Размер и масса атома
Принцип действия полупроводниковых детекторов?
жүктеу/скачать 106.98 Kb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Электрические свойства полупроводников
- Образование и свойства p-n перехода
| Принцип действия полупроводниковых детекторов?
Полупроводниковые детекторы работают на основе того факта, что полупроводники имеют различные электрические свойства при облучении ионизирующим излучением. Когда излучение сталкивается с полупроводниковым детектором, оно создает электроны и дырки в полупроводнике. Затем эти заряженные частицы притягиваются к электрическому полю, создаваемому внутри детектора, и создают электрический сигнал, который можно измерить. Этот сигнал потом обрабатывается электроникой детектора, что позволяет определить тип и интенсивность излучения. Электрические свойства полупроводников? Полупроводники обладают различными электрическими свойствами, которые делают их уникальными материалами для различных электронных устройств. Некоторые из основных электрических свойств полупроводников включают: Проводимость: Полупроводники могут проявлять как проводящие, так и диэлектрические свойства в зависимости от различных факторов, таких как примеси и температура. Полупроводимость: Полупроводники имеют меньшую электрическую проводимость по сравнению с металлами, но большую, чем у изоляторов. Полупроводниковый переход: Полупроводники имеют способность образовывать полупроводниковые переходы, такие как p-n переходы, которые обеспечивают управляемое прохождение тока в одном направлении. Электронные и дырочные носители заряда: В полупроводниках существуют как электроны, так и "дырки" - отсутствие электрона в атомной структуре, что позволяет проводить электрический ток. Эти свойства позволяют полупроводникам быть основой для создания различных электронных устройств, таких как диоды, транзисторы, сенсоры и другие полупроводниковые приборы. Образование и свойства p-n перехода? P-N переход - это переход между полупроводниковыми материалами с разным типом проводимости (n-типа и p-типа). P-типовый материал обладает избытком дырок и положительным зарядом, в то время как n-типовый материал содержит избыток электронов и отрицательный заряд. Свойства p-n перехода включают: Диодное свойство: p-n переход имеет способность пропускать электрический ток в одном направлении (прямое напряжение), но блокировать его в другом направлении (обратное напряжение). Это делает p-n переход основным элементом в электронике, так как он используется в диодах. Электронно-дырочная рекомбинация: при встрече электронов из n-типового материала и дырок из p-типового материала происходит рекомбинация, в результате которой высвобождается энергия в виде фотона. Это можно использовать в светодиодах для генерации света. Капацитивность: p-n переход обладает электрической емкостью, что позволяет использовать его в качестве диэлектрического слоя в полупроводниковых устройствах. Образование p-n перехода происходит путем диффузии примесей с разным типом проводимости в полупроводнике. При этом образуются переходные зоны, где нейтрален заряд и происходит формирование p-n перехода. жүктеу/скачать 106.98 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|