Мазмұны Кіріспе І – Тарау; Әдебиеттерге шолу
жүктеу/скачать 5.67 Mb.
|
| Дислокация көздері
Кристалдың беріктелінуі Нақты кристалдарға дислокация балқыған кристалдан немесе ерітіндіден кристалдың өсу процесінде пайда болады. Бір-біріне қарама-қарсы өсіп келе жатқан блоктар шекарасы 1.9. а-суретте схема түрде көрсетілген. Блоктар бір-біріне аса үлкен емес бұрышқа бұрылған. Блоктардың өсу барысында бірнеше атом жазықтары барлық кристалдан өшпей, блок шекараларында қалып қояды. Нақ осы жерде дислокациялар пайда болады (1.9. б-сурет). Поликристалды үлгілерде осы сияқты картиналар әр түрлі ориентацияланған дәндердің өсу кезінде де болады. Нақты қатты денелерде блоктардың және дәндердің өлшемдері өте үлкен болғандықтан (атомдар ара қашықтығымен салыстырғанда), дислокациялардың саны өте үлкен болады. Есептерге қарағанда, жақсы күйдірілген металдарда дислокация тығыздығы 1011-1012м--2. Төменгі температурада (холодная) өңдегенде, яғни прокатка волочения, т.б. жасағанда, дислокация тығыздығы 1015-1016м—2 дейін жетеді. Осы дислокацияларда металды пластикалық деформациялаған кездегі жұтылған энергияның барлығы жинақталады. 2.15.-сурет Деформацияланбаған кристалдарда жинақталған вакансияларда дислокация көзі ролін атқаруы мүмкін, олардан оң және теріс дислокациялардың пайда болуын схема түрінде былай көрсетуге болады (2.15.-сурет). Сыртқы күштің әсерінен кристалдың пластикалық деформациялануы сырғанау жазықтықтарындағы дислокациялардың қозғалып, кристалл бетіне шығуының арқасында болады. Егер кристалдағы пластикалық деформация тек кристалл ішіндегі дислокациялардың кристалл бетіне шығудың арқасында болса, онда пластикалық деформация бару процесінде кристалл ішіндегі дислокациялар азайған болар еді, соның арқасында кристалл идеал ақауы жоқ (дислокациясы жоқ) күйге айналған болар еді. Бұл жағдай тәжірибе нәтижелеріне қарсы, эксперимент нәтижелеріне қарағанда деформация өскен сайын тордың бұзылу дәрежесі төмендемейді, керісінше өседі, олай болса дислокация тығыздығы да өседі. Сондықтан, қазіргі кезде пластикалық деформацияны жүргізетін дислокация сыртқы әсер ететін күштің арқасында өтетін деформация процесі барысында генерацияланады. Яғни дислокация тығыздығы өседі деген ұғым қабылданған. Бұл генерацияның механизмін 1950 жылы Франк пен Рид ашқан. Бұл механизмді түсіндіру үшін трубкадағы сабын көпіршіктерінің пайда болу процесін қарастырайық (2.16.-сурет). жүктеу/скачать 5.67 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|