169
11.5 -сурет.
Жазық
түзеткіш
диодтың
конструкциясы:
1 — шығыс;
2 — шыны төлке;
3 — жартылай
өткізгішті кристалл;
4 — сомын;
5 — шайба;
6
— негіз;
7 — металл корпус
балқыту немесе диффузия əдістері.
Балқыту әдісі кезінде донорлық
қоспасы
бар кристалл пластинасына
акцепторлық
қоспа
таблеткасын
салады, ол пеш қызғанда балқиды.
Балқыма ішінара кристаллға енеді жəне
кристалл массасымен шектелетін p-
типті аймақ түзеді.
Осы шекарада
p—n-ауысу түзіледі.
Диффузия әдісімен диодты дайындаған кезде донорлық қоспасы
бар кристалды акцептордың газды ортасына (акцепторлық қоспасы
бар кристалды - донордың газ ортасына) орналастырады жəне
белгіленген температурада ұзақ уақыт ұстайды. Балқыту əдісі
қоспаның концентрациясы
кенет өзгеретін p—n-ауысу алуға
мүмкіндік береді. Диффузия əдісінде
p—n-ауысу аймағындағы
қоспаның атомдарының концентрациясы біртіндеп өзгереді..
Диодтың негізгі сипаттамасы (11.2, б-суретті қараңыз) оның
вольт-амперлік
сипаттамасы болып табылады, оның түрі
p—n-
ауысудың сипаттамасына сəйкес келеді.
Айнымалы тоқты түзетуге арналған жартылай өткізгішті
диодтар
түзеткіш деп аталады.
Жартылай өткізгіш диодтар радиоэлектроника, автоматика жəне
есептегіш
техника
құрылғыларында,
күштік
(теориялық)
түрлендіргіш техникада кеңінен қолданылады. Жоғары қуатты
диодтар тартқыш электр қозғалтқыштарды, станок жетектерін жəне
механизмдерде қолданылады.
Достарыңызбен бөлісу: