181
Тоқтаусыз жұмыс істеу ықтималдылығы ± 1000
шамасының
салыстырмалы штаммы бар 200 000 жүктеме циклі үшін 0,98
құрайды.
Диффузияны
өлшеудің
əмбебап
құралы
ретінде
тензорезисторлар
белгілі
боуы
келесі
мүмкіндіктермен
түсіндіріледі: базалар өлшемі миллиметр үлестерінен басталатын
деформацияларды
өлшеу;
көп
нүктелердегі
дистанциялық
өлшеулер; өзін-өзі термоөтеу немесе автоматты схемалық өтем
кезінде температуралардың кең ауқымындағы өлшеулер; объектінің
күрделі кернеулі күйлерін өлшеу; қолайсыз сыртқы жағдайлар
кезіндегі (ылғалдылық, қысым жəне т.б.) өлшеулер.
Тіктөртбұрышты, розеткалы, мембраналық жəне КФ5
тізбекті
тензорезисторлар шығарылады.
Белгілену мысалдары: КФ5П1-3-400 Б12 — тензорезистор КФ5,
тікбұрышты, база — 3 мм, кедергі — 400 Ом, сапа тобы — Б, болат
үшін термоөтелген.
Сондай-ақ
теязодиодтар бар, олар қысым əсерінен вольт-
амперлік сипаттаманың өзгеру принципі бойынша жұмыс істейді.
Осындай өзгеріс деформация кезінде
р—л-ауысудағы потенциалды
кедергінің биіктігінің өзгеруімен байланысты. Тензодиодтардың
тензосезімталдық коэффициенті жүздеген жəне
тіпті мыңдаған
бірліктерге жетеді. Ол туннельді диодтарда одан да жоғары болуы
мүмкін.
Сондай-ақ,
тензотранзисторлар бар, оларда қысымның
əсерінен
вольт-амперлік
сипаттамасы
өзгереді.
Қысым
қолданылатын аймаққа қарай ағым өзгерген кезде өзгереді.
Басқарушы
р—
n-ауысуы бар бір ауыспалы транзистордың
тензосезімталдығы қарапайым
бір ауыспалы транзисторлан
бірқатар жоғары. Жиілікті шығысы бар қысым түрлендіргіші
ақпараттық сигналдың шудан қорғалғыштығына жəне өлшеу
дəлдігіне қойылатын жоғары талаптары бар құрылғылар жасау үшін
практикалық қызығушылық тудырады.
Достарыңызбен бөлісу: