на к-рые можно разбить однородное тв. тело, — прямоугольный параллелепипед abcd превращается в косоугольный abc1d1. Перемещение d1d наз. абсолютным С. грани dc относительно грани ad; угол наз.
углом С., а tg — относительным С. Ввиду малости можно считать tg=. Если по граням параллелепипеда действуют только касат. напряжения т, С. наз. чистым. В пределах упругости для изотропного материала относит. С. связан с Гука законом: =С, где G — модуль С. для данного материала (см. Модули упругости). На практике С. часто сопутствует растяжению и сжатию, когда одновременно с нормальными возникают и касат. напряжения.
и Р. Ризерфорд методом радиоспектроскопии измерили расщепление вырожденных уровней 2S1/2 (n=2, l=0, f =1/2) и 2P1/2 (n=2, l=1, j=1/2) в атоме водорода — т. н. л э м б о в с к и й сдвиг. Эксперим. значение этой величины (в ед. частоты =ξ/h) ξL= 1057,86(2) МГц. Теоретически лэмбовский сдвиг объяснён и вычислен в рамках квант. электродинамики. Осн. вклад дают два радиац. эффекта (радиационные поправки): 1) испускание и поглощение связ. эл-ном виртуальных фотонов (см. Виртуальные частицы), что приводит к изменению эфф. массы эл-на и возникновению у него аномального магн. момента; 2) возможность виртуального рождения и аннигиляции в вакууме электрон-позитронных пар (поляризация вакуума), что искажает кулоновский потенциал ядра на расстояниях порядка комптоноеской длины волны эл-на (~10-11 см). Найден также вклад эффектов движения и структуры ядра атома водорода (протона). Совр. теор. значение лэмбовского сдвига в атоме водорода ξтеорL=1057,87(2) МГц полностью согласуется с экспериментальным, что блестяще подтверждает осн. положения квант. электродинамики. Хорошо согласуются измеренные и вычисленные сдвиги др. уровней, а также в др. водородоподобных атомах (D, Не+ и т. п.).
Р. Н. Фаустов.
• См. лит. при ст. Упругие волны.
в электромеханич. преобразователях. Применение ограничено из-за высокой гигроскопичности и хрупкости.
• Фридкин В. М., Сегнетоэлектрики — полупроводники, М., 1976; его же, Фотосегнетоэлектрики, М., 1979.
Примерами С. явл. кристаллы KH3(SeO3)2 (темп-ра перехода в сегнетоэластич. состояние Tc=-61,6°С) и КО3(SеO2)2(Tс=+24°С); Nb3Sn и V3Si, DyVO4 и TbVO4, RbMnCl3. Нек-рые С. одновременно являются сегнетоэлектриками. С. перспективны для акустоэлектрич. и акустооптич. устройств (см. Акустозлектроника, Акустооптика].
Н. Р. Иванов.
Особенность С. состоит в сравнительно лёгком изменении величины P под влиянием электрич. полей, упругих напряжений, изменения темп-ры и др. (см. табл.).
Обычно С. не явл. однородно поляризованными, а состоят из доменов — областей с разл. направлениями поляризации (рис. 1). В результате суммарный электрич. дипольный момент образца практически отсутствует.
Рис. 1. Схематич. изображение доменов тетрагональной модификации ВаТiO3.,; стрелки и знаки (•) и (+) указывают на направление вектора Р.
Равновесная доменная структура С. отвечает минимуму свободной энергии кристалла. В идеальном кристалле она определяется балансом между уменьшением при образовании доменов энергии за счёт электростатич. вз-ствия разл. частей кристалла и увеличением энергии доменных границ. Доменная структура реального кристалла определяется природой и характером распределения его дефектов, а также историей образца. Число различных доменов, взаимная ориентация их спонтанной поляризации зависят от симметрии кристалла.
Под действием электрич. поля ξ доменные границы смещаются так, что объёмы доменов, поляризованных по полю, увеличиваются за счёт доменов, поляризованных против поля. В реальных кристаллах доменные границы обычно «закреплены» на дефектах и неоднородностях, и необходимы достаточно сильные электрич. поля, чтобы их перемещать по образцу. В сильном поле крист. образец становится однодоменным. После
выключения поля в течение длительного времени образец остаётся поляризованным. Для того чтобы суммарные объёмы доменов противоположного знака сравнялись, необходимо приложить достаточно сильное поле противоположного направления (коэрцитивное поле). Зависимость поляризации Р от напряжённости электрич. поля Е нелинейна и имеет вид петли гистерезиса.
Резкое изменение поляризации образца под действием электрич. поля за счёт смещения доменных границ обусловливает большую величину диэлектрич. проницаемости 8 многодомённого С. Значение тем больше, чем слабее закреплены доменные границы на дефектах и на поверхности кристалла. Величина 8 в С. существенно зависит от напряжённости электрич. поля. Все С. в полярной фазе — пьезоэлектрики, причём их пьезоэлектрич. константы велики из-за больших . Пироэлектрич. постоянные С. также велики из-за сильной зависимости Р(Т).
с для фазовых переходов первого рода.
Переход в полярную фазу может быть вызван либо смещением ионов (рис. 3), приводящим к изменению структур, либо упорядочением ориентации электрич. диполей, существовавших и в неполярной фазе. В нек-рых С. поляризация может возникать как вторичный эффект, сопровождающий перестройку структуры кристалла, не
Рис. 3. Элементарная ячейка сегнетоэлектрика в полярной фазе (а, б) и в неполярной фазе (в); стрелки указывают направление спонтанной поляризации.
связанную непосредственно с поляризацией. В таких С., наз. несобственными (напр., молибдат гадолиния), слабо зависит от T и в точке фазового перехода невелико.
Вблизи точки фазового перехода наблюдаются изменения в фононном спектре кристалла. Во многих кристаллах частота одного из оптич. колебаний крист. решётки существенно уменьшается при приближении к Tc, особенно, если это фазовый переход второго рода.
Сегнетоэлектрич. материалы (монокристаллы, керамика, плёнки) широко применяются в качестве материалов с большими значениями (конденсаторы) и пьезоэлектрич. констант (см. Пьезоэлектрические материалы). Резкое изменение проводимости вблизи фазового перехода в нек-рых С. используется для контроля и измерения темп-ры. Большая величина пироэлектрич. констант позволяет использовать С. в детекторах эл.-магн. волн (от видимого диапазона до субмиллиметрового). Благодаря сильной зависимости от Е С. используют в нелинейных конденсаторах (в а р и к о н д а х). Зависимость показателя преломления n от Е обусловливает использование С. в качестве электрооптич. материалов.
• Иона Ф., Ширане Д., Сегнетоэлектрические кристаллы, пер. с англ., М., 1965; Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, Л., 1971; Ж е л у д е в И. С., Основы сегнетоэлектричества, М., 1973; Б л и н ц Р., Ж е к ш Б., Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, пер. с англ., М., 1975; Л а й н с М., Г л а с с Д., Сегнетоэлектрики и родственные им материалы, пер. с англ., М., 1981; С т р у к о в Б. А., Сегнетоэлектричество, М., 1979.
А. П. Лееанюк.
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГИСТЕРЕЗИС, см. Гистерезис.
СЕКТОРНАЯ СКОРОСТЬ, величина, характеризующая скорость возрастания площади, к-рую ометает радиус-вектор r движущейся точки, проведённый в эту точку из нек-рого фиксированного центра О. Если за элементарный промежуток времени dt площадь получает приращение da (рис.), то численно С. с. v=d/dt.
Co скоростью точки v С. с. связана соотношением v=vh/2, где h — длина перпендикуляра, опущенного из центра О на направление вектора v, т. е. С. с. равна 1/2 момента вектора скорости относительно центра О. С. с. можно представить в виде вектора v=[rv]/2. Производная от С. с. по времени наз. секторным ускорением точки w= [rw]/2, где w — ускорение точки.
Понятие «С. с.» играет важную роль при изучении движения под действием центральной силы, напр. силы тяготения; в этом случае С. с. остаётся величиной постоянной, что имеет место, напр., при движении планет (2-й закон Кеплера), искусств. спутников Земли (если силу тяготения считать направленной к её центру) и косм. летат. аппаратов. При движении точки по плоской кривой v=1/2r2d/dt, где r и — полярные координаты точки.
СЕКУНДА [от лат. secunda divisio — второе деление (первоначально градуса, а затем и часа)] (с, s), 1) единица времени СИ. Различают атомную С., воспроизводимую цезиевыми эталонами частоты и времени, и эфемеридную С., размер к-рой связан с периодом обращения Земли вокруг Солнца (определяется на основании астр. наблюдений). 1с равна 9192631770 периодам излучения, соответствующего энергетич. переходу между двумя уровнями сверхтонкой структуры осн. состояния атома цезия 13355Cs (резолюция 13-й Генеральной конференции по мерам и весам, 1967). Гос. эталон времени и частоты СССР (включающий атомно-лучевую трубку с пучком атомов Cs и радиоустройство, дающее набор электрич. колебаний фиксированных частот) позволяет воспроизводить ед. времени и частоты с относит. погрешностью ±1•10-11.
За эфемеридную С. принята 1/31556925,9747 доля тропич. года. Оценки ат. времени и эфемеридного времени совпадают с точностью 2•10-9. 2) Звёздная С. равна 1/86400 звёздных суток, или 0,99726966 с. 3) Угловая С. (") — внесистемная единица плоского угла. 1"= (1/3600)°=4,848137•10-6 радиан.
СЕН-ВЕНАНА ПРИНЦИП в теории упругости, принцип, согласно к-рому уравновешенная система сил, приложенная к к.-л. части поверхности однородного упругого тела, вызывает в нём напряжения, очень быстро убывающие по мере удаления от этой части и на расстояниях, существенно превышающих наибольший линейный размер области приложения нагрузок, напряжения и деформации оказываются пренебрежимо малыми. Сформулирован франц. учёным А. Сен-Венаном (A. Saint- Venant) в 1855.
Согласно С.-В. п., если усилия, действующие на небольшую часть поверхности упругого тела, заменить др. статически эквивалентной системой усилий (т. е. системой, имеющей ту же равнодействующую и тот же момент), действующей на ту же часть поверхности тела, то изменение в напряжённом состоянии произойдёт лишь в непосредств. близости к области приложения нагрузки. Это позволяет одни граничные условия (действующие силы) заменять другими (напр., более удобными для статич. расчёта) при условии, что гл. вектор и гл. момент новой заданной системы сил сохраняют прежние значения (метод смягчения граничных условий). С.-В. п. применяется также при наличии упругопластич. деформаций.
СЕНСИБИЛИЗИРОВАННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, люминесценция, при к-рой энергия возбуждения поглощается одними атомами (молекулами, ионами) в-ва и передаётся другим ч-цам, к-рые затем люминесцируют. При С. л. большую роль играют процессы переноса энергии от поглощающих атомов к излучающим.
С. л. наблюдается как в газовых, так и в конденсированных средах. В последнем случае С. л. обусловлена введением в основное в-во помимо активаторов, являющихся центрами люминесценции, новых центров — сенсибилизаторов, что расширяет спектральную область поглощения люминофора. К С. л. можно отнести и процессы, при к-рых поглощение происходит в основном в-ве люминофора, а излучение — в примесных атомах или молекулах, получающих энергию от атомов основного в-ва. В этом случае, наряду с безызлучательным переносом энергии, она может передаваться в процессе рекомбинации разделённых зарядов (эл-нов и дырок) на примесных центрах. Интенсивность С. л.
675
выше, чем обычной люминесценции при одинаковом возбуждении.
О См. лит. при ст. Люминесценция.
М. Д. Галанин.
СЕРОЕ ТЕЛО, тело, поглощения коэффициент к-рого меньше 1 и не зависит от длины волны излучения и абс. темп-ры Т. Коэфф. поглощения ,T (наз. также коэфф. черноты С. т.) всех реальных тел зависит от (селективное поглощение) и Т, поэтому их можно считать серыми лишь в интервалах и Т, где ,T прибл. постоянен. В видимой области спектра св-вами С. т. обладают каменный уголь ,T =0,80 при 400—900 К), сажа ,T =0,94—0,96 при 370— 470 К); платиновая и висмутовая черни поглощают и излучают как С. т. в наиб. широком интервале — от видимого света до 25—30 мкм (,T=0,93—0,99).
С. т. явл. источником т. н. серого излучения — теплового излучения, одинакового по спектр. составу с излучением абсолютно чёрного тела, но отличающегося от него меньшей энергетич. яркостью. К серому излучению применимы законы излучения абсолютно чёрного тела — Планка закон излучения, Вина закон излучения, Рэлея — Джинса закон излучения. Понятие «С. т.» применяется в оптич. пирометрии.
СЕЧЕНИЕ (эффективное сечение), величина, характеризующая вероятность перехода системы двух сталкивающихся ч-ц в результате их рассеяния (упругого или неупругого) в определённое конечное состояние. С. равно отношению числа dN таких переходов в ед. времени к плотности nv потока рассеиваемых ч-ц, падающих на мишень, т. е. к числу ч-ц, проходящих в ед. времени через единичную площадку, перпендикулярную к их скорости v (n — плотность числа падающих ч-ц): a=dN/nv. Т. о., С. имеет размерность площади. Разл. типам переходов, наблюдаемых при рассеянии ч-ц, соответствуют разные С. Упругое рассеяние ч-ц характеризуют дифференциальным сечением d/d, равным отношению числа ч-ц, упруго рассеянных в ед. времени в ед. телесного угла, к потоку падающих ч-ц (d— элемент телесного угла), и полным сечением , равным интегралу дифф. сечения, взятому по полному телесному углу =4 стер. На рис. схематически изображён процесс упругого рассеяния точечных «классич.» ч-ц на шарике радиуса R0 с «абсолютно жёсткой» поверхностью; полное С. рассеяния равно геом. сечению шарика: =R20.
При наличии неупругих процессов полное С. складывается из С. упругих и неупругих процессов. Для более детальной хар-ки рассеяния вводят С. для отд. типов (каналов) неупругих
реакций. Для множественных процессов важное значение имеют т. н. инклюзивные сечения, описывающие вероятность появления в данном столкновении к.-л. определённой ч-цы или группы ч-ц.
Если вз-ствие между сталкивающимися ч-цами велико и быстро падает с увеличением расстояния, то С. по порядку величины, как правило, равно квадрату радиуса действия сил или геом. сечению системы (см. рис.);
Схема, поясняющая упругое рассеяние «классич.» ч-цы на «абсолютно твёрдом» шарике. Рассеянию на угол =- отвечает прицельный параметр =R0sin(/2)=R0cos(/2), а сечение d рассеяния в телесный угол d=2sind равно площади заштрихованного кольца: d=2d=(/2)R20sinid, т.е. дифф. сечение d/d=R20/4, а полное сечение упругого рассеяния равно геом. сечению шарика: =R20. При учёте квант. (волн.) св-в ч-ц сечение получается иным. В предельном случае >>R0 (=ћ/р — длина волны де Бройля ч-цы, р — её импульс) рассеяние сферически симметрично, а полное сечение в 4 раза больше классического: кв=4R20. При <0 рассеяние на конечные углы (0) напоминает классическое, однако под очень малыми углами ~/R0 происходит волновое «дифракц.» рассеяние с сечением R20; т. о., полное сечение с учётом дифракции вдвое больше классического: =2R20.
однако вследствие специфич. квантовомеханич. явлений С. могут существенно отличаться от этих значений (напр., в случаях резонансного рассеяния и Рамзауэра эффекта).
Эксперим. измерения С. рассеяния дают сведения о структуре сталкивающихся ч-ц. Так, измерения сечения упругого рассеяния -частиц атомами позволили открыть ат. ядро, а упругого рассеяния эл-нов нуклонами — определить радиусы нуклонов и распределение в них электрич. заряда и магн. момента (т. н. эл.-магн. формфакторы). Понятие «С.» используется также в кинетич. ур-ниях, описывающих неравновесные процессы в статистич. физике.
С. С. Герштейн.
СЖАТИЕ, см. Растяжение.
СЖИМАЕМОСТЬ, способность в-ва изменять свой объём под действием всестороннего давления. С. обладают все в-ва. Если в-во в процессе сжатия не испытывает хим., структурных и др. изменений, то при возвращении внеш. давления к исходному значению нач. объём восстанавливается. Именно обратимое изменение занимаемого в-вом объёма V под равномерным гидростатич. давлением р и наз. обычно С. (объёмной упругостью). Величину С. характеризует коэфф. С. , к-рый выражает уменьшение единичного объёма (или плотности ) тела при увеличении р на единицу: =-(1/V)(V/p)=1/(/p), где V и — изменения V и при изменении р на величину p. K=1/ — модуль объёмной упругости (модуль объёмного сжатия, объёмный модуль), для тв. тел К=EG/3(3G-E), где E - Юнга модуль, G — модуль сдвига. Для идеальных газов К=р при любой темп-ре Т. В общем случае С. в-ва, а следовательно, К и зависят от р и Т. Как правило, убывает при увеличении р и растёт с Т. Часто С. характеризуют относит. плотностью = /0, где 0 — плотность при T=0°С и р=1 атм.
Сжатие может происходить как при пост. Т (изотермически), так и с одноврем. разогревом сжимаемого тела (напр., в адиабатном процессе). В последнем случае значения К будут большими, чем при изотермич. сжатии (для большинства тв. тел при обычной Т — на неск. %).
Для оценки С. в-в в широком диапазоне р используют уравнения состояния, выражающие связь между р, V и Т. Определяют С. непосредственно по изменению V под давлением (см. Пьезометр), из акустич. измерений скорости распространения упругих волн в в-ве. Эксперименты в ударной волне позволяют установить зависимость между и р при макс. эксперим. полученных давлениях. С. находят также из измерений параметров крист. решётки под давлением, производимых методами рентгеновского структурного анализа. С. можно определить, измеряя линейную деформацию твёрдого тела под гидростатич. давлением (по т. н. линейной С.). Для изотропного тела коэфф.
линейной С. (1/L)(L/p) 1/3, где L — линейный размер тела.
С. газов, будучи очень большой при р<1 кбар, по мере приближения их плотности к плотности жидкостей становится близкой к С. жидкостей. Последняя с ростом р уменьшается сначала резко, а затем меняется весьма мало: в интервале 6—12 кбар уменьшается примерно так же, как в интервале от 1 атм (10-3 кбар) до 1 кбар (примерно в 2 раза), и при 10—12 кбар составляет 5—10% от начального значения. При 30—50 кбар модули К жидкостей по порядку величины близки к К твёрдых тел. Для твёрдых тел при 100 кбар /015—25%. Для отдельных в-в, напр. для щелочных металлов, /~40%, для большинства др. металлов — ~6—15%. Линейная С. анизотропных в-в зависит от кристаллографич. направлений (во всяком случае до давлений в десятки кбар), причём вдоль направлений со слабым меж-
676
атомным взаимодействием она может в 8—10 раз превосходить С. по направлениям, вдоль к-рых в крист. решётке имеет место более сильная связь; изменение параметра решётки в этих направлениях в определённом интервале р может быть даже положительным (теллур, селен). С.— важнейшая характеристика в-ва, к-рая позволяет судить о зависимости физ. «в-в от межатомных (межмолекулярных) расстояний.
Знание С. газов (паров), жидкостей и твёрдых тел необходимо для расчёта работы тепловых машин, химико-технологич. процессов, действия взрыва, аэро- и гидродинамич. эффектов, наблюдающихся при движении с большими скоростями, и т. д.
• Варгафтик Н. Б., Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей, 2 изд., М., 1972; Таблицы физических величин. Справочник, под ред. И. К. Кикоина, М., 1976. См. также лит. при ст. Давление высокое.
Л. Д. Лившиц.
СИЛА в механике, мера механич. действия на данное материальное тело других тел. Это действие вызывает изменение скоростей точек тела или его деформацию и может иметь место как при непосредств. контакте (давление прижатых друг к другу тел, трение), так и через посредство создаваемых телами полей (поле тяготения, электромагн. поле). С.— величина векторная и в каждый момент времени она характеризуется численным значением, направлением в пространстве и точкой приложения; сложение сил производится по правилу параллелограмма сил. Прямая, вдоль к-рой направлены С., наз. линией действия С. Если тело можно рассматривать как недеформируемое (абс. твёрдое), то С. можно считать приложенной и любой точке на её линии действия.
Измерение С. производят статич. или динамич. методами. Статич. метод основан на уравновешивании измеряемой С. другой, ранее известной. Динамич. метод основан на законе динамики mw=F, позволяющем, если известна масса m тела и измерено ускорение w его свободного поступат. движения относительно инерциальной системы отсчёта, найти силу F. Единицы измерения С.—1 ньютон (1 Н), равный С., к-рая сообщает массе в 1 кг ускорение 1 м/с2, а также 1 дин =10-5 Н и 1 кгс=9,81 Н.
С. М. Тарг.
СИЛА ЗВУКА, то же, что интенсивность звука.
СИЛА ИЗЛУЧЕНИЯ (энергетическая сила света), пространственно-угловая плотность потока излучения. Равна отношению потока излучения, распространяющегося от источника внутри телесного угла, к величине этого телесного угла. Единица измерения С. и.— Вт/ср. В системе световых величин аналогом С. и. явл. сила света.
Л. Н. Капорский.
СИЛА ИНЕРЦИИ, векторная величина, численно равная произведению массы m материальной точки на её ускорение w и направленная противоположно ускорению. При криволинейном движении С. и. можно разложить на касательную, или тангенциальную составляющую J, направленную противоположно касат. ускорению w , и на нормальную составляющую Jn, направленную вдоль нормали к траектории от центра кривизны; численно J=mw, Jn=mv2/, где v — скорость точки, — радиус кривизны траектории. При изучении движения по отношению к инерциальной системе отсчёта С. и. вводят для того, чтобы иметь формальную возможность составлять ур-ния динамики в форме более простых ур-ний статики (см. Д'Аламбера принцип). Понятие о С. и. вводится также при изучении относительного движения. В этом случае присоединение к действующим на материальную точку силам взаимодействия с др. телами С. и.— переносной Jпер и Кориолиса силы Jкор — позволяет составлять ур-ния движения этой точки в подвижной (неинерциальной) системе отсчёта так же, как и в инерциальной.
С. М. Тарг.
СИЛА СВЕТА, одна из осн. световых величин, характеризующая свечение источника видимого излучения в нек-ром направлении. Равна отношению светового потока, распространяющегося от источника внутри элем. телесного угла, содержащего данное направление, к этому телесному углу. Единица С. с. в Междунар. системе единиц (СИ) — кандела (кд). Понятие «С. с.» применимо на расстояниях от источника, намного превышающих его
размеры.
Д. Н. Лазарев.
СИЛА ТОКА, скалярная хар-ка электрического тока; равна отношению заряда q, переносимого через сечение проводника за интервал времени t, к этому интервалу: i=q/t. Единица С. т.— ампер. Для измерения С. т. используют амперметры.
СИЛА ТЯЖЕСТИ, сила Р, действующая на любую материальную частицу, находящуюся вблизи земной поверхности, и определяемая как геом. сумма силы притяжения Земли F (рис.) и переносной силы инерции Jпер, учитывающей эффект суточного вращения Земли (аналогично определяется понятие «С. т.» на др. небесных телах). В данной точке земной поверхности С. т. направлена вертикально, а перпендикулярная к ней плоскость является горизонт. плоскостью; углы и определяют соответственно геоцентрич. и астрономич. широты.
Величина Jпер=mh2 (где m — масса ч-цы, h — её расстояние от земной оси, — угловая скорость вращения Земли) ввиду малости 2 очень мала
по сравнению с F, поэтому С. т. мало отличается от силы притяжения Земли. При перемещении вдоль поверхности Земли от полюса к экватору значение С. т. несколько убывает вследствие возрастания Jпер и уменьшения F из-за несферичности Земли; на экваторе С. т. примерно на 0,5% меньше, чем на полюсе. Разность между углами и тоже невелика (наибольшая около 11' при =45°). Под действием С. т. ч-ца получает ускорение g=P/m, наз. ускорением силы тяжести, к-рое изменяется с широтой так же, как С. т. Вес тела численно равен С. т.
Во всех точках области, размеры к-рой малы по сравнению с радиусом Земли, С. т. можно считать равными и параллельными друг другу, т. е. образующими однородное силовое поле. Действие С. т. существенно влияет почти на все явления и процессы, происходящие на Земле как в природе (включая живую), так и в технике.
С. М. Тарг.
СИЛОВАЯ ОПТИКА, раздел оптики, в к-ром изучается воздействие на твёрдые среды интенсивных потоков оптического излучения (света), в результате к-рого может нарушаться механич. целостность этих сред. В оптотехнике под С. о. понимают оптич. устройства и системы, предназначенные для работы с интенсивными световыми потоками. С. о. развилась после появления лазеров в связи с использованием интенсивных световых потоков для оптич. обработки материалов, а также с необходимостью создания формирующих и передающих оптич. систем, к-рые не теряют работоспособности при большой плотности энергии излучения.
В С. о. исследуют процессы выделения энергии в прозрачных (слабопоглощающих), поглощающих и отражающих средах, подвергающихся действию интенсивных световых потоков, и результаты такого воздействия, а также определяют параметры излучения (плотность мощности, энергии, длительность), при к-рых происходит разрушение того или иного типа (оптический пробой, плавление, испарение, растрескивание). При этом существ. значение могут иметь изменения оптич. хар-к в-ва в процессе воздействия лазерного излучения (напр., коэфф. отражения и показателя поглощения, возникновения самофокусировки света, появление поглощения в продуктах световой эрозии в-ва и др.). Определённые т. о. параметры излучения и режим его воздействия на в-во кладут в основу разработки лазерных установок для оптич. обработки материалов (сварка и резка, получение микроотверстий, изготовление элементов микроэлектроники и т. д.). Для хар-ки работо-
677
способности прозрачных оптич. материалов (стёкол, кристаллов, покрытий и т. п.) и диэлектрич. зеркал вводят по аналогии с механич. или электрич. прочностью понятие лучевой прочности. Данные о лучевой прочности материалов и изготовляемых из них оптич. элементов используют при постройке лазерных систем разл. назначения.
9 Действие излучения большой мощности на металлы, под ред. А. М. Бонч-Бруевича и М. А. Ельяшевича, М., 1970; Алешин И. В., И м а с Я. А., Комолов В. П., Оптическая прочность слабопоглощающих материалов, Л., 1974; Р э д и Дж., Действие мощного лазерного излучения, пер. с англ., М., 1974.
А. М. Бонч-Бруевич.
СИЛОВОЕ ПОЛЕ, часть пространства (ограниченная или неограниченная), в каждой точке к-рой на помещённую туда материальную ч-цу действует сила, величина и направление к-рой зависят либо только от координат х, у, z этой точки, либо от координат и от времени t. В первом случае С., п. наз. стационарным, а во втором — нестационарным. Если сила во всех точках С. п. имеет одно и то же значение, т. е. не зависит от координат, то С. п. наз. однородным.
С. п., в к-ром работа сил поля, действующих на перемещающуюся в нём материальную ч-цу, зависит только от начального и конечного положения ч-цы и не зависит от вида её траектории, наз. потенциальным. Эту работу можно выразить через потенциальную энергию ч-цы П (х, у, z):
A=П(x1, y1, z1)-П(x2, y2, z2),
где x1, y1, z1 и х2, y2, z2 — координаты начального и конечного положений частицы соответственно. При движении ч-цы в потенциальном С. п. под действием только сил поля имеет место закон сохранения механич. энергии, позволяющий установить зависимость между скоростью ч-цы и её положением в С. п.
Примеры С. п.; поле тяготения, электромагнитное поле и др. См. Поля физические.
С. М. Тарг.
СИЛОВЫЕ ЛИНИИ, воображаемые линии, к-рые проводят для изображения к.-л. силового поля (электрич., магн., гравитац.). С. л. располагаются т. о., что касательные к ним в каждой точке пр-ва совпадают по направлению с вектором, характеризующим данное поле (напряжённостью электрич. или гравитац. полей, магн. индукцией). Т. к. напряжённости полей и магн. индукция — однозначные ф-ции координат точки пр-ва, то через каждую точку может проходить только одна С. л. Густота С. л. обычно выбирается так, чтобы число С. л., проходящих через единичную площадку, перпендикулярную к С. л., было пропорц. напряжённости поля (или магн. индукции) на этой площадке. Т. о., С. л. дают наглядную картину распределения поля в пр-ве: густота С. л. и их направление характеризуют величину и направление вектора напряжённости поля. С. л. электростатич. поля всегда не замкнуты: они начинаются на положит. зарядах и оканчиваются на отрицательных (или уходят на бесконечность). С. л. вектора магн. индукции всегда замкнуты, т. е. магн. поле явл. вихревым. Железные опилки, помещённые в магн. поле, выстраиваются вдоль С. л.; благодаря этому можно экспериментально определять вид С. л. магн. индукции. Вихревое электрич. поле, порождаемое изменяющимся магн. полем, также имеет замкнутые С. л. Впервые понятие «С. л.» для электрич. и магн. полей ввёл англ. учёный М. Фарадей.
СИЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ, одно из четырёх фундам. вз-ствий элем. ч-ц. Три остальных вз-ствия — слабое, электромагнитное и гравитационное — гораздо слабее С. в. В отличие от двух последних, С. в. явл. короткодействующим: его радиус ~10-13 см (ожидаемый радиус слабого вз-ствия ок. 2•10-16 см).
В обычном стабильном в-ве при не слишком высокой темп-ре С. в. не вызывает никаких процессов и его роль сводится к созданию прочной связи между нуклонами в ядрах (энергия связи составляет в ср. ок. 8 МэВ на нуклон). Однако при столкновениях ядер или нуклонов, обладающих достаточно высокой энергией, С. в. приводит к многочисл. ядерным реакциям. Особенно важную роль в природе играют реакции слияния (термоядерного синтеза), в результате к-рых четыре нуклона объединяются в ядро гелия. Эти реакции (при существ. участии также и слабого вз-ствия) идут на Солнце и явл. осн. источником используемой на Земле энергии. Начиная с энергий сталкивающихся нуклонов порядка неск. сотен МэВ, С. в. приводит к рождению -мезонов, а при ещё больших энергиях — к рождению странных частиц (К-мезонов, гиперонов), «очарованных» частиц, «красивых» частиц и множества мезонных и барионных резонансов. Все эти сильно взаимодействующие ч-цы наз. адронами.
На опыте установлен ряд закономерностей С. в. и участвующих в нём ч-ц. Так, было обнаружено, что существуют группы адронов с близкими св-вами — изотопические мультиплеты. Входящие в один такой мультиплет ч-цы имеют одинаковые значения барионного заряда, странности, «очарования», «красоты», одинаковые спины, близкие (с точностью от 0,1% до 3%) массы и отличаются лишь значениями электрич. зарядов. Напр., протон и нейтрон образуют изотопич. дуплет, а +-, 0-, --мезоны — изотопич. триплет. С. в. обладает св-вом изотопической инвариантности; у всех ч-ц, входящих в один изотопич. мультиплет, С. в.
одинаково. Изотопич. инвариантность нарушается эл.-магн. вз-ствием и малыми разностями масс ч-ц, принадлежащих данному изотопич. мультиплету.
По мере обнаружения новых адронов (большинство адронных резонансов было открыто в 60-х гг.) выяснилось, что изотопич. мультиплеты группируются в ещё большие семейства — т. н. SU(3)-мультиплеты (см. Элементарные частицы). Массы ч-ц, входящих в один такой мультиплет, различаются довольно сильно. Это явл. одним из проявлений того, что SU(3)-симметрия, ответственная за комплектование SU(3)-мультиплетов, нарушается сильнее, чем изотопич. инвариантность.
В классификации адронов чётко проявляется и др. закономерность: ч-цы с данными барионным зарядом, странностью, изотопич. спином и электрич. зарядом, отличающиеся только значениями спина, также образуют семейства. Если по оси абсцисс откладывать квадраты масс ч-ц, М2, а по оси ординат — значения их спинов J, то ч-цы, принадлежащие данному семейству, располагаются на прямой линии: J~М2. Такие линии, изображающие зависимость J от М2, получили назв. траекторий Редже (см. Редже полюсов метод).
Процессы С. в. так же, как и процессы, обусловленные др. типами вз-ствий, подчиняются таким фундам. принципам, как причинность (см. Причинности принцип) и перекрёстная симметрия (кроссинг-симметрия). Матем. следствием причинности явл. то, что амплитуды, описывающие процессы вз-ствия элем. ч-ц (сечение процесса пропорц. квадрату модуля амплитуды),— аналитич. ф-ции своих аргументов. Аналитичность амплитуд приводит, в частности, к дисперсионным соотношениям, связывающим между собой действнт. и мнимые части амплитуд (к-рые могут быть независимо измерены опытным путём). Кроссинг-симметрия заключается в том, что одна и та же аналитич. ф-ция при разл. значениях своих переменных описывает амплитуды неск. процессов, напр. -+р-+р, ++р++р и р+р~++-, к-рые получаются один из другого путём переноса ч-цы из левой части реакции в правую (и наоборот) с одноврем. заменой её на соответствующую античастицу. В результате св-ва амплитуды
процесса аннигиляции р+р~++- имеют тесную связь со св-вами амплитуды рассеяния ±-мезонов протонами. Аналогичные связи существуют и для др. реакций.
Подход, основанный на общих св-вах амплитуд процессов, особенно плодотворен при высоких энергиях, когда энергии сталкивающихся ч-ц много больше их энергий покоя mc (m — масса ч-цы). В области асимптотически больших энергий ξ
678
(ξ/mc2) имеется ряд фундам. теорем, из к-рых наиб. важны теорема Фруассара и теорема Померанчука. Согласно теореме Фруассара, сечения процессов С. в. адронов не могут асимптотически расти быстрее, чем ln2ξ. Согласно теореме Померанчука, если сечение вз-ствия адронов с ростом энергии стремится к конечному пределу, то полное сечение вз-ствия ч-цы и соответствующей античастицы с данной мишенью асимптотически должны быть равными, напр.
полн(р~р)=полн(рр), полн(К+р) =полн(K-р), где полн(ab) обозначает полное сечение вз-ствия ч-ц а и b.
На опыте характерные значения полных сечений С. в. адронов при высоких энергиях лежат в области 20—25 мбарн для вз-ствия К- и -мезонов с нуклонами и 40—45 мбарн для вз-ствия нуклонов с нуклонами и обнаруживают тенденцию к медл. росту. Сечение упругого рассеяния составляет ок. 1/5 полного сечения.
При сближении адронов высоких энергий на расстояния порядка радиуса действия С. в. доминируют множественные процессы. В этих условиях упругое рассеяние по своему хар-ру аналогично дифракции света на полностью поглощающем («чёрном») или, точнее, частично прозрачном («тёмно-сером») шарике (с радиусом порядка радиуса действия С. в.). В частности, угл. распределение упруго рассеянных ч-ц имеет острый максимум вперёд (по направлению падающих ч-ц), подобный максимуму при дифракц. рассеянии света. При этом характерные углы составляют величину порядка /R, где — длина волны де Бройля рассеиваемой ч-цы (=ћ/p, р — импульс ч-цы), а R — радиус нуклона (~10-13 см).
Детальная теор. картина упругого рассеяния адронов, а также двухчастичных неупругих реакций (напр., реакции перезарядки -+р°+n) основывается на представлении о том, что в процессе рассеяния сталкивающиеся ч-цы обмениваются своеобразными адронными комплексами с перем. спином и массой. Эти комплексы ведут себя как своего рода квазичастицы и наз. реджеонами. В результате устанавливается глубокая связь между процессами рассеяния и траекториями Редже. При этом оказывается, что радиус ч-цы (радиус «тёмно-серого» шарика) меняется с ростом энергии.
Как отмечалось, осн. доля процессов при высоких энергиях — множеств. рождение ч-ц. Ср. множественность (ср. число ч-ц, рождённых в одном столкновении) при энергиях в системе центра инерции (с. ц. и.) порядка десятков ГэВ равна прибл. 10—12 (в основном это -мезоны) и медленно растёт с ростом энергии (ок. 27 при энергии 540 ГэВ). Поперечные импульсы рождённых ч-ц практически не зависят от энергии сталкивающихся ч-ц и в основном составляют примерно 0,3—0,5 ГэВ/с. Этот факт, обнаруженный впервые при изучении космических лучей, был подтверждён опытами на ускорителях. Ч-цы с большими поперечными импульсами (1ГэВ/с) рождаются очень редко, однако не так редко, как можно было бы ожидать, если бы нуклоны были абсолютно «рыхлыми» образованиями размером порядка 10-13 см. Рождение ч-ц с большими поперечными импульсами подтверждает картину строения нуклона, полученную при исследовании глубоко неупругих процессов вз-ствия эл-нов и нейтрино с нуклонами. Согласно этой картине, при больших передачах импульса нуклон ведёт себя как совокупность лёгких точечных (бесструктурных) ч-ц, получивших назв. партонов. В реакциях множеств. рождения распределения вторичных ч-ц по продольным импульсам подобны при разл. энергиях столкновения. Они совпадают друг с другом, если использовать в кач-ве переменной отношение р/ркакс, где р — импульс вторичной ч-цы, а рмакс — её макс. возможный импульс при данной энергии сталкивающихся ч-ц. Такое поведение, когда распределения зависят от безразмерного параметра (р/pмакс), наз. с к е й л и н г о м Фейнмана (см. Масштабная инвариантность),
Законченная теория адронов и С. в. между ними пока отсутствует, однако имеется теория, к-рая, не являясь ни законченной, ни общепризнанной, позволяет объяснить осн. св-ва адронов. Эта теория — квантовая хромодинамика, согласно к-рой адроны состоят из кварков (мезоны из кварка и антикварка, а барионы — из трёх кварков), а силы между кварками обусловлены обменом глюонами. Все обнаруженные адроны состоят из кварков пяти разл. типов («ароматов»): u, d, s, с, b.
Нуклоны и -мезоны содержат лишь и- и d-кварки, странные ч-цы содержат наряду с u и d также и s-кварки, «очарованные» ч-цы — с-кварки, а открытые в 1977 ипсилон-частицы (Г) — b-кварки. В сильном и эл.-магн. вз-ствиях «аромат» сохраняется, в слабом вз-ствии кварки одного типа («аромата») превращаются в кварки др. типа. В процессах С. в. сталкивающиеся адроны могут обмениваться содержащимися в них кварками, и, кроме того, происходит также рождение и аннигиляция пар кварк-антикварк (см. Квантовая теория поля).
Кварки обладают дробными электрич. зарядами Q: Qu=Qc=+2/3, Qd=Qs=Qb=-1/3 (в ед. элем. электрич. заряда е). Массы лёгких кварков u, d, s выражаются через массы - и К-мезонов, а массы с и b — соответственно через массы частиц и -частиц. Теор. оценки дают: mu~4 МэВ, md~7 МэВ, ms~150 МэВ, mс~1,3 ГэВ, mb~4,5 ГэВ. Ожидают, что существуют ещё более тяжёлые кварки, t.
Свободные кварки, несмотря на тщат. поиски, не обнаружены. Согласно квант. .хромодинамике, кварки не могут быть освобождены из адронов: они находятся внутри адронов в области размером ~10-13 см. Такое необычное поведение кварков (оно наз. англ. словом «конфайнмент» — заключение, пленение) связано со св-вами глюонов и с существованием ещё одного квант. числа — «цвет». Кварк каждого «аромата» может находиться в трёх «цветовых» состояниях, или обладать тремя разл. «ц в е т о в ы м и з а р я д а м и». Во всех наблюдаемых адронах «цветовые заряды» кварков в совокупности компенсируются, так что «цветовые заряды» адронов равны нулю (обычно говорят, что адроны «бесцветные», «белые»). Подобно тому как электрич. заряд явл. источником фотонного поля, «цветовые заряды» явл. источниками глюонных полей. Имеется восемь разл. глюонов. Все они — безмассовые, электрически нейтр. ч-цы со спином 1 и отличаются друг от друга комбинациями «цветовых зарядов». Наличие у глюонов «цветовых зарядов» делает их св-ва необычными. В частности, силы, обусловленные обменом глюонами, растут с ростом расстояния между двумя «цветовыми зарядами», что, по-видимому, приводит в конечном счёте к «пленению» кварков внутри адронов (т. н. удержание «цвета»). «Пленёнными» оказываются и сами глгюоны, так что свободных «цветных» частиц не существует.
«Цветовые заряды» кварков не зависят от их «ароматов», и если бы массы всех кварков были одинаковы, то и массы адронов были бы вырождены по «ароматам». Напр., были бы одинаковые массы -, К- и D-мезонов. Малая величина разности масс u- и d-кварков по сравнению с их кинетич. энергиями внутри адронов явл. причиной изотопич. инвариантности. Малая величина самих масс u- и d-кварков явл. причиной т. н. киральной инвариантности С. в. (см. Киральная симметрия).
Системы, состоящие из u-, d-, s-кварков, адекватно описывают ч-цы, входящие в известные мезонные и барионные SU(3)-мультиплеты. Если бы масса s-кварка была того же масштаба, что и массы u- и d-кварков, то SU(3)-симметрия С. в. была бы такой же хорошей симметрией, как и изотопич. инвариантность.
Когда адрон участвует в процессе, в к-ром он получает большой импульс (глубоко неупругое рассеяние, рождение ч-ц с большими поперечными импульсами), то осн. вз-ствие разыгрывается на малых расстояниях, глубоко внутри адрона. Здесь С. в. кварков с глюонами, а следовательно, и кварков между собой ослабевает и на
679
столкновение кварка с энергичной ч-цей (с эл-ном или др. кварком) соседние кварки влияют очень слабо. Т. о., при больших передачах импульса кварки (и глюоны) сталкиваются как практически свободные ч-цы (т. е. явл. партонами). Это св-во кварков и глюонов, предсказываемое квант. хромодинамикой, наз. асимптотической свободой. При удалении партона на большие расстояния от той точки, где он получил большой импульс, он превращается в струю летящих в одном направлении адронов. При этом происходит обмен «цветовым зарядом» с оставшимися кварками, так что как струя, так и остаток получаются «белыми». На опыте такие адронные струи наблюдались в ряде процессов.
Теория С. в. на малых расстояниях, связанная с асимптотич. свободой, практически завершена, но динамика вз-ствия на больших расстояниях и, в частности, механизм «пленения» поняты пока не столь хорошо. Здесь важную роль, по-видимому, играют глюонные флуктуации физ. вакуума (см. Инстантон). Возможно, что адроны явл. как бы пузырьками кваркового газа в плотном вакууме, создаваемом флуктуациями глюонного поля. Качественно такой вывод согласуется с описанием адронов на основе т. н. «модели мешков» (см. Квантовая теория поля).
Существует ряд теоретич. схем, в к-рых делается попытка создать единую теорию сильного, слабого и эл.-магн. вз-ствий (т. н. «Великое объединение»), В этих схемах на единой основе рассматриваются лептоны и кварки, промежуточные векторные бозоны, фотоны и глюоны.
• Фейнман Р., Взаимодействие фотонов с адронами, пер. с англ. M., 1975; Зельдович Я. Б., Классификация элементарных частиц и кварки «в изложении для пешеходов», «УФН», 1965, т. 86, в. 2; Мандельстам С., Растущие траектории Редже и динамика резонансов, там же, 1970, т. 101, в. 3; Д р е л л С., Партоны и глубоко неупругие процессы при высоких энергиях, там же, 1972, т. 106, в. 2; Н а м 6 у И., Почему нет свободных кварков, там же, 1978, т. 124, в. 1; Г л э ш о у Ш., . Кварки с цветом и ароматом, там же, 1976, т. 119, в. 4; А з и м о в Я. И., Д о к ш и ц е р Ю. Л., Х о з е В. А., Глюоны, «УФН», 1980, т. 132, в. 3; Д р ё м и н И. М., О глюонных струях, там же, т. 131, в. 4; Вайнштейн А. И. [и др.], Чармоний и квантовая хромодинамика, там же, 1977 т. 123., в. 2.
Л. Б. Окунь.
СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК, полупроводник с очень большой концентрацией примесей (или структурных дефектов крист. решётки), когда расстояние между соседними примесными атомами столь мало, что перекрываются их силовые поля и волновые функции локализованных вблизи них электронов. В результате в С. п. возникает примесная зона, сливающаяся с ближайшей к ней собств. зоной проводимости или валентной зоной. Потенциальная энергия ξ носителя заряда в С. п. зависит от координат сразу многих атомов примеси и из-за флуктуации в распределении примесных атомов оказывается случайной величиной. Из-за наличия случайного поля квазиимпульс р носителей не сохраняется, так что понятие дисперсии закона ξ(р) имеет смысл лишь на достаточно больших расстояниях от краёв зон.
В С. п. даже при Т=0 К электропроводность 0. Плотность состояний постепенно убывает в глубь запрещённой зоны («хвост» плотности состояний), В С. п. возможно поглощение света частоты <ξg/ћ, ξg— ширина запрещённой зоны. Коэфф. поглощения в этой области частот экспоненциально убывает с ростом величины ξg-ћ (п р а в и л о У р б а х а). При отсутствии компенсации (см. Компенсированный полупроводник) С. п. вырождены. С. п. используются в туннельных диодах, светоэлектрических диодах, инжекционных лазерах, датчиках Холла, устойчивых к ядерному излучению, тензометрах и т. д.
• Ф и с т у л ь В. И., Сильно легированные полупроводники, М., 1967; Бонч-Бруевич В. Л., Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников, в кн.: Физика твердого тела, под ред. С. В. Тябликова, М., 1965 (Итоги науки. Физика); Электронная теория неупорядоченных полупроводников, М., 1981.
Э. М. Эпштейн.
СИЛЬНОТОЧНЫЕ УСКОРИТЕЛИ, устройства для получения мощных потоков заряженных ч-ц, создающих ток I>104А при энергии ч-ц выше 105 эВ. Характерным масштабом тока в теории С. у. принято считать величину I0=m0с3/е=17кА, составленную из мировых констант: скорости света с, заряда электрона е и его массы покоя m0. При токах, существенно превышающих это значение, собств. электромагн. поля электронного пучка определяющим образом влияют на его динамику. Производной масштабной величиной является мощность
W0=m20c5/e2=8,7 ГВт.
С. у. содержит источник импульсного высокого напряжения и вакуумный диод (рис. 1). В большинстве С. у. первичное накопление энергии осуществляется в конденсаторах С при сравнительно низком напряжении (~100 кВ), после чего следует увеличение напряжения на 1—2 порядка по схеме Аркадьева — Маркса (или с помощью импульсного трансформатора) и «обострение» импульса напряжения в одном или неск. каскадах.
Рис. 1. Схема сильноточного ускорителя: 1 — высоковольтный выпрямитель; 2 — промежуточный накопительный элемент; 3 — электроды двойной формирующей линии; 4 — трансформирующая линия передачи; Р — разрядники; C — ёмкости.
Эти каскады выполнены обычно в виде отрезков линий передачи, погружённых в диэлектрик для увеличения уд. энергоёмкости. Для этого используются жидкие диэлектрики (трансформаторное масло в случае высокого напряжения, вода — низкого), не «запоминающие» пробоев и имеющие повышенную электрич. прочность при длительности импульса, меньшей ~1 мкс. Для малых напряжений и больших токов используются одинарные линии, в обратном случае — двойные (т. н. л и н и и Б л ю м л я й н а), создающие удвоение напряжения на нагрузке, к-рой служит диод. Его катод работает в режиме взрывной электронной эмиссии, когда электрич. поле порядка 105 В/см, усиливаясь на микронеоднородностях катода, вызывает их тепловой взрыв и образование поверхностной плазмы, обладающей практически бесконечной эмиссионной способностью.
Ускорение электронов происходит в диоде под действием высокого напряжения до тех пор, пока диодный промежуток (размером от неск. мм до неск. см) не закоротится распространяющейся с электродов плазмой. Диоды С. у. работают в режиме ограничения тока пространств. зарядом. При относительно небольших напряжениях V в диоде с электродами в виде двух плоских дисков радиуса R, разделённых зазором d (рис. 2), течёт равномерно распределённый электронный ток:
Рис. 2. Траектории электронов в диоде с малым (а) и большим (б) токами.
W0=7,3•М3/2(МВ)R2/d2(кА). (1)
Если же ток столь велик, что ларморовский радиус электрона (см. Лармора прецессия) в собств. магн. поле, создаваемом пучком, мал по сравнению с зазором d (рис. 2, б), то это поле обусловливает динамику пучка,
680
и ток определяется соотношением:
I=8,5R/darch(кA), (2)
где 2V+1(MB) — полная энергия электронов в ед. энергии покоя m0c2. При этом эффективно эмиттирующие участки расположены по периферии катода, а ток на аноде сфокусирован в центр. пятно малого размера.
В существующих С. у. энергия ч-ц пучка ограничена (10—15 МэВ) трудностями высоковольтной техники. Длительность импульса варьируется в диапазоне от 30 нс до 10 мкс. Нижний предел определяется возможностями формирования мощного импульса ускоряющего напряжения, а верхний — конечным энергозапасом накопит. элемента и заполнением ускоряющего промежутка образующейся на электродах плазмой. Электронный пучок используется либо внутри диода, либо выводится в дрейфовое пространство через окно в аноде из тонкой фольги, прозрачной для электронов. Распространены также коаксиальные диоды с продольным магн. полем, вдоль к-рого распространяется пучок.
Для генерации ионных пучков анод диода делают из диэлектрика соответствующего хим. состава. Эмиссия ионов происходит из плазмы под действием внеш. поля и поля пространств. заряда электронов (см. Ионная эмиссия). Плазма образуется в результате электрич. пробоя анода вдоль его поверхности. Чтобы увеличить долю энергии, передаваемую в ионный пучок, ток электронов через диод должен быть уменьшен при условии сохранения большого отрицат. пространств. заряда. Для этого используется либо магн. поле (т. н. диоды с магн. изоляцией, рис. 3, а), либо
Рис. 3. Схемы ионных диодов с магн. изоляцией (а) и рефлексных диодов (б): К — катод; А — анод; П — поверхностная плазма; H—поперечное магн. поле; Тр- — траектории электронов; Тр+ —траектории ионов; В — виртуальный катод (плоскость остановки электронов).
полупрозрачные для ускоренных электронов аноды (т. н. рефлексные диоды и триоды, рис. 3, б). В последнем случае электроны осциллируют вблизи анода, создавая увеличенный пространств. отрицат. заряд. Эффективность таких источников 50— 60% при импульсном токе ионов I0~1 МА и напряжении ~1 MB. С. у. характеризуются большими значениями запасённой энергии (до неск. МДж), мощности (до десятков ТВт) и сопутствующих электромагн. полей пучка в сочетании с высоким (десятки %) коэфф. передачи ему энергии от накопит. элемента. С. у. применяются гл. обр. для нагрева плазмы, создания с помощью полей пучка магнитных ловушек и для сжатия микромишеней в системах управляемого термоядерного синтеза с инерциальным удержанием. Кроме того, пучки, создаваемые С. у., используются для генерации сверхмощных импульсов СВЧ-колебаний в диапазоне от субмиллиметровых до дециметровых волн, для накачки химических лазеров и газовых лазеров высокого давления, в коллективных методах ускорения ионов и т. д. Транспортировка пучков С. у. возможна в газе при низком давлении либо в вакууме в продольном магн. поле. Токи больше или порядка 17 кА могут переноситься лишь тонкостенным трубчатым пучком. Для ионов этот предел выше.
• Смирнов В. П., Получение сильноточных пучков электронов, «ПТЭ», 1977, № 2, с. 7; Накопление и коммутация энергии больших плотностей, пер. с англ., М., 1979.
А. Н. Лебедев.
СИМЕНС (См, S), ед. СИ электрич. проводимости. Названа в честь нем. учёного Э. В. Сименса (Е. W. Siemens). 1 См равен электрич. проводимости проводника, имеющего сопротивление 1 Ом.
СИММЕТРИЯ (от греч. symmetria — соразмерность) законов физики. Если законы, устанавливающие соотношение между величинами, характеризующими физ. систему, или определяющие изменение этих величин со временем, не меняются при определённых операциях (преобразованиях), к-рым может быть подвергнута система, то говорят, что эти законы обладают С. (или инвариантны) относительно данных преобразований. В матем. отношении преобразования С. составляют группу. Опыт показывает, что физ. законы симметричны относительно след. наиб. общих преобразований.
1>
Достарыңызбен бөлісу: