Практикум содержит 4 лабораторные работы. Аудиторная (установочная) часть каждой
Что должно быть отражено в отчете по заданиям 2 и 3
жүктеу/скачать 1.43 Mb. Pdf көрінісі
|
| Что должно быть отражено в отчете по заданиям 2 и 3
1. Графики ВАХ для заданной модели диода в линейном и логарифмическом масштабе. 2. Параметры аналитического выражения прямой ветви ВАХ диода, включая оценку величины коэффициента, характеризующего неидеальность p-n перехода. 3. Температурный коэффициент напряжения на прямо-смещенном p-n переходе диода. 4. Величина дифференциального сопротивления диода при токе 1 мА. 5. Напряжение лавинного или туннельного (Зенеровского) пробоя диода при выбранной величине начального тока пробоя. Можно, например, выбрать величину начального тока пробоя равную значению параметра SPICE модели. 6. Температурный коэффициент напряжения пробоя. 7. Дифференциальное сопротивление диода в области пробоя. 9 Задание 4. Построение выходных ВАХ биполярного транзистора Схема включения биполярного транзистора, используемая для построения его выходных ВАХ, приведена на рис. 9. Выбрана модель широко применяемого n-p-n транзистора 2N2222. Напряжение коллектор-эмиттер задается универсальным источником напряжения Vce, а ток базы – универсальным источником тока Ib. Кнопки для быстрого обращения к этим часто используемым элементам есть в главном меню схемного редактора. Их можно также найти в меню Components. Q1 2N2222 Vce DC 5 Ib DC 1m Рис. 9. Схема для построения выходных ВАХ биполярного транзистора Вид диалогового окна задания параметров анализа показан на рис. 10. Первая переменная (Х- переменная) это напряжение коллектор-эмиттер Vce. Для нее выбран линейный закон изменения. Результат (Y-переменная) – ток коллектора транзистора IC(Q1). Параметром является ток базы IB. Это 2-я переменная. Она задается списком (List). Для большей наглядности режим автоматического масштабирования графика выключен. Масштабы задаются вручную, установкой нужных значений в колонках X Range и Y Range таблицы задания параметров графика. Рис. 10. Вид окна для задания параметров построения выходных характеристик транзистора Вид выходных характеристик транзистора при комнатной температуре показан на рис. 11. По этим диаграммам можно определить статические значения коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером (В СТ ), а также напряжение насыщения транзистора V КЭ нас . Для определения величины напряжения Эрли (V A ) графическим способом необходимо построить выходные характеристики в другом масштабе (рис. 12 и 13). На графике рис. 13 для проведения прямых линий используются встроенные графические средства Micro-CAP. Кнопка Graphics для вызова списка графических примитивов – вторая слева в главном меню графического окна. Аналогично строятся передаточные ВАХ – зависимости I К (V КБ ) при заданных значениях V КЭ . 10 0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 1.80 2.00 0.00m 20.00m 40.00m 60.00m 80.00m 100.00m IC(Q1) (A) V(VCE) Micro-Cap 11 Evaluation Version circuit1.cir IB=0.0005...0.001 Рис. 11. Вид выходных характеристик транзистора при токах базы 500 мкА (нижняя кривая), 750 мкА (средняя кривая) и 1 мА (верхняя кривая). Температура 27°С. Рис. 12. Вид окна задания параметров графика для определения напряжения Эрли -105.00 -95.00 -90.00 -85.00 -80.00 -75.00 -70.00 -65.00 -60.00 -55.00 -50.00 -45.00 -40.00 -35.00 -30.00 -25.00 -20.00 -15.00 -10.00 -5.00 0.00 5.00 10.00 15.00 0.00m 20.00m 40.00m 60.00m 80.00m 100.00m IC(Q1) (A) V(VCE) Micro-Cap 11 Evaluation Version circuit1.cir IB=0.0005...0.001 Рис. 13. График для определения напряжения Эрли 11 Следует отметить, что выходные ВАХ современных высокочастотных кремний-германиевых биполярных транзисторов с поликремниевыми эмиттерами, реализуемых по технологии с супер- совмещением (SST), не имеют явно выраженных линейных участков в области насыщения коллекторного тока, а если эти участки аппроксимировать прямыми линиями, то они не пересекутся в одной точке. Поэтому такой параметр, как напряжение Эрли для них не определен. жүктеу/скачать 1.43 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|