6.3.2 Изменяя диапазон величин напряжения затвора согласно таблице 2, получите выходную характеристику МДП - транзистора и проведите измерения тока стока и напряжения сток-исток. Результаты измерений занесите в таблицу 3.
6.3.2.1 Для проведения измерений разверните прибор Analysis, щелкнув 2 раза ЛК мыши. Выберите в строке Components для исследования МДП-транзистора NMOS с n-каналом. Для установки величин напряжения затвора войдите в опцию Simulate Parametersи выберите Source Name Uзи (Ugs):
Start 3,7 В
Stop 3,7 В
и для выбора диапазона стокового напряжения:
Start 0 В
Stop 20 В
Шаг 5 В.
Таблица 3
№ изм.
|
Uзи = 3,7 В
|
Uзи = 3,9 В
|
Uзи = 4,1 В
|
Iс, мА
|
Uси, В
|
Iс, мА
|
Uси, В
|
Ic, мА
|
Ucи, В
|
1
|
|
|
|
|
|
|
2
|
|
|
|
|
|
|
3
|
|
|
|
|
|
|
4
|
|
|
|
|
|
|
5
|
|
|
|
|
|
|
6
|
|
|
|
|
|
|
7
|
|
|
|
|
|
|
8
|
|
|
|
|
|
|
9
|
|
|
|
|
|
|
10
|
|
|
|
|
|
|
6.3.2.Запустите расчет, и на экране появится изображение характеристики. Произведите измерения стокового тока и напряжения.
6.3.3 Постройте график стоковых характеристик МДП - транзистора
Iс = f(Uси) (три ветви в одной системе координат).
7 Содержание отчета:
7.1 Цель работы.
7.2 Схемы измерений.
7.3 Графики выходных характеристик транзисторов.
7.5 Выводы по проделанной работе.
8 Контрольные вопросы:
8.1.Как называется эмитирующий электрод БТ и МДП – транзистора?
8.2 Как называется управляющий электрод БТ и МДП – транзистора?
-
Какой режим БТ называется активным?
-
Какой режим в канале МДП – транзистора вызывает цепь затвора?
-
Какой режим в канале МДП – транзистора вызывает цепь стока?
-
Какие свойства ПТ вытекают из стоковых характеристик?
-
Какие свойства БТ вытекают из выходных характеристик?
-
Что называется пороговым напряжением МДП - транзистора?
-
Укажите основное преимущество биполярных транзисторов.
8.10 Укажите основное преимущество МДП - транзисторов.
Приложение А
(информационное)
Транзисторы
Биполярным транзистором (БТ) называется трехэлектродный электронный прибор, состоящий из двух взаимодействующих p-n переходов. Основные электроды биполярных транзисторов называются Эмиттер, Коллектор, База. Функции электродов представлены в таблице 1А
Таблица 1А
Функция
|
Электрод
|
Эмиссия носителей заряда
|
Эмиттер – эмиттирующий
|
Собирает носители заряда
|
Коллектор – управляемый
|
Управление носителями заряда
|
База - управляющий
|
Биполярные транзисторы имеют трехслойную структуру, где различные по проводимости полупроводники создают два электрических контакта, называемых p-n переходами, которые взаимодействуют, создавая в кристалле поток носителей заряда. Различают две разновидности БТ по структуре:
n - p - n транзистор , в котором создается управляемый поток электронов;
p - n - p транзистор , в котором создается управляемый поток дырок
Рисунок 1А- Графическое обозначение n - p - n транзистора (или он же БТ обратной проводимости)
Рисунок 2А - Графическое обозначение p - n - p транзистора (БТ прямой проводимости)
Управление потоком носителей заряда в БТ осуществляется входным током. Этот способ управления эффективен, но не обеспечивает желаемое высокое входное сопротивление четырехполюсника, в результате чего биполярные транзисторы обладают не слишком хорошими согласующими свойствами.
В транзисторе p - n переход, образованный контактом областей эмиттера и базы, называется эмиттерным переходом (в дальнейшем ЭП), а p - n переход, образованный контактом областей коллектора и базы - коллекторным переходом (в дальнейшем КП). Поскольку p - n переходы можно включать как прямым, так и обратным способом, возможны режимы работы БТ, которые показаны в таблице 4.
Таблица 2А – Режимы работы биполярного транзистора и их применение
Активный (основной) режим
|
ЭП- прямое
КП- обратное включение
|
Применяется для усиления и генерации колебаний
|
Режим насыщения
|
ЭП- прямое
КП- прямое
|
Применяется в ключевом режиме
|
Режим отсечки
|
ЭП- обратное
КП- обратное
|
Применяется в ключевом режиме
|
Достарыңызбен бөлісу: |