Статья Краткое описание ЖурналНИЗКОЧАСТОТНЫЙ ДВУХЛУЧЕВОЙ ОСЦИЛЛОГРАФ
Возможный аналог - D-FET,если память не изменяет(BSS серии?) См так же IRF510 КП902А
Технические параметры позиции
|
Структура |
N-FET |
| ||
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В |
50 |
| ||
Максимальный ток стока Ic макс при 25С, мА |
0.2 |
| ||
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В |
30 |
| ||
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт |
3.5 |
| ||
Крутизна характеристики S,мА/В |
17 |
| ||
Корпус |
KT-42 |
| ||
|
КП901 |
полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц) | ||
|
КП902 |
полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц |
Тип |
S1-S2/I(U) мсим/А(В) |
I01-I02/U А/В |
Iз/Uз нА/В |
C11 пф |
C12 пф |
C22 пф |
Fш/F дб/ГГц |
Uзи/Iс(U0 В/mА(В) |
Uзс В |
Uзи В |
Uси В |
Iс А |
P/Pт вт |
Тип |
Кан |
Цок | |||||
КП901А КП901Б |
50-160/0.5 60-170/0.5 |
0.015-0.2/20 0.015-0.2/20 |
100/15 |
100 100 |
10 10 |
|
|
|
85 85 |
30 30 |
70 70 |
4 4 |
20 20 |
МДП МДП |
N N |
38 38 | |||||
КП902А КП902Б КП902В |
10-25 /0.05 10-25 /0.05 10-25 /0.05 |
-0.01/ -0.01/ -0.01/ |
3/30 3/30 3/30 |
11 11 11 |
0.6 0.6 0.8 |
11 11 11 |
6/0.25 - 8/0.25 |
|
|
30 30 30 |
50 50 50 |
0.2 0.2 0.2 |
3.5 3.5 3.5 |
МДП МДП МДП |
N N N |
38 38 38 | |||||
Артикул |
235936 | ||||||||||||||||||||
Фото |
| ||||||||||||||||||||
Название |
BSS131 | ||||||||||||||||||||
Корпус |
SOT23-3 | ||||||||||||||||||||
Описание |
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:240V; Current, Id Cont:0.1A; Resistance, Rds On:16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.4V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:0.4A; Depth, External:2.5mm; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:SRs; Pins, No. of:3; Power Dissipation:0.36W; Power, Pd:0.36W; Power, Ptot:0.36W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:240V; Voltage, Vgs th Max:2V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm | ||||||||||||||||||||
Наличие |
| ||||||||||||||||||||
Цена (руб.) |
8.34 |
http://www.radiosait.ru/page_1593.html
В автономной, дозиметрической аппаратуре, использующей ФЭУ, возникает проблема их питания. Необходимое ФЭУ высокое напряжение Uфэу (0,8...1 кВ и более), требования к его стабильности (фоточувствительность ФЭУ довольно сильно зависит от напряжения питания; см. приложение 7) предъявляют к устройствам, формирующим это напряжение, довольно жесткие требования.
Рис. 82. Преобразователь для питания ФЭУ
Основу высоковольтного преобразователя, показанного на рис. 82, составляет блокинг-генератор, формирующий на обмотке II трансформатора Т1 импульсы напряжения с амплитудой UимпUфэу. Через диодный столб VD3 они заряжают конденсатор С5, который становится таким образом источником питания фотоумножителя. Пульсации Uфэу (они имею форму «пилы» с временными интервалами между «зубцами» tпR7·C4) снимает RC-фильтр (С5, R8, С6, R9, С7).
В цепь питания блокинг-генератора введен транзистор VT2, коллекторный ток которого зависит от тока базы, зависящего, в свою очередь, от тока стока полевого транзистора VT3 . Напряжение на затворе этого транзистора зависит от Uфэу, напряжения на стабилитроне VD1 (транзистор VT1 - его токозадающий «резистор») и соотношения «плечей» делителя R3+R4, R6 (резистором R3 выставляют нужное Uфэу ). Легко видеть, что при понижении Uфэу (по абсолютной величине), возникшем по какой-либо дестабилизирующей причине, напряжение питания блокинг-генератора увеличится и воздействие дестабилизирующего фактора будет тем самым в значительной мере компенсировано.
Трансформатор блокинг-генератора наматывают на ферритовом кольце М3000МН 20х12х6 мм. В связи с тем, что этот феррит имеет низкое объемное сопротивление, острые ребра сердечника необходимо загладить и тщательно весь его изолировать; обмотать, например, лавсановой или фторопластовой лентой.
Первой наматывают обмотку II, содержащую 800 витков провода ПЭВ-2 0,07. Намотку ведут в одну сторону, почти виток к витку, оставляя между началом и концом обмотки промежуток 2...3 мм. Обмотку II также покрывают слоем изоляции. Обмотку I (8 витков ПЭВШО 0,15...0,25) и обмотку III (3 витка тем же проводом) укладывают по сердечнику возможно равномернее.
Фазировка обмоток (точками на Т1 отмечены их синфазные концы) должна быть соблюдена при монтаже трансформатора.
О деталях преобразователя. Резистор R6 - КИМ-0,125, R3 - СП-38А, другие - МЛТ-0,125 и 0,25. Конденсаторы СЗ, С4 - КМ-6 или К10-176; С5 ,С7 - К15-5-Н70 (1,5 кВ) или другие керамические на напряжение не менее 1 кВ; С1 и С2 - любые оксидные. Диодный столб 2Ц111А-1 можно заменить четырьмя последовательно включенными диодами типа КД102А. При каких-либо иных заменах нужно иметь в виду, что диодный столб VD3 не только должен иметь высокое обратное напряжение - не менее Uфэу , но и малый (при этом напряжении) ток утечки - не более 0,1 мкА.
Транзистор блокинг-генератора можно заменить на КТ630В. Здесь определяющим параметром является напряжение насыщения транзистора в импульсном режиме: при токе в импульсе 1...1,5 А - Uкэ нас имп 0,3 В. Остаточное напряжение на коллекторе транзистора нетрудно оценить по осциллограмме: по «зазору» между плоской вершиной импульса и линией нулевого потенциала.
Ток, потребляемый высоковольтным преобразователем от источника питания, будет зависеть, конечно, от нагрузки. С двумя описанными здесь сцинтилляционными головками, работавшими в режиме радиационного локатора, он не превышал 16 мА.
Стабилизация анодного напряжения и цепь накала:
http://datagor.ru/amplifiers/tubes/993-karmannyjj-umzch-dlja-vysokoomnykh-naushnikov..html
Разматываю трансы. Мне нужно получить 6,3В накала, 280-300В анодного и 12-14В для индикации. Мотаю все это по приведенной здесь схеме: