Кристалдық тор ақаулары. Қатты денелердегі диффузия
жүктеу/скачать 141.36 Kb.
|
| Дислокациялар. Нүктелік ақаулар, мысалы вакансиялар, тордың бір түйме аралығында ғана бұзылушылықтарға әкеледі (шекті жағдайда тордың бірнеше көршілес түймелар аралығында). Ал дислокациялар кезінде құрылымның сызықтық бұзылушылықтары пайда болады. Жалпы түрде айтатын болсақ, кристалдағы дислокациялар кез келген түрде болуы мүмкін, ал олардың құрылымын түсіну үшін дислокациялардың ең қарапайым екі түрін қарастырайық: шеттік және винттік. Шеттік дислокациялар кезінде кристалл ішіндегі атомдық жазықтықтардың бірі ірімшік кескен кездегі пышак секілді болып, үзіліп кетеді. Бұл дислокация 13а суретінде көрсетілген. Тордағы ығысу (Бюргерс векторымен анықталатын) дислокация сызығына перпендикуляр болып келеді (жартыжазықтықтағы атомдардың соңғы қатарының бағытына). Бюргерс векторының ұзындығы тордың бірлік векторларының бүтін санына тең болып келеді. Винттік дислокация кезінде (Сурет 13б) тордың бір бөлігі басқасымен салыстырғанда дислокация сызығына параллел бағытында ығысады. Ойша винттік дислокация алу үшін басында мінсіз кристалда бір кесу жасап, содан соң бұл кесудің бір жағын келесісіне қарағанда тордың бірнеше бірлік векторлары шамасына көтеріп және дәл осы күйде кесудің екі жағын сәйкестендіру қажет.
Сурет 13. Қарапайым дислокациялардың екі түрі, а- шеттік дислокация; б - винттік дислокация Осындай ығысуды сипаттау үшін тордың бірлік векторларының бүтін санына тең, ал винттік дислокация үшін оның осіне параллел Бюргерс векторымен пайдаланады. Жалпы жағдайда реал кристалда дислокация шеттік және винттік компонентілерінің қосындысы кезінде пайда болады және олардың арасындағы қатынас дислокация сызығы бойынша өзгеріп тұрады. Бюргерс векторы дислокация бойымен өзгермейтіні айта кететін жайт. Дислокация кристал ішінде үзілмейді; ол тұйықталған тозақ секілді немесе кристалдың бос беттерінде немесе кристаллитаралық шекараларда аяқталады. Көптеген жағдайларда дислокацияның кристал бетіне шығуын кернеу салынған аймақтарға қатты әсер ететін химиялық өңдеу әдісімен анықтауға болады, мұнда кристаллографиялық жазықтықтармен шектелген өңдеу ойықтары пайда болады. Кристалда дислокациялардың пайда болуының маңызды сипаттамасы ол дислокациялардың тығыздығы Nd (ND өлшемі ұзындықтың кері квадратына тең). Ол көлем бірлігіндегі дислокациялар саны ретінде анықталады және кристал мінсіздігі деңгейін сипаттайды. жүктеу/скачать 141.36 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|