Физика высоких давлений. Обнаружена обратимая металлизация фуллерита С60 без изменения кристаллической структуры в диапазоне давлений 10-20 ГПа. (ИФТТ РАН, ИТЭС ОИВТ, ИПХФ РАН)

Физика высоких давлений. Обнаружена обратимая металлизация фуллерита С₆₀ без изменения кристаллической структуры в диапазоне давлений 10-20 ГПа. (ИФТТ РАН, ИТЭС ОИВТ, ИПХФ РАН)

Впервые при комнатной температуре получена конденсация электронно-дырочных пар в полупроводнике. Обнаружено, что в режиме сверхизлучения, наблюдавшегося в гетероструктуре GaAs/AlGaAs, электроны и дырки образуют нестационарный когерентный ансамбль, по свойствам похожий на ансамбль куперовских пар в сверхпроводнике. (ФИАН)

В слое n-GaAs обнаружено и объяснено рекордно большое (300 нс) время спиновой релаксации электронов, локализованных на донорах. Найден способ оптического управления этим временем в пределах двух порядков величины, что важно для новой области – спинтроники. (ФТИ РАН)

Обнаружены и объяснены циркулярный фотогальванический и спин-гальванический эффекты, возникающие в низкоразмерных полупроводниковых структурах при оптической ориентации носителей, но не связанные с пространственной неоднородностью в плоскости интерфейса. (ФТИ РАН)

Разработаны оптические методы изучения фотоэлектрических свойств широкозонных полупроводников, основанные на возбуждении динамических решеток пространственного заряда в фоточувствительных средах и регистрации индуцированного нестационарного фототока при разных температурах и электрических полях. (ФТИ РАН)

При комнатной температуре получена фотолюминесценция в области 1,5 мкм в одно- и многослойных гетероструктурах с GeSi-наноостровками. Предложен и подтвержден экспериментально механизм, объясняющий фотолюминесценцию наноостровков GeSi. (ИФМ РАН)

Разработаны для ближней ИК области Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge, имеющие, по сравнению с аналогами, самую низкую величину темнового тока, а квантовую эффективность, близкую к достигнутой в фотоприемниках на основе напряженных многослойных сверхрешеток Ge/Si. (ИФП СО РАН)

Методом химических транспортных реакций получены гетероэпитаксиальные структуры n-ZnO/p-GaN/-Al₂O₃ для оптоэлектроники в сине-голубой области спектра. Получен p-n переход с коэффициентом выпрямления 100, изучены излучательные характеристики. (ИФ ДНЦ РАН)

Обнаружены пиннинг и расталкивание термов при диамагнитном сдвиге в двумерной электронной системе дельта-легированного слоя, расположенного вблизи поверхности GaAs. Эффект интерпретируется как проявление резонансного межподзонного полярона. (ИРЭ РАН, Международная лаборатория сильных магнитных полей, Польша)

В бесщелевом полупроводнике HgSe с примесью Fe подтверждено существование резонансных донорных состояний на ионах Fe³⁺, которым отвечает неизвестная ранее электронная структура примеси. Результаты объяснены в рамках теории резонансного рассеяния электронов. (ИФМ УрО РАН)

В сверхвысоком вакууме на кремниевой подложке сформирована упорядоченная система из кластеров кремния и индия (11 атомов), которая после замены в кластере двух атомов кремния на два атома индия обладает металлической проводимостью. (ИАПУ ДВО РАН)

Реализована схема одноэлектронного транзистора на одиночной кластерной молекуле, который действует при комнатной температуре и имеет рекордные электрометрические характеристиками. (ИРЭ РАН, МГУ, ИОНХ РАН)

В кремниевых МДП-структурах при 0.1-1К измеренная скорость передачи энергии фононам указывает на роль в механизме электрон-фононной связи не деформационного потенциала, а пъезосвязи, которая отсутствует в объемном кремнии. (ФИАН)

На основе органических молекулярных кристаллов рубрена разработан метод изготовления полевых МДП-структур с воспроизводимыми характеристиками, что является важным шагом на пути создания 2D систем с экстремально сильными межэлектронными корреляциями. (ФИАН)

Впервые с помощью компьютерных программ генерированы, охарактеризованы точечными группами симметрии и изображены в проекциях Шлегеля все 5770 комбинаторных типов фуллеренов серии С₂₀–С₆₀ , что является фундаментальной основой анализа их стабильности и может быть использовано при создании наноструктур и новых материалов. (ГИ КНЦ РАН)

На основе трековых мембран выращены каталитически активные системы никелевых острий, использование которых в качестве электродов в 2-8 раз интенсифицирует синтез водорода в процессе электролиза воды. (ИКАН)

Создана технология компенсации внутренних напряжений Mo/Si-многослойных зеркал в сотню раз без уменьшения отражательной способности, что позволило реализовать способ реставрации дорогостоящих асферических подложек для многослойных элементов. (ИФМ РАН)

Разработана методика выращивания нанослоев переходных металлов на с-Si без области перемешивания на границе раздела, позволившая получить нанослои Cr и Со толщиной 0,3-1,0 нм с удельным сопротивлением, характерным для массивных образцов. (ИАПУ ДВО РАН)