Нанотехнологии в металлургии



бет9/27
Дата01.03.2022
өлшемі0.95 Mb.
#455879
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   27
Нанотехнологии в металлургии

j

Ом, j = 1,2,3,..

(6)
Вероятно, наиболее отличительным свойством, проявляемым малоразмерными системами под влиянием магнитных полей, является квантовый эффект Холла. Этот эффект наблюдается, когда интенсивное магнитное поле прилагается к двумерному идеальному газу в перпендикулярном направлении при низкой температуре. При приложении магнитного поля В- в направлении, перпендикулярном тонкой пленке нанометровой толщины, как показано на рисунке 1.7, поперечное удельное сопротивление рху при больших значениях поля увеличивается скачкообразно. Иау-м шаге:
В условиях если р^ постоянно, продольное удельное сопротивление рху имеет малое значение. Необычное поведение двумерного идеального газа, показанное на рисунке 1.7, известно как квантовый эффект Холла.
Квантование холловской электропроводности оху = 1/ рху обладает тем важным качеством, что оно имеет невероятно точный характер.
Фактические измерения холловской электропроводности показали, что ее значения равны либо целому числу, либо дробной доле от I/R0, определяемой с точностью примерно до одной миллиардной. Данное явление, называемое точным квантованием, позволило сформулировать определение для нового практического стандарта электрического сопротивления: квант сопротивления Ro, иногда называемый единицей сопротивления, примерно равен 25 812,8 Ом. Эта величина обозначается как постоянная фон Клитцинга RK (по имени первооткрывателя точного квантования). С 1990 г. фиксированное общепринятое значение Rk.w используется во всем мире для калибровки резисторов. Квантовый эффект Холла также позволяет сформулировать исключительно точное независимое определение постоянной тонкой структуры а, величины фундаментальной важности для квантовой электродинамики: а = e2/2hce<), где еп — диэлектрическая проницаемость вакуума или свободного пространства.


Сурет 1.7 - 8 мкм температурада тасымалдаушының өзгермейтін концентрациясы бар қолданбалы магнит өрісіне гетероқұрылымының бойлық кедергісі (рху) мен холл қарсылығының (pxv) тәуелділігінен эксперименттік алынған қисықтары

На этом рисунке схема измерения эффекта Холла, где I — электрический ток, параллельный приложенному электрическому полю Е Поперечное движение электронов и дырок под воздействием приложенного магнитного поля В, создает поперечное электрическое поле /у



  1. Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   27




©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет