркие представители симметричных тел неживой природы.
Всякая симметричная фигура состоит из закономерно повторяющихся равных частей (рис. 2.1).
Вспомогательные геометрические образы, с помощью которых обнаруживается закономерная повторяемость равных частей фигуры, называются элементами симметрии.
Рис. 9. Пример симметричной фигуры
Операция совмещения частей симметричной фигуры и фигуры в целом называется симметрическим преобразованием.
Каждому элементу отвечает своё симметрическое преобразование, посредством которого фигура совмещается сама с собой.
В кристаллических многогранниках возможны элементы симметрии: плоскости симметрии, центр инверсии, оси симметрии и инверсионные оси.
2.2. Плоскости симметрии
Плоскостью симметрии называется плоскость, которая делит фигуру на две равные части, расположенные друг относительно друга как предмет и его зеркальное отражение.
Плоскость симметрии обозначается буквой Р.
Симметрическое преобразование, отвечающее плоскости симметрии, есть отражение в плоскости.
Рис. 2.2. Фигура несимметричная
Для отражения некоторой фигуры АВD в плоскости Р (рис.2.3) из каждой её точки опускают перпендикуляры на плоскость отражения и продолжают их по другую сторону плоскости на расстояния, равные расстояниям отражаемых точек до плоскости Р. В результате получаем новую фигуру А1В1D1.
Рис. 2.3. Отражение точек фигуры в плоскости Р
При нахождении плоскостей симметрии мысленно рассекают их плоскостью на две половины так, чтобы при отражении в этой плоскости половинки совместились друг с другом.
Не каждая плоскость, делящая фигуру пополам, является плоскостью симметрии. Например, в прямоугольнике только две плоскости параллельные его сторонам являются плоскостями симметрии (рис. 2.4). Плоскости идущие вдоль диагоналей прямоугольника плоскостями симметрии не являются, т. к. образующиеся треугольники зеркально не равны.
Рис.2.4. Прямоугольник АВDЕ имеет две плоскости (Р и Р1) симметрии
Кристаллические многогранники могут иметь одну или несколько плоскостей симметрии. Число плоскостей симметрии указывается коэффициентом, стоящим перед буквой Р. Например, куб имеет 9Р, т. е. девять плоскостей симметрии (рис. 2.5).
Следует помнить, что плоскости симметрии или перпендикулярны к рёбрам и граням многогранника и проходят через их середины, или проходят вдоль рёбер.
2.3. Центр инверсии
Центром инверсии называется такая точка внутри фигуры, при отражении в которой всех точек последняя совмещается сама с собой.
Чтобы произвести отражение какой-либо точки фигуры в центре инверсии (рис. 2.6), нужно соединить эту точку и точку С прямой линией.
Как видно из рис. 2.6 плоскости треугольников параллельны, но стороны имеют противоположные
направления.
Рис. 2.5. Куб имеет девять плоскостей симметрии (9Р): три главных плоскости (а) и шесть диагональных (б)
Центр инверсии называют центром обратного равенства, потому что каждая грань при наличие центра инверсии должна иметь равную себе и обратно параллельную грань (рис. 2.7).
Рис. 2.6. Треугольник АВD и А1В1D1, связанные центром инверсии, равны друг другу и обратно параллельны
Рис. 2.7. Многогранник с центром инверсии С: грани попарно равны и обратно параллельны
Рис. 2.8. Многогранник не имеет центра инверсии, т.к. для грани q нет парной параллельной грани
2.4. Оси симметрии
Осью симметрии называется прямая линия, при повороте вокруг которой на некоторый определённый угол фигура совмещается сама с собой.
Наименьший угол поворота, приводящий фигуру к самосовмещению, называется элементарным углом поворота оси. Элементарный угол поворота оси содержится целое число раз в 360:
360/ = n
где n – целое число.
Число n, показывающее сколько раз элементарный угол поворота оси содержится в 3600, называется порядком оси.
В геометрических фигурах могут присутствовать оси любых порядков, начиная от оси первого порядка и кончая осью бесконечного порядка.
Элементарный угол поворота оси первого порядка (n = 1) равен 3600. Так как каждая фигура, будучи повернута вокруг любого направления на 3600, совмещается сама с собой, то всякая фигура обладает бесконечным количеством осей первого порядка. Такие оси не являются характерными, поэтому они обычно не упоминаются.
Ось бесконечного порядка отвечает бесконечно малому элементарному углу поворота. Эта ось присутствует во всех фигурах вращения в качестве оси вращения.
Примерами осей третьего, четвертого, пятого, шестого и т. д. порядков являются перпендикуляры к плоскости рисунка, проходящие через центры правильных многоугольников, треугольников, квадратов, пятиугольников и т.п.
Таким образом, в геометрии существует бесконечный ряд осей различных порядков.
В кристаллических же многогранниках возможны не любые оси симметрии, а только оси первого, второго, третьего, четвертого и шестого порядка.
Оси симметрии пятого и выше шестого порядка в кристаллах невозможны. Это положение является одним из основных законов кристаллографии и называется законом симметрии кристаллов.
Как и др. геометрические законы кристаллографии, закон симметрии кристаллов объясняется решетчатым строением кристаллического вещества. Действительно, раз симметрия кристалла есть проявление симметрии его внутреннего строения, то в кристаллах возможны только такие элементы симметрии, которые не противоречат свойствам пространственной решетки.
Докажем, что ось пятого порядка не удовлетворяет законам пространственной решетки и тем самым докажем ее невозможность в кристаллических многогранниках.
Предположим, что ось пятого порядка в пространственной решетке возможна. Пусть эта ось будет перпендикулярна плоскости чертежа, пересекая ее в точке О (рис.2.9). В частном случае точка О может совпадать с одним из узлов решетки.
Рис. 2.9. Ось симметрии пятого порядка невозможна в пространственных решетках
Возьмем ближайший от оси узел решетки А1, лежащий в плоскости чертежа. Так как вокруг оси пятого порядка все повторяется пять раз, то ближайших к ней узлов в плоскости чертежа должно быть всего пять А1,А2,А3,А4,А5. Располагаясь на одинаковых расстояниях от точки О в вершинах правильного пятиугольника, они совмещаются друг с другом при повороте вокруг О на 360/5=72°.
Эти пять узлов, лежащие в одной плоскости, образуют плоскую сетку пространственной решетки и поэтому к ним приложимы все основные свойства решетки. Если узлы А1 и А2 принадлежат ряду плоской сетки с промежутком А1А2, то через любой узел решетки можно провести ряд, параллельный ряду А1А2. Проведем такой ряд через узел А3. Этот ряд, проходящий и через узел А5, должен иметь промежуток, равный А1А2, т. к. в пространственной решетке все параллельные ряды обладают одинаковой плотностью.
Следовательно, на расстоянии А3Аx = А1А2 от узла А3 должен находиться еще один узел Аx. Однако дополнительный узел Аx оказывается лежащим ближе к точке О, чем узел А1, взятый по условию ближайшим к оси пятого порядка.
Таким образом, сделанное нами допущение о возможности оси пятого порядка в пространственных решетках привело нас к явному абсурду и поэтому является ошибочным.
Поскольку существование оси пятого порядка несовместимо с основными свойствами пространственной решетки, то такая ось невозможна и в кристаллах.
Аналогичным образом доказывается невозможность существования в кристаллах осей симметрии выше шестого порядка и, наоборот, возможность в кристаллах осей второго, третьего, четвертого и шестого порядка, присутствие которых не противоречит свойствам пространственных решеток.
Для обозначения осей симметрии употребляется буква L, а порядок оси указывается маленькой цифрой, располагаемой справа от буквы (например, L4 - ось четвертого порядка).
В кристаллических многогранниках оси симметрии могут проходить через центры противоположных граней перпендикулярно к ним, через середины противоположных ребер перпендикулярно к ним (только L2) и через вершины многогранника. В последнем случае симметричные грани и ребра одинаково наклонены к данной оси.
Кристалл может иметь несколько осей симметрии одного порядка, количества которых указывается коэффициентом перед буквой. Например, в прямоугольном параллелепипеде присутствует 3L2, т. е. три оси симметрии второго порядка; в кубе имеются 3L4, 4L3 и 6L2, т. е. три оси симметрии четвертого порядка, четыре оси третьего порядка и шесть осей второго порядка и т. д.
2.5. Инверсионные оси симметрии
Инверсионные оси симметрии, обозначаемые буквой Li, являются сложными элементами симметрии. Они представляют собой как бы совокупность совместно действующих оси симметрии и центра инверсии.
Инверсионной осью симметрии называется прямая линия, при повороте вокруг которой на некоторый определенный угол с последующим отражением в центральной точке фигуры, как в центре инверсии, фигура совмещается сама с собой.
Симметричное преобразование, отвечающее инверсионной оси, состоит из поворота вокруг прямой линии и последующей инверсии в точке, лежащей на этой линии.
Рассмотрим пример инверсионной оси в правильной треугольной призме на рис. 2.10. В этой фигуре прямая gg является осью симметрии третьего порядка L3 и одновременно инверсионной осью шестого порядка. Действительно после поворота вокруг этой оси на 60° всех частей многогранника и последующего их отражения в центральной точке фигура самосовмещается.
Например, ребро АВ в результате поворота вокруг gg на 60° займет положение А1В1, а после отражения в центральной точке фигуры совместится с ребром А1В1. При полном повороте на 360° будет всего шесть таких совмещений. Следовательно, прямая gg представляет собой инверсионную ось шестого порядка Li6.
В кристаллических многогранниках возможны инверсионные оси первого, второго, третьего, четвертого и шестого порядка, т.е. Li1, Li2, Li3, Li4, Li6.
На практике приходится иметь дело в основном с двумя последними инверсионными осями Li4 и Li6. Остальные инверсионные оси могут быть заменены другими, уже знакомыми нам элементами симметрии.
Рис. 2.10. Многогранник с инверсионной осью шестого порядка
Так, например, инверсионная ось первого порядка (Li1) равнозначна центру инверсии (C). Действительно поворот на 360° оставляет фигуру на месте, поэтому самосовмещение фигуры произойдет только в результате отражения в центральной точке. Следовательно, Li1=С.
Инверсионная ось второго порядка по своему действию равнозначна перпендикулярной к ней плоскости симметрии, т. е. Li2=Р.
Инверсионная ось третьего порядка Li3 равносильна одновременно действующим оси симметрии третьего порядка L3, совпадающей с Li3 и центру инверсии С, т. е. , Li3=L3С. Так, например, в кубе, где присутствует совместно С и L3, каждая из четырех осей симметрии третьего порядка является в то же время тройной инверсионной осью. Наличие Li3, всегда совпадающей с простой осью симметрии третьего порядка, обычно не указывается.
Инверсионная ось четвертого порядка Li4 является самостоятельным элементом симметрии и не может быть ничем заменена. В многогранниках, обладающих Li4, центр инверсии отсутствует. Четвертая инверсионная ось всегда является одновременно осью симметрии второго порядка (Li4=L2), однако не любая двойная ось при отсутствии С отвечает Li4.
Инверсионная ось шестого порядка Li6 может быть заменена осью симметрии третьего порядка, совпадающей с Li6 и перпендикулярной к ней плоскостью симметрии:
Li6=L3P(P L3)
Кристаллические многогранники, обладающие Li6, самостоятельного центра инверсии не имеют.
Хотя Li6 можно заменить другими элементами симметрии, ею приходится пользоваться при классификации кристаллов, поэтому она упоминается наряду с Li4.
2.6. Сложение элементов симметрии
Сочетание нескольких элементов симметрии не является произвольным, а подчиняется строгой геометрической закономерности, которая заключается в том, что при наличии двух элементов симметрии фигура обладает и третьим элементом симметрии, равнодействующим первым двум.
Равнодействующим называют элемент симметрии, действие которого приводит фигуру в то же положение, что и последовательное действие двух других элементов симметрии. Например, в правильной четырёхугольной призме (рис. 2.11) плоскость симметрии Р2 является равнодействующей другой плоскости симметрии Р1 и оси симметрии L4.
С другой стороны, L4 - является равнодействующей плоскостей симметрии Р1 и Р2.
Так как два элемента симметрии всегда дают третий, им равнодействующий, то в кристаллических многогранниках возможны либо только один элемент, либо больше двух.
Нахождение по двум элементам симметрии им равнодействующего называется сложением элементов симметрии.
Познакомимся с основными теоремами сложения элементов симметрии.
Теорема 1. Линия пересечения двух плоскостей симметрии является осью симметрии, равнодействующей этим плоскостям.
Теорема 2. Если через ось симметрии проходит плоскость симметрии, то через ту же ось должна проходить вторая плоскость симметрии под углом 900 к первой.
Следствие. Если через ось симметрии n-го порядка проходит плоскость симметрии, то всего через эту ось должно проходить n плоскостей симметрии.
Рис. 2.11. Ось симметрии равнодействующая плоскостей симметрии Р1 и Р2
Пусть число плоскостей симметрии равно m, т.к. каждая плоскость, проходящая через Ln повторяется через 1800, число плоскостей симметрии должно быть равно
m=180/(/ 2)=360 /=n,
где n - порядок данной оси симметрии.
Теорема 3. При наличие оси симметрии чётного порядка (L2n) и центра инверсии (С), перпендикулярно к оси через центр инверсии проходит плоскость симметрии (Р), равнодействующая данной оси и центра инверсии.
Теорема 4. При наличии плоскости симметрии и центра инверсии на ней фигура всегда обладает осью симметрии чётного порядка, проходящей через центр инверсии перпендикулярно к плоскости симметрии.
Теорема 5. При наличии оси симметрии чётного порядка и перпендикулярной к ней плоскости симметрии всегда присутствует центр инверсии, равнодействующей оси и плоскости симметрии.
Все три последние теоремы являются взаимообратными.
Следствие. При наличии центра инверсии число плоскостей симметрии равно сумме всех чётных осей симметрии, причём каждая плоскость симметрии перпендикулярна соответствующей оси симметрии.
Например, в кубе имеется С, 3L4, 4L3 и 6L2. Так как сумма чётных осей симметрии равна 9, то всего куб должен иметь 9Р.
Теорема 6 (Теорема Эйлера). Равнодействующей двух пересекающихся осей симметрии является третья ось симметрии, проходящая через точку пересечения первых двух.
Следствие. При наличии оси симметрии n - го порядка (Ln) и перпендикулярной к ней оси симметрии второго порядка (L2) имеется всего n осей второго порядка (nL2), перпендикулярных к Ln и пересекающихся друг с другом под углом / 2.
2.7. Классификация видов симметрии
Видом симметрии кристаллического многогранника называется полная совокупность его элементов симметрии.
Математически доказано, что для конечных кристаллических многогранников возможны всего 32 вида симметрии.
Все они подразделяются на три группы, или категории: низшую, среднюю и высшую.
Для видов симметрии низшей категории характерным является отсутствие осей выше второго порядка. В неё входят 8 видов симметрии.
Виды симметрии средней категории характеризуются присутствием только одной оси выше второго порядка. Её называют главной осью симметрии. Средняя категория объединяет 19 видов симметрии.
К высшей категории принадлежат остальные пять видов симметрии, каждый из которых имеет несколько осей симметрии выше второго порядка.
Виды симметрии, принадлежащие каждой категории делят на так называемые сингонии.
Сингонией называется совокупность видов симметрии одной категории, обладающих одинаковым числом осей одного и того же порядка.
2.7.1 Сингонии низшей категории.
В триклинную сингонию входят два вида симметрии, для которых характерно отсутствие осей выше первого порядка.
В моноклинную сингонию входят виды симметрии, имеющие не более одной оси второго порядка.
В ромбическую сингонию входят три вида симметрии, каждый из которых характеризуется присутствием трёх осей второго порядка.
2.7.2 Сингонии средней категории.
В тригональную сингонию входят пять видов симметрии главной осью которых является ось симметрии третьего порядка.
В тетрагональную сингонию входят семь видов симметрии, главной осью которых является ось симметрии четвёртого порядка.
В гексагональную сингонию входят семь видов симметрии, главной осью которых является ось симметрии шестого порядка.
2.7.3 Сингонии высшей категории.
В кубическую сингонию входят пять видов симметрии, которые характеризуются обязательным присутствием четырёх осей симметрии третьего порядка.
Проведенную классификацию видов симметрии для большей наглядности можно представить в виде следующей таблицы, весьма удобной для практического пользования.
Принадлежность кристаллического многогранника к тому или иному виду симметрии устанавливается путем нахождения всех его элементов симметрии. При определении полной совокупности элементов симметрии многогранника полезно учитывать следующие положения:
а) L6 и Li6 могут присутствовать в кристаллах в единственном числе;
б) L4 и Li4 могут встретиться или в единственном числе или в количестве трёх;
в) L3 могут встретиться или в единственном числе или в количестве четырёх;
г) L2 могут встретиться или в единственном числе или в количестве 2-х, 3-х, 4-х, или 6;
Таблица 1 – Классификация видов симметрии кристаллов
Категория
|
Сингония
|
Виды симметрии
|
Низшая
|
Триклинная (агирная)
|
L1 = -; Li1 = C
|
Моноклинная
(моногирная)
|
L2; Li2 = P; L2PC
|
Ромбическая
(тригирная)
|
3L2; L22Li2 = L22P;
3L23PC
|
Средняя
|
Тригональная (ромбоэдрическая)
|
L3; L3C(Li3); L33Р; L33L2; L33L23PC
|
Тетрагональная (квадратная)
|
L4;L4PC;L44Р;L44L2;L44L25PC; Li4;Li42L22P
|
Гексагональная
|
L6;L6PC;L66P;L66L2;
L66L27PC;Li6;Li63L23P
|
Высшая
|
Кубическая
(полигирная)
|
4L33L2;4L33L23PC;4L33L26P;
3L44L36L2;3L44L36L29PC
|
д) Р могут встретиться или в единственном числе или в количестве 2-х, 3-х, 4-х, 5, 6, 7, 9.
На практике приходится предварительно определять сингонию многогранника без нахождения всех его элементов симметрии. В таком случае необходимо пользоваться приведенными выше характеристиками сингоний.
3. СТЕРЕОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЕКЦИИ
Одной из характерных особенностей кристалла является постоянство углов между его гранями, а количество и размеры их могут меняться. Поэтому для изображения кристаллов применяют такие методы проектирования, которые дают точное представление о величине и расположении гранных углов. В этом отношении удобны стереографические проекции.
Примем некоторую точку О за центр проекции (рис.3.1). Произвольным радиусом опишем вокруг него шаровую поверхность, называемую шаром проекций. Через ту же точку проведём горизонтальную плоскость Q, которая принимается за плоскость проекций.
При пересечении шаровой поверхности с плоскостью проекций получаем большой круг, соответствующий экватору шара проекций и называемый кругом проекций.
Рис. 3.1. Построение стереографической проекции направления ОА
Вертикальный диаметр шара проекций NS , перпендикулярный к плоскости проекций, называется осью проекций. Точки пересечения сферической поверхности осью проекций NS являются точками зрения или полюсами шара проекций.
Рассмотрим получение стереографической проекции некоторого направления. Для этого перенесем его параллельно самому себе так, чтобы оно прошло через центр проекции.
Пусть после такого переноса направление заняло направление ОА. Точку пересечения направления ОА с шаровой поверхностью обозначим а1. Соединим эту точку с нижней точкой зрения S лучом зрения Sa1. Точка а, т. е. точка пересечения луча зрения с плоскостью проекции Q, является стереографической проекцией направления ОА.
Стереографические проекции направлений изображаются точками, лежащими в пределах круга проекций.
Рис. 3.2. Построение стереографической проекции плоскости R
Найдём теперь стереографическую проекцию некоторой плоскости R (рис. 3.2). Перенеся эту плоскость параллельно самой себе в центр проекций, продолжим её до пересечения с верхней полусферой шара проекций. В результате пересечения получаем на шаре дугу большого круга f a1 b1 c1 d1 e . Все точки этой дуги соединим лучами зрения с нижней точкой зрения. Проведённые лучи зрения в совокупности образуют так называемый проектирующий конус с вершиной в точке S.
Линия пересечения проектирующего конуса с плоскостью проекций представляет собой дугу окружности. Эта дуга является стереографической проекцией плоскости R.
Стереографические проекции плоскостей в общем виде изображают круговыми дугами.
Проектируя оси симметрии, необходимо продолжить их до пересечения со сферой, описанной произвольным радиусом вокруг кристалла из его центральной точки.
L2
L3
L4
Li4
L6
Li6
Рис.3.3. Обозначение осей симметрии на проекции
Пересечения осей с шаром проекций соединяются с нижней точкой зрения лучами.
Горизонтальные оси, совпадающие с плоскостью проекций, дают два выхода на круге проекций. Косо расположенные оси проектируются внутри круга проекций.
На стереографических проекциях оси симметрии обозначают значками, как показано на рис. 3.3. При проектировании плоскостей симметрии их продолжают до пересечения со сферой, на верхней половине которой получают дуги больших кругов.
Проекция вертикальной оси совпадает с центром круга проекций.
Рис. 3.4. Стереографические проекции плоскостей симметрии: а – Р перпендикулярна плоскости проекции; б – Р располагается горизонтально; в – Р наклонена под косым углом к плоскости
Если плоскость симметрии занимает вертикальное положение, то её стереографическая проекция изображается прямой линией, отвечающей одному из диаметров круга проекций (рис. 3.4).
Горизонтальная плоскость симметрии, совпадающая с плоскостью проекций, представляется кругом проекций, а проекция косо расположенная в плоскости симметрии отвечает круговой дуге (рис. 3.4).
Проекции плоскостей симметрии на чертежах принято изображать двойными линиями.
Перейдем далее к проектированию граней кристаллов.
Пусть нам задан некоторый кристаллический многогранник в виде прямой призмы. На рис. 3.5 основания этой призмы расположены перпендикулярно горизонтальной плоскости проекций Q, проходящей через центральную точку призмы О, из которой описана вокруг многогранника сферическая поверхность.
Чтобы спроектировать грань А, опускаем на неё перпендикуляр из центра проекций и продолжаем его до пересечения с поверхностью сферы. Точку а1 этого пересечения соединяем лучом с нижним полюсом шара проекций. В результате пересечения луча зрения с плоскостью проекций получим точку а, которая является гномостереографической проекцией грани А.
Таким образом, проекцию грани кристалла получают как стереографическую проекцию нормали к ней и изображают точкой.
Описанным выше способом проектируем и остальные грани призмы. При этом перпендикуляры к вертикальным граням В и Е оказываются лежащими в плоскости проекций Q и поэтому они проектируются на сам круг проекций (точки b и e). Нормали к горизонтальным граням C и F совпадают с осью проекций NS, вследствие чего они проектируются в центре круга проекций (точки f и c).
Нормаль к нижней наклонной грани D пересекает шар проекций в нижней полусфере. При использовании нижней точки зрения проекция этой нормали выходит за пределы круга проекций. Неудобство такого построения вынуждает в подобных случаях переносить точку зрения в верхний полюс шара проекций N. Благодаря этому проекция нормали к грани D тоже попадает внутрь круга проекций (точка ).
Чтобы отличить на чертеже проекции нормалей к верхним и нижним граням, первые обозначают чистыми кружками, а вторые - крестиками.
Таким образом, из вышеприведённых построений следует, что горизонтальные грани проектируются всегда в центре круга проекций, вертикальные грани, на самом круге проекций, а косые грани внутри круга проекций.
Рис. 3.5. Проектирование граней кристалла методом стереографических проекций (а); изображение проекций граней кристалла на плоскости проекции (б)
При этом, чем круче наклонена грань, тем ближе к кругу проекций располагается проектирующая её точка.
Если кристалл имеет центр инверсии, то около центра круга проекций ставится буква С.
Кристаллы кубической сингонии при проектировании принято ставить в положение при котором одна из этих осей совпадает с осью проекций. Две другие оси должны лежать в горизонтальной плоскости.
Кристаллы средней сингонии ориентируют так, чтобы главная ось симметрии располагалась вертикально.
Ромбические кристаллы ориентируют так, чтобы одна из осей второго порядка шла вертикально вверх, вторая на наблюдателя, третья слева направо.
Моноклинные и триклинные кристаллы ориентируют так, чтобы возможно большее количество их граней заняло вертикальное положение.
В качестве примеров на рис. 3.6 приведены проекции элементов симметрии граней трёх многогранников различных категорий.
Рис. 3.6. Стереографические проекции элементов симметрии и граней:
а – многогранника, имеющего форму прямоугольника, б – правильной шестиугольной пирамиды, в – куба
4. УЧЕНИЕ О КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ СИМВОЛАХ
4.1. Закон рациональности двойных отношений
(закон Аюи)
Закон рациональности двойных отношений является важнейшим законом кристаллографии, из которого вытекает всё учение о кристаллографических символах, применяемых для определения относительного расположения граней и рёбер кристаллов. Закон этот был впервые сформулирован французским кристаллографом Аюи (1723-1826) и поэтому его часто называют “законом Аюи”. Сущность закона Аюи состоит в следующем.
Выберем в кристалле три непараллельных ребра, пересекающихся в одной точке (рис. 4.1). Пусть две непараллельные грани пересекают все три ребра первая грань в точках А1,В1,С1, а вторая в точках А2,В2,С2.
Таким образом грань А1В1С1 отсекает на ребрах О1,О2,О3 отрезки ОА1, ОВ1 и ОС1, а грань А2В2С2 - отрезки ОА2, ОВ2 и ОС2.
Разделим отрезки отсекаемые на рёбрах одной гранью, на соответственные отрезки другой грани, а затем возьмём отношение трёх полученных дробей. В результате получим двойные отношения отрезков, которые можно заменить отношениями:
ОА2/ ОА1: ОB2/ ОB1: ОC2/ ОC1=m:n:p
где m,n,p- целые взаимно простые числа.
Это математическое выражение закона рациональности: “Двойные отношения отрезков, отсекаемых двумя любыми гранями кристалла на трёх пересекающихся рёбрах его, равны отношениям целых и сравнительно небольших взаимно простых чисел”.
Закон Аюи объясняется решётчатым строением кристаллов. Грани на рис. 4.1 соответствуют плоским сеткам, а рёбра рядам решётки.
Если а0 – промежуток ряда О1, b0-промежуток ряда О2, с0-промежуток ряда О3 (рис. 4.2), то отрезки сетки A1B1C1 равны:
ОА1=rа0, ОB1=sb0, ОC1=t c0,
где r,s,t- целые числа.
Отрезки сетки A2B2C2 равны:
ОА2=uа0, ОB2=vb0, ОC2=wc0,
где u,v,w- целые числа.
Если плоские сетки проходят через узлы, которые располагаются вне рядов, то в этом случае отрезки, отсекаемые плоскими сетками, состоят из дробного, но обязательно рационального числа промежутков.
Рис. 4.1. Грани А1В1С1 и А2В2С2 отсекают на ребрах О1, О2, О3 отрезки, отношения которых равны отношениям простых чисел
Рис. 4.2. Ребра О1, О2, О3 - ряды решетки. Грани А1В1С1 и А2В2С2 - плоские сетки.
Рис. 4.3. Для действительных граней кристалла двойные отношения отрезков равны отношениям небольших целых чисел
В
формулировке закона Аюи указывается, что двойные отношения отрезков равны отношениям сравнительно небольших целых чисел. Этот момент объясняется законом Бравэ.
Предположим, что два непараллельных ребра пересекаются различными гранями. Пусть все они отсекают на ребре отрезок, равный одному промежутку ряда. Прямые А1В1, А1В2 и т. д. отвечают следам всех этих граней на плоскости (рис. 4.3).
Пользуясь законом Аюи, можно теоретически вывести все возможные грани кристалла.
4.2. Символы граней
Положение граней кристаллов определяется относительно некоторой системы координат, выбираемой так, чтобы координатные оси были параллельны рядам пространственной решётки.
Направления в кристалле, параллельные рядам его пространственной решётки принятые за оси координат, называют кристаллографическими осями.
Отрезки, отсекаемые гранью кристалла на кристаллографических осях, называют параметрами этой грани.
Грань, линейные размеры которой по всем кристаллографическим осям приняты за единицы измерения параметров остальных граней кристаллов, называется единичной гранью.
В общем случае каждая грань имеет свой масштаб.
На рис. 4.4 грань А0В0С0 принята в качестве единичной грани. Найдём число единичных отрезков
ОАx/ ОА0=р; ОBx/ ОB0=q; ОCx/ ОC0=r, где
числа p,q,r – числовые параметры грани.
Если взять обратное отношение имеем:
Рис.4.4. Символ грани АхВхСх определяется из двойных отношений
ОА0/ ОАx : ОB0/ ОBx : C0/ОCx= = h:k:l
где h,k,l-целые взаимно простые числа.
Эти числа называются индексами грани и служат характеристикой её положения в кристаллографической системе координат.
Индексами грани кристалла называются целые взаимно простые числа, обратно пропорциональные числовым параметрам этой грани.
Совокупность индексов данной грани, взятых в круглые скобки образует символ грани.
Как всякие координатные оси кристаллографические оси имеют положительные и отрицательные концы. В общем случае положительный конец направляется в сторону наблюдателя, вторая ось располагается горизонтально и её положительный конец направляют слева направо, а третью ось ориентируют вертикально вверх.
Частные случаи символов граней (рис. 4.4):
1. Символ (111) всегда отвечает единичной грани.
Рис. 4.4. Частные случаи символов граней
Символ единичной грани - (111) ,хотя, как уже указывалось выше, единичные отрезки на кристаллографических осях могут быть не равны друг другу.
2. В символе грани, параллельной какой-либо кристаллографической оси, индекс, соответствующий этой оси равен нулю.
3. Грань, пересекающая одну кристаллографическую ось и параллельная двум другим, имеет символ, один индекс которого равен единице, а два других - нулю.
4.3. Установка кристаллов
Выбор кристаллографических осей и единичной грани называется установкой кристалла.
От установки кристалла целиком зависят символы всех его граней. Поэтому выбор координатных осей и единичной грани должен быть подчинён определённым правилам с тем, чтобы установка кристалла была однозначной для каждого вещества.
Элементарной ячейкой называется наименьший параллелепипед повторяемости, обладающий сингонией данной решётки при максимальном числе равных углов между его рёбрами.
Каждая сингония характеризуется своей формой элементарной ячейки.
Элементарные ячейки разных веществ, кристаллизующихся в одной сингонии, отличаются линейными размерами своих рёбер. Кристаллографические оси должны обязательно совпадать с направлениями рёбер элементарной ячейки, а единичная грань должна отсекать отрезки, пропорциональные длинам соответственных рёбер ячейки.
Таким образом, если установка кристалла сделана правильно, то углы между кристаллографическими осями будут равны углам между рёбрами.
4.4. Индексы плоских сеток
Положение плоских сеток относительно избранной системы координат численно характеризуют, как и положение граней кристалла, с помощью индексов. Индексы плоских сеток могут быть и целыми и дробными.
Три параметра (р, q и r) данной плоской сетки, измеренные промежутками координатных рядов, вполне определяют положение сетки в кристалле.
Числа обратные числовым параметрам p,q,r плоской сетки, называются её индексами.
Совокупность индексов данной плоской сетки, взятая в круглые скобки, называется символом этой сетки.
Отношение индексов плоских сеток одной и той же серии постоянно и, как отношение рациональных чисел, всегда может быть представлено в виде отношения взаимно простых целых чисел. Эти числа называются индексами серии. Совокупность индексов серии, взятых без каких-либо знаков между ними в круглые скобки, называется символом серии или сериальным символом.
Так как индексы плоской сетки обратны её параметрам, то чем больше численные значения индексов символа сетки данной серии, тем ближе к началу координат расположена эта сетка. Плоская сетка, символ которой тождественен с сериальным символом, является среди всех плоских сеток данной серии или ближайшей к началу координат, или второй от него.
5. СИМЕТРИЯ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ РЕШЁТОК
В кристаллах возможны только такие элементы симметрии, которые не противоречат свойствам пространственной решётки. Однако симметрия кристалла не тождественна симметрии его решётки, т.к. кристаллический многогранник конечная фигура, а пространственная решётка геометрический образ бесконечного протяжения.
Осью трансляции называется такое направление в бесконечной фигуре, при трансляции вдоль которого на некоторое определённое растояние фигура совмещается сама с собой.
Наименьшее растояние при перемещении на которое вдоль оси трансляции фигура самосовмещается, называется периодом трансляции.
Элементарными трансляциями в пространственной решётке являются промежутки рядов решётки.
Благодаря трансляции в пространственной решётке появляются новые элементы симметрии плоскость скользящего отражения и винтовые оси.
Плоскостью скользящего отражения называется плоскость, при отражении в которой и последующей трансляции вдоль неё на определённое расстояние фигура совмещается сама с собой.
Винтовой осью симметрии называется прямая линия, при повороте вокруг которой и последующей трансляции вдоль неё фигура совмещается со своим исходным положением в пространстве. Винтовые оси бывают 1-го, 2-го, 3-го, 4-го и 6-го порядка.
Отметим следующие особенности симметрии пространственных решёток.
1. Ряд решётки, параллельный оси симметрии, является осью симметрии.
2. Плоская сетка решётки, параллельная плоскости симметрии есть плоскость симметрии той же решётки.
3. Пространственная решётка всегда имеет бесконечно большое число центров инверсии, совпадающих с центрами элементарных ячеек.
4. В пространственных решётках всегда есть трансляции, параллельные и перпендикулярные осям и плоскостям симметрии.
5. Если в решётке есть ось симметрии n-го порядка, то в той же решётке имеются и n осей второго порядка, перпендикулярных к оси Ln.
Трансляционные решётки
Решётки, в которых промежуток любого ряда может рассматриваться как элементарная трансляция, называются трансляционными.
Различают четыре типа трансляционных решёток.
1. Решётки, элементарная ячейка которых является примитивным параллелепипедом и имеет узлы только в своих вершинах, называются примитивными.
2. Решётки, элементарная ячейка которых кроме узлов в вершинах имеет ещё один узел в центре объёма, называются объёмно-центрированными.
3. Решётки, элементарная ячейка которых имеет узлы в вершинах и центрах всех граней, называются гранецентрированными.
Рис. 5.1. Двумя трансляциями можно вывести все узлы плоской сетки
4. Решётки, элементарная ячейка которых имеет узлы не только в вершинах, но и в центрах двух параллельных граней называются базоцентрированными.
Распределение трансляционных решеток по сингониям показано в таблице 2 на рис. 5.1. Всего во всех семи сингониях получаем 14 различных трансляционных решеток. Впервые все виды трансляционных решеток были выведены Бравэ, поэтому их часто называют также решетками Бравэ.
Е. С. Федоров, разрабатывая свою теорию кристаллического строения, пришел к выводу, что любая из решеток Бравэ может быть получена с помощью однородных деформаций (растяжения, сжатия или сдвига) из четырех идеальных решеток, из которых три являются решетками кубической сингонии. В зависимости от того, из какой исходной предельной решетки путем минимальных деформаций получена решетка Бравэ, она относится к кубическому или к гексагональному типу. Таким образом, по Федорову весь мир кристаллов подразделяется на два типа - кубический и гексагональный. В этом заключается сущность одного из основных законов кристаллографии - закона кристаллографических пределов Федорова. В соответствии с этим законом кристаллы кубической и гексагональной сингонии являются ”идеальными” или “предельными”, а кристаллы остальных сингоний есть производные от идеальных.
Поскольку на кристаллических кристаллах преобладают грани, отвечающие плоским сеткам с наибольшей ретикулярной плотностью, четырем основным типам решеток должны быть свойственны различные преобладающие грани. Так, например, самые плотные плоские сетки в простой решетке имеют символ (100), в объемноцентрированной - (110), а в гранецентрированной - (111). На кристаллах с этими типами решеток указанными символами обладают, как правило, и наиболее часто встречающиеся грани.
Отсюда вытекает возможность по внешним признакам и форме кристалла определять их тип решетки. Зная тип решетки и углы между гранями можно определить состав вещества. Такой метод определения вещества, разработанный Федоровым и известный под названием кристаллохимического анализа, имеет следующие преимущества:
1) Ничтожность количества вещества при диагнозе,
2) Неуничтожаемость вещества при диагнозе, чего нельзя избежать при химическом анализе,
3) Сравнительная быстрота определения.
Кристаллохимический анализ Федорова оказал большое влияние на развитие нового отдела кристаллографии - кристаллохимии.
Как указывалось выше, на элементарную ячейку примитивной решетки всегда приходится только один узел, т. к. каждый узел примитивной решетки принадлежит восьми соседним параллелепипедам повторяемости. На долю объемноцентрированной решетки приходится уже два узла, ибо узел, находящийся в центре решетки (ячейки), целиком принадлежит ей. Элементарной ячейке базоцентрированной решетки принадлежат также два узла (по 1/8 узла от каждой вершины и по 1/2 узла от двух граней ячейки). Наконец, в гранецентрированной решетке каждой ячейке принадлежат 4 узла (один узел - от всех вершин ячейки и три узла - от всех шести её граней).
Объемно-, гране- и базоцентрированные решетки можно рассматривать как совокупность нескольких простых решеток с одинаковыми элементарными ячейками, выдвинутых одна в другую. Число этих простых решеток равно количеству узлов, приходящихся на ячейку непримитивной решетки. Например, гранецентрированную решетку можно представить себе состоящей из четырех одинаковых параллельно расположенных примитивных решеток.
Не примитивную, т. е. сложную, элементарную ячейку характеризуют координатами принадлежащих ей узлов. Совокупность координат узлов, входящих в элементарную ячейку, называют базисом ячейки.
Координаты узла, измеренные промежутками рядов, принятых за кристаллографические оси, называют индексами узла. Совокупность индексов узла, взятая в двойные квадратные скобки, образует символ узла.
Если x, y и z - координаты некоторого узла, то индексами узла будут u=x/a0, v=y/b0 и w=z/c0, где a0, b0 и c0 - промежутки координатных рядов. Символ данного узла, следовательно, [[uvw]].
Таким образом, базис решетки должен состоять из символов тех узлов, которые принадлежат элементарной ячейке. В соответствии с этим, например, в базис объемноцентрированной ячейки должны войти символы двух узлов, а в базис гранецентрированной ячейки - символы четырех узлов.
На рис. 5.2 приведены элементарные ячейки всех четырех типов трансляционных решеток и базисы этих ячеек. Узлы, символы которых входят в базис ячейки, обозначены на чертеже более крупными точками.
Рис. 5.2. Базисы элементарных ячеек четырех типов трансляционных решеток
[[000]]
[[000]]
[[1/21/20]]
[[000]]
[[1/21/21/2]]
[[000]]
[[1/21/20]]
[[1/21/2]]
[[01/21/2]]
Рис. 5.2. Базисы элементарных ячеек четырех типов трансляционных решеток
Таблица 5.1 – Ячейки трансляционных решёток
Сингония
|
Трансляционная решётка
|
Примитивная
|
Базецентрированная
|
Объёмноцентрированная
|
Гранецентрированная
|
Триклинная
|
|
|
|
|
Моноклинная
|
|
|
|
|
Ромбическая
|
|
|
|
|
Тригональная
|
|
|
|
|
Тетрагональная
|
|
|
|
|
Гексагональная
|
|
|
|
|
Кубическая
|
|
|
|
|
Достарыңызбен бөлісу: |