Опытно-промышленная эпитаксия кремния: теория и эксперимент

В данной работе предприняты детальные исследования процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния в хлоридных и гидридном CVD процессах и быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением (свет ртутной или ксеноновой ламп). Развитая теория применима и к лазерно-химическим методам осаждения эпитаксиальных слоев. Новая теоретическая модель позволяет эффективно моделировать процессы роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния. Расчетные и экспериментальные значения зависимостей скоростей роста V_p (х), толщин наращиваемых слоев d_p(х) и их уровней легирования N_p(х) от основных технологических параметров процесса и параметров реактора и времен нарастания (спадания) теплового импульса удовлетворительно согласуются между собой. Это позволяет на основании задаваемых

параметров процесса и реактора оценивать теоретически значения величин V_p(х), d_p(х) и N_p(х), что имеет важное практическое значение в технологии получения эпитаксиальных слоев кремния. Особо следует отметить важность полученных результатов для различных импульсных технологий (например, лазерно-химический и фото-термический методы) осаждения и легирования эпитаксиальных слоев кремния — так называемых технологий XXI века.

1. 
   Прокопьев Е. П., Кузнецов Ю. Н., Бычков Ю. А. Математическое описание процесса эпитаксиального роста кремния. I. Общая постановка задачи оптимизации реакторов эпитаксиального роста. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1972, вып. 5, с. 58—63.
   
2. 
   Математическое описание процесса эпитаксиального роста кремния. П. Аналитические выражения функции скорости роста в изотермических условиях./ Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, Ю.А.Бычков, Э. А. Кочина. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1972, вып. 7, с. 44—52.
   
3. 
   Математическое описание процесса эпитаксиального роста кремния. III. Нестационарный процесс роста / Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, Ю. А. Бычков и др. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1973, вып. 1, с. 44—50.
   
4. 
   Математическое описание процесса эпитаксиального роста кремния. IV. Учет продольной диффузии / Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, Ю. А. Бычков и др. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1973, вып. 2, с. 27—31.
   
5. 
   Математическое описание процесса эпитаксиального роста кремния. V. Исследование процесса эпитаксиального роста в цилиндрическом кольцевом канале переменного сечения. / Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, Ю. А. Бычков, и др. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1973, вып. 3, с. 43—51.
   
6. 
   Прокопьев Е, П., Бирюков В. М., Кузнецов Ю. Н. Простая аналитическая модель эпитаксиального наращивания кремния в открытом тетрахлоридном процессе. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1973, вып. 7, с. 64—70.
   
7. 
   О режимах эпитаксиального роста кремния из парогазовой фазы. / Е. П. Прокопьев, В. М. Бирюков, Ю. Н. Кузнецов, A.В. Родионов. — Теоретические основы химической технологии, 1975, т. 9, № 2, с. 448—452.
   
8. 
   Элементарная теория роста и легирования эпитаксиальных пленок кремния в вертикальном реакторе. / Е.П. Прокопьев, B.Ф. Афанасович, В.М. Бирюков и др. — В кн.: Тезисы докладов "V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пластин". — Новосибирск: Изд-во ИНХ СО АН СССР, 1978, с. 29.
   
9. 
   Прокопьев Е. П., Кузнецов Ю. Н., Шачнев В. И. Оценка чувствительностей функции скорости роста G(x) и функции распределения легирующих добавок N(x) для хлоридного процесса в вертикальном реакторе. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1973, вып. 8, с. 25—31.
   
10. 
    Определение оптимальных условий роста и легирования кремния в гидридном эпитаксиальном процессе. / Е. П. Прокопьев, В. Ф. Афанасович, В. И. Шачнев и др. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1974, вып. 1, с. 34—41
    
11. 
    Прокопьев Е. П., Кузнецов Ю. Н. О возможности проведения вакуумной эпитаксии кремния в космическом пространстве. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1972, вып. 1, с. 53—61.
    
12. 
    Прокопьев Е. П., Кузнецов Ю. Н. О феноменологической теории процессов наращивания полупроводниковых материалов. — Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1974, вып. 2, с.. 43—47.
    
13. 
    Основы теории роста и легирования эпитаксиальных пленок кремния в открытом тетрахлоридном процессе. / Е. П Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, В. И. Шачнев, А. Г. Усков. — Журнал физической химии, 1976, т. 50, № 7, с. 2941—2946.
    
14. 
    Рост и легирование эпитаксиальных слоев кремния в открытом тетрахлоридном процессе для случая вертикального реактора с цилиндрическим пьедесталом. / Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, В. М. Бирюков, А. А. Костромин. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1977. вып. 2, с. 62—74.
    
15. 
    Прокопьев Е. П. О режимах протекания процессов роста и легирования эпитаксиальных пленок кремния в открытом тетрахлоридном процессе. — В кн.: Тезисы докладов "III Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов". — М.: Наука, 1975, с. 81.
    
16. 
    Об аномалиях скорости эпитаксиального наращивания кремния в вертикальном реакторе. / Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, В. М. Бирюком, С В. Родионов. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1974, вып. 8, с. 52—57.
    
17. 
    Прокопьев Е. П. О процессах роста и легирования эпитаксиальных пленок кремния в открытом тетрахлоридном процессе. — Журнал прикладной химии, 1976, т. 49, № 7, с. 1924—1932.
    
18. 
    О взаимосвязи между статическими и аналитическими методами описания процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния. / Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, Ю. А. Бычков и др. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1977, вып. 8, с. 122—125.
    
19. 
    К теории роста и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников из парогазовой фазы в условиях микрогравитации. / А. Ю. Малинин, Е. П. Прокопьев, Е. В. Марков и др. — Программа и тезисы докладов "Совещание стран-участниц "Интеркосмос" по вопросам космической технологии". — М.: ИКИ АН СССР, 1978, с. 6.
    
20. 
    Гибридные модели процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников. / А. Ю. Малинин, Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов и др. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1976, вып. 10, с. 9—26.
    
21. 
    К вопросу проведения в космическом пространстве вакуумной эпитаксии элементарных полупроводников. / А. Ю. Малинин, Е. П. Прокопьев, Ю. Н. Кузнецов, В. Т. Хряпов. — В сб.: Получение и поведение материалов в космосе. — М.:Наука, 1973, с. 8—15.
    
22. 
    К теории процессов эпитаксиального роста и легирования слоев кремния в гидридном процессе при наличии гомогенного разложения моносилана в объеме газовой смеси в вертикальном реакторе. / Е. П. Прокопьев, В.Ф. Афанасович, Ю. Н. Кузнецов и др. — Журнал прикладной химии, 1979, т. 52, № 2, с. 512—516.
    
23. 
    Расчет устойчивости функций скорости роста G(x) и уровня легирования N(x) эпитаксиальных слоев кремния в гидридном процессе. / Е. П. Прокопьев, В. Ф. Афанасович, Ю. Н. Кузнецов и др. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-2369.
    
24. 
    Особенности процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния в гидридном процессе. /Ю.Н. Кузнецов, А. Ю. Малинин, Е. П. Прокопьев и др. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1978, вып. 2, с. 47—55.
    
25. 
    Основные критериальные зависимости для процессов эпитаксиального роста кремния из парогазовой фазы в условиях микрогравитации. / Ю. Н. Кузнецов, А. Ю. Малинин, Е. П. Прокопьев и др. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1978, вып. 6, с. 28—34.
    
26. 
    Прокопьев Е. П., Афанасович В. Ф. Бирюков В. М, и др. — В сб.: "Проблемы роста полупроводниковых кристаллов и пленок". — М.: ВИНИТИ, т. 1, per. № 158-80, т. 2, рег. № 159-80. — 565 с.
    
27. 
    Теория LPCVD метода наращивания поликристаллических слоев кремния. / А. Ю. Малинин, Ю. Н. Кузнецов, Е. П. Прокопьев, И. В. Коробов. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1979, вып. 2, с. 34—38.
    
28. 
    О возможности построения гибридной модели процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния в открытом тетрахлоридном процессе. / А. Ю. Малинин, Ю. Н. Кузнецов, Е. П. Прокопьев и др. — В кн.: Тезисы докладов "VIII Всесоюзной конференции по микроэлектронике". — М.: Ред.изд. отд. МИЭТ, 1978, с. 53.
    
29. 
    К теории роста и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников из парогазовой фазы в условиях микрогравитации. / А. Ю. Малинин, Е. П. Прокопьев, Е. В. Марков и др. — Физика и техника полупроводников, 1979, т. 13, № 7, с. 2075.
    
30. 
    Обзор теории роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния из парогазовой фазы в проточных системах. /А Ю. Малинин, В. А. Федоров, Е. П. Прокопьев и др. —Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-2621.
    
31. 
    Прокопьев Е. П. Особенности роста и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников в проточных системах.— В кн.: Тезисы докладов "IV Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов". — М.: Наука, 1979, с. 121.
    
32. 
    Прокопьев Е. П., Фокина Л. А. К теории процессов осаждения полупроводниковых и диэлектрических пленок в диффузионных печах при пониженных давлениях. I. Случай диффузионно-кинетического режима процессов. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1980, вып. 3, с. 53—57.
    
33. 
    Прокопьев Е. П. К теории процессов осаждения полупроводниковых и диэлектрических пленок в диффузионных печах при пониженных давлениях. II. Кинетический и диффузионный режимы процессов. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1980, вып. 5, с. 78—81.
    
34. 
    Прокопьев Е. П. К теории эпитаксиального роста кремния в открытом тетрахлоридном процессе, включающей процессы молекулярной диффузии и термодиффузии в стационарном пограничном слое. — Журнал прикладной химии, 1981, т. 54, №7, с. 1468—1473.
    
35. 
    Прокопьев Е П. Учет влияния термодиффузии при наращивании эпитаксиальных слоев кремния в гидридном процессе. Журнал прикладной химии, 1981, т. 54, № 7, с. 1599— 1601.
    
36. 
    Исследование процесса наращивания кремниевых эпитаксиальных слоев в гидридном процессе. / Е. П. Прокопьев, В. А. Тверсков, В. М. Суворов и др. — Журнал прикладной химии, 1981, т. 54, № 9 с. 1963—1968.
    
37. 
    Исследование процесса наращивания эпитаксиальных слоев кремния в открытом тетрахлоридном процессе. / Е. П. Прокопьев, И. В. Коробов, А. А. Костромин и др.— Журнал прикладной химии, 1981, т. 54, № 9, с. 2133—2137.
    
38. 
    Прокопьев Е. П. Эффузия и космическое электронное материаловедение. — Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1981, вып. 1, с. 3—5.
    
39. 
    Прокопьев Е. П. Об использовании вакуума космического пространства в процессе осаждения слоев кремния на подложки в диффузионных печах. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника". Р-3050.
    
40. 
    Прокопьев Е. П. Об исследовании новых видов конвективных потоков в космическом электронном материаловедении — Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1981, вып. 1 с. 6—8.
    
41. 
    Прокопьев Е. П. Об исследовании новых видов конвективных потоков в условиях микрогравитации и их возможной роли в космическом электронном материаловедении. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-3291.
    
42. 
    Прокопьев Е. П. К вопросу теории автоэпитаксии кремния. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1981, вып. 5, с. 8—10.
    
43. 
    Прокопьев Е. П. Об учете вклада стефановского потока при автоэпитаксии кремнием в открытом тетрахлоридном процессе. — Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1981, вып. 2, с. 51—53.
    
44. 
    О газовой динамике наращивания эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH₄—SiCl₄—H₂ / Е. П. Прокопьев, В. А. Тверсков, В. М. Суворов, Л. А. Фокина. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1981, вып. 3, с. 30—33.
    
45. 
    Прокопьев Е. П., Фокина Л. А. Математическое описание процесса эпитаксиального роста кремния. VI. Учет вращения подложкодержателя (пирамиды). — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-3078.
    
46. 
    Прокопьев Е. П. О теории массопереноса в процессах роста полупроводниковых слоев. — Теоретические основы химической технологии, 1983, т. 17, № 5, с. 559—603.
    
47. 
    Исследование массопереноса в условиях микрогравитации в стационарном пограничном слое для процессов эпитаксиального роста полупроводниковых слоев. / Е. П. Прокопьев, В. М. Бирюков, Е.В. Марков и др. — Программа и тезисы докладов "XI Гагаринские чтения". — М.: МАИ, 1981, с. 5.
    
48. 
    Исследование процесса наращивания эпитаксиальных слоев кремния в дихлорсилановом процессе. / Е П. Прокопьев, В. Б. Петров, В. М. Суворов и др. — Журнал прикладной химии. 1983, т. 56, № 2. с. 410—412.
    
49. 
    О газовой динамике наращивания эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH₄—SiCl₄—Н₂. П. Учет газофазного разложения моносилана. / Е. П. Прокопьев, В. М. Суворов, В. А. Тверсков, Л. А. Фокина. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1981, вып. 6, с. 42—45.
    
50. 
    Прокопьев Е. П., Кузнецов Ю. Н., Афанасович В. Ф. Анализ стабильности процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния в гидридном процессе. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-3534.
    
51. 
    Современное состояние технологии получения полупроводниковых материалов и перспективы ее развития в условиях космического пространства / А. Ю. Малинин, Ю. Н. Кузнецов, Е. П. Прокопьев и др. — Программа и тезисы докладов на научно-техническом семинаре "Проблемы космического производства и технологии". — Калининград, Моск. обл., 18—20апреля 1977. с. 10.
    
52. 
    Прокопьев Е. П. О газовой динамике наращивания эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH₄—SiCl₄—Н₂. III. Теория общего случая переходного режима процесса. — Электронная техника. Сер Материалы, 1981, вып. 7, с. 51—52.
    
53. 
    Особенности роста эпитаксиальных слоев кремния из дихлорсиланового процесса. / В. А. Тверсков, В. Б. Петров, Е. П. Прокопьев и др. — В сб. трудов Всесоюзного семинара "Применение эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых силовых приборов". — Элласте: Изд-во АН ЭССР, 1981, с. 6-10.
    
54. 
    Прокопьев Е. П., Тарасов В. Д., Хряпов В. Т. Анализ массопереноса в условиях микрогравитации в стационарном пограничном слое для процессов эпитаксиального роста полупроводниковых слоев. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1982, вып. 1, с. 29—31.
    
55. 
    О газовой динамике наращивания эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH₄—SiCl₄—H₂ IV. Оптимизация процесса. / Е. П. Прокопьев, Ю. А Емельянов, В. А. Тверсков, В.М.Суворов. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1981, вып. 8, с. 38—40.
    
56. 
    Прокопьев Е. П., Костромин А. А., Русаков П. В. Об учете вклада естественной конвекции в процессе наращивания эпитаксиальных слоев кремния в тетрахлоридном процессе. — Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1982, вып. 6, с. 86—37.
    
57. 
    Прокопьев Е. П. Роль диффузионных процессов в космическом материаловедении. — В кн.: "Научные чтения по авиации и космонавтике". — М.: Наука, 1980. с. 290.
    
58. 
    Особенности математического моделирования процессов роста и легирования монокристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводников из парогазовой фазы в условиях невесомости. — Программа и тезисы докладов "XVI научные чтения К. Э. Циолковского". — Калуга: ИИЕТ, 1981, с. 24.
    
59. 
    Прокопьев Е. П., Костромин А. А., Русаков П. В. К вопросу математического описания промышленных вертикальных реакторов наращивания эпитаксиальных слоев кремния. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1982, вып. 1, с. 41—43.
    
60. 
    Исследование процесса промышленной эпитаксии кремния в вертикальном цилиндрическом реакторе. / Е. Р. Прокопьев, А. А. Костромин, Ю. Д. Чистяков и др. — Электронная техника Сер. Материалы, 1982, вып. 2, с. 6—10.
    
61. 
    Теория поверхностных процессов, определяющих скорость роста эпитаксиальных слоев в системе SiH₄—Н₂ при пониженных давлениях. / В. А. Федоров, Е. П. Прокопьев, С. В. Петров. Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-3534.
    
62. 
    Анализ поверхностных реакций, определяющих скорости роста эпитаксиальных слоев кремния в системах SiH₄-SiСl₄—Н₂ и SiH₄—SiH₂Cl₂—Н₂. / В. А. Федоров, С. В. Петров, Е. П. Прокопьев и др. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-3534
    
63. 
    Прокопьев Е. П., Суворов В. М,, Тверсков В. А. О газовой динамике наращивания эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH₄—SiCl₄—H₂ V. Поверхностные реакции, определяющие ско­рость роста. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-3640.
    
64. 
    Прокопьев Е. П., Тверской В. Л. Исследование нестационарных процессов роста автоэпитаксиальных слоев кремния. — Журнал прикладной химии, 1983, т. 55, № 5, с. 1135—1136.
    
65. 
    Прокопьев Е. П. Химическая гидродинамика процесса роста эпитаксиальных слоев кремния. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1983, вып. 7, с. 70—71.
    
66. 
    Прокопьев Е. П., Тверсков В. А. Анализ гидродинамики диффузионной области процесса наращивания эпитаксиальных слоев кремния в вертикальных реакторах. — Журнал прикладной химии, 1985, т. 58, № 2, с. 455—457.
    
67. 
    Прокопьев Е. П. Исследование процесса наращивания эпитаксиальных слоев кремния в вертикальных реакторах — Теоретические основы химической технологии, 1986, т. 20, № 3, с. 698—701.
    
68. 
    Прокопьев Е. П. Особенности химической гидродинамики процесса наращивания эпитаксиальных слоев кремния в вертикальных реакторах. — Журнал прикладной химии, 1983, т. 56, № 7, с. 1636—1638.
    
69. 
    Прокопьев Е. П., Тарасов В. Д., Хряпов В. Г. Применение модели реактора идеального смешения Борескова-Слинько для расчета наращивания эпитаксиальных слоев кремния в условиях невесомости при пониженных давлениях. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1982, вып. 8, с. 21—24.
    
70. 
    Прокопьев Е. П., Тверсков В. А. Применение модели нестационарной диффузии Франк-Каменецкого к исследованию процесса роста автоэпитаксиальных слоев кремния. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1982, вып. 9, с. 33—35.
    
71. 
    Прокопьев Е, П. Исследование в области материаловедения Теория, методы исследований, применение. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-3870.
    
72. 
    Исследование поверхностных реакций, определяющих скорость роста эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH₄—SiH₂Cl₂—Н₂. / Е. П. Прокопьев, В. М. Суворов, С. В. Петров, Е. Н. Беляева. — Журнал прикладной химии, 1985, т. 58, № 5, с. 1057—1061.
    
73. 
    Прокопьев Е. П. Исследование гидродинамики процессов роста эпитаксиальных слоев кремния. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-4164.
    
74. 
    Прокопьев Е. П. К вопросу теории массопереноса в процессах автоэпитаксиального роста кремния для случая гидридного процесса в условиях газофазного разложения моносилана. — Журнал прикладной химии, 1986, т. 59, № 7, с. 659.
    
75. 
    Применение теории пограничного слоя Ландау для исследования химической гидродинамики процессов роста монокристаллов и пленок в условиях невесомости. / Е. П. Прокопьев, В. Т. Хряпов, Е. В. Марков и др. — В кн.: Тезисы докладов "III Всесоюзный семинар по проблемам гидродинамики и тепло -, массообмену в условиях невесомости". — М.: ИМП АН СССР, 1984, с. 67.
    
76. 
    Прокопьев Е. П., Хашимов Ф. Р. Математические модели процессов роста эпитаксиальных слоев кремния в промышленных тетрахлоридном и гидридном процессах. — В кн.: Тезисы докладов I Всесоюзной конференции "Физические методы исследования поверхности и диагностики материалов и элементов вычислительной техники на основе кремния". — Кишинев: Штиница, 1986, с. 61.
    
77. 
    Прокопьев Е. П. Исследование химической гидродинамики в эпитаксиальных реакторах. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-4321.
    
78. 
    Особенности математического моделирования процессов роста и легирования монокристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводников из парогазовой фазы в условиях невесомости. / Е. П. Прокопьев, Е. В. Марков, Е. Т. Соломин. — В кн.: К. Э. Циолковский и проблемы космического производства. — М.: ИИЕТАН СССР, 1982, с. 105—109.
    
79. 
    Прокопьев Е. П., Суворов В. М. Особенности процесса роста эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH₄—Н₂. при пониженном давлении. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1988, вып. 5, с. 40—43.
    
80. 
    Прокопьев Е. П., Суворов В. М, Тверсков В. А. О локальных характеристиках химической гидродинамики процесса роста эпитаксиальных слоев кремния в высокопроизводительных промышленных реакторах вертикального типа. — Электронная техника, 1985, вып. 12, с. 73—75.
    
81. 
    Прокопьев Е. П. О возможностях процесса парогазовой левитационной эпитаксии кремния. — Журнал прикладной химии, 1990, т. 63, N° 6, с. 1401—1403.
    
82. 
    Прокопьев Е. П. О возможной фрактальной структуре вихрей в эпитаксиальном реакторе наращивания полупроводниковых слоев. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1991, вып. 1, с. 60—61.
    
83. 
    Прокопьев Е. П. О процессах массопереноса и кинетики осаждения пленок кремния LICVD методом. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-5476.
    
84. 
    К вопросу теории массопереноса в процессах эпитаксиального роста полупроводниковых слоев. /Е. П. Прокопьев, В. С. Белоусов, С. В. Петров, В. М. Суворов. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-5476.
    
85. 
    Прокопьев Е. П. О гидродинамике процесса наращивания эпитаксиальных слоев полупроводников в вертикальном реакторе. —Журнал прикладной химии, 1992, т. 65, № 5, с. 1811—1812.
    
86. 
    Прокопьев Е. П., Стаценко В. Н., Зотов В. В. Особенности массопереноса в гидридном и хлоридных процессах наращивания слоев кремния при быстром импульсном нагреве подложек некогерентными источниками света. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-5490.
    
87. 
    Прокопьев Е. П., Зотов В. В., Стаценко В. Н. Модель нестационарной диффузионной кинетики роста слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах при быстром импульсном термическом нагреве. — Высокочистые вещества, 1993, № 5, с. 165—173.
    
88. 
    Прокопьев Е. П. Катализ германием роста слоев Ge_xSi_1-x в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-5482.
    
89. 
    Bloem J., Gilling L. J. Mechanism of the chemical vapour deposition. — In.: Current Topics in Material Science, v. 1, ed. by E. Kaldis North-Holl. Publ. Сотр., 1978, p. 147—342.
    
90. 
    Франк-Каменецкий Д. А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике. — М.: Наука, 1967, — 492 с.
    
91. 
    Van der Putte, Gilling L. J., Bloem J. Growth and Etching of silicon in chemical vapour deposition systems. — J. Crys. Growth. 1975, v. 31, № 1, p. 299—318.
    
92. 
    Новые исследования некоторых перспективных технологических процессов роста и легирования слоев кремния. /В. В. Зотов, С. В. Петров, Е. П. Прокопьев и др. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-5497.
    
93. 
    Прокопьев Е. П. Исследования в области электронного материаловедения и сложных систем. — Депонирована в ЦНИИ "Электроника", Р-5503.
    
94. 
    Bloem J, High chemical vapour deposition rates of epitaxial silicon layers. — J. Crys. Growth. 1973, v. 18, № 2, p. 1973—1981.
    
95. 
    Grove A, S. Physics and Technology of Semiconductor Divices. Wiley, 1967, p. 11.
    
96. 
    Farrow R. F. C. The kinetics of silicon deposition on silicon by pyrolysis of silane. — J. Electrochem. Soc, 1974, v. 121, № 2, p. 899—910.
    
    
    жүктеу/скачать 0.53 Mb.
    
    Достарыңызбен бөлісу: