Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»
жүктеу/скачать 5.26 Mb. Pdf көрінісі
|
- Бұл бет үшін навигация:
- 11.9 -сурет.
| 11.8 -сурет.
n—р—n-типті транзисторды қосу схемалары: а — жалпы базамен ЖБ; б — жалпы эмиттермн ЖЭ; в — жалпы коллектормен ЖК Қандай электрод жалпы болуына байланысты, транзисторды қосудың үш схемасы бар: жалпы базамен ЖБ, жалпы эмиттермен ЖЭ жəне жалпы коллектормен ЖК (11.8-сурет). Кез-келген қосылу схемасында əр тізбекте тұрақты тоқ қуат көзінің плюс жағынан транзистордың тиісті аймақтары арқылы қуат көзінің минусына ауысады. Эмиттер көрсеткіші ол арқылы өтетін тоқтың бағытын көрсетеді. Барлық үш схемада транзистордың жұмыс принципі сақталып қалады, бірақ схемалардың қасиеттері əртүрлі; олар сондай-ақ сипаттамалары мен параметрлері бойынша ерекшеленеді. Кез келген қосылу схемасында екі тізбектің əрқайсысында екі электродтар арасындағы кернеу əрекет етеді жəне тоқ өтеді: кіріс тізбегінде — U кір жəне I кір , шығыс тізбегінде — U шығ жəне I шығ . Бұл электрлік шамалар транзистордың жұмыс режимін анықтайды жəне өзара бір-біріне əсер етеді. Транзистордың сипаттамалары осы шамалардың біреуінің өзгермейтін үшінші мəні кезінде екіншіден тəуелділігі болып табылады. Электрлік шамалардың біреуін тұрақты түрде ұстап тұру үшін, сипаттамаларды алатын схемаға тек қуат көздерін қосу керек; күшейтілетін тербелістердің жүктемесі мен көзі қосылмайды. Транзисторларды қолдану кезінде ең маңызды сипаттамалардың екі түрі бар: кіріс жəне шығыс. Кіріс сипаттама деп (11.9, а-сурет) кіріс тоғының кіріс кернеуіне тұрақты шығыс кернеуі кезінде тəуелділігін айтады: I кір = f(U кір ) қайда U шығ = const 174 11.9 -сурет. ЖБ бар схемадағы биполярлық транзистордың сипаттамалары: а — кіріс сипаттамалар: 1 — U K = 0; 2 — U K = -5 В; 3 — U K = -10 В; б — шығыс сипаттамалар: 1 — 1 Э = 0; 2 — 1 Э = 1 мА; 3 — 1 Э = 2 мА; 4 — 1 Э = 3 мА Ш ЫҒЫС сипаттама (11.9, б-сурет) деп шығыс тоғының шығыс кернеуіне тұрақты кіріс тоғы кезінде тəуелділігін айтады: I шығ = f(U шығ ) қайда U кір = const . Биполярлық транзисторлар жасалатын материалы; базалық аймақтағы негізгі емес тасығыштардың қозғалыс тəсілі; қуаты мен жиілігі; мақсаты; жасалу тəсілі бойынша жіктеледі. Транзисторлардың маңызды кемшіліктерінің бірі олардың параметрлері мен сипаттамаларының салыстырмалы жоғары тұрақсыздығы болып табылады. Тұрақсыздықтың себептері мынадай: бір типті транзисторларды дайындау процесінде параметрлердің таралуы, қоршаған орта температурасының əсері, транзисторлар уақыт өткен сайын тозу кезінде параметрлердің өзгеруі. Электрондық-вакуумдық құрылғыларды ауыстыру кезінде транзисторлар экономикалық жағынан тиімді болды; оларды қолдану электроникадағы бірқатар мəселелерді шешуге мүмкіндік берді. Биполярлық транзисторлар күшейткіштер мен генераторлардың əртүрлі түрлерінде, сымдық байланыс жəне радиобайланыс, телевизия жəне радиолокация, радио навигация, автоматтандыру жəне телемеханика, компьютерлік жəне өлшеу жабдықтары кеңінен қолданылады. Биполярлық транзисторлардың міндетіне байланысты оларға əртүрлі техникалық талаптар қойылады. Қазіргі халық шаруашылығының барлық салалары сұрыпталымды үнемі кеңейтуді жəне жартылай өткізгіш аспаптар санын көбейтуді талап етеді. жүктеу/скачать 5.26 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|