тақырып Терморезисторлар. Термопарлар


– тақырып Қосылу схемалары. Статикалық сипаттамалар мен қасиеттер. Электронды схемаларда қолданылуы



бет2/7
Дата01.11.2023
өлшемі386.59 Kb.
#482148
1   2   3   4   5   6   7
ТЕРМОРЕЗИСТОРЛАР ментермопаралар

7.2 – тақырып Қосылу схемалары. Статикалық сипаттамалар мен қасиеттер. Электронды схемаларда қолданылуы.
Аналогия бойынша биполярлы транзисторлардағы электродтың тұрақты потенциалға қосылуына байланысты үш түрлі қосылу схемалары бар: кіріс, шығыс және бекітпелі.
Ортақ шығысы бар схема
Ортақ шығысы бар схема (7.5 – сурет) биполярлы тразнистор үшін ортақ эмиттерлі схемаға сәйкес келеді.

7.5 – сурет – Өрістік транзистордың ортақ шығысы бойынша қосылу схемасы
Айырмашылығы –диодтың арна-бекітпеге жабу бағытында қосылуы. Кіріс тогының мәні мұнда нольге жақын, ал кіріс кедергісі өте жоғары. Биполярлы транзисторлардың схемасын талдау үшін алдынғы бөлімдегі нәтижеге оралуға болады. Транзисторлардың сипаттамалары мен кіші сигналдардың параметрлерінің салыстырмасы келесі кестені береді:


IК » IС
IЭ » IИ
IБ » IЗ ≈ 0

(7.6)








Ортақ шығысы бар схема үшін күшейту коэффициентінің максималды шамасы A = -S = -μ құрайды
Күшейту коэффициенті іс-жүзінде кіріс тоғынан 0,1IСИ < IС< IСИ диапазонында тәуелсіз және n-арналы өрістік транзисторлар үшін 100 бен 300 аралығын құрайды. p-арналы өрістік транзисторлар үшін бұл шама шамамен екі есе кіші. Өрістік транзисторлардың максималды күшейту коэффициенті биполярлы транзисторлардың максималды күшейту коэффициентінің оннан бір бөлігін құрайды.
Сызықты емес бұрмалаудың коэффициенті биполярлы транзисторлар сияқты кіріс сигналдың амплитудасына пропорционалды, алайда ол жұмыс нүктесінің орналасуына байланысты болады. Ол √IC шамасына кері пропорционалды.
Бұл коэффициенті 1% дан кіші болу үшін кіріс сигналының амплитудасы 66 мВ-тан аспауы тиіс. Кернеулік бойынша каскадтың күшейту коэффициенті 20-ға тең болған жағдайда кіріс сигналының амплитудасы 1,3 В тең болады. Бұл шама биполярлы транзисторлардың ұқсас жалғанғанына қарағанда айтарлықтай үлкен.
Өрістік және биполярлы транзисторлардың шулық сипаттамалары айтарлықтай өзгеше. Қрістік транзисторлардың шулық тоғы биполярлық транзисторға қарағанда біраз кіші, бірақ шу кернеуі бірдей шама ретіне ие.
МОЖ-транзисторларында шу факторы I/f шамамен 100кГц жиілігінде айқындала бастайды. Осылайша, МОЖ-транзисторлары кіші жиілікті аумақта басқарушы p-n өткізгішті өрістік транзисторға қарағанда аз шулайды, сондықтан оларды жоғары жиілікті аз шулайтын құрылғыларда қолданады.
Ортақ бекітпесі бар схема
Ереже бойынша, өрістік транзисторлар үшін ортақ бекітпесі бар схемаларды қолданбайды. Себебі, бекітпелі-шығыс транзистор тізбегінің сипаттамасы бұл қосылуда қолданылмайды.
Ортақ кірісі бар (шығыстық қайталағыш)
Көп жағдайда ортақ кірісі бар схема ортақ шығысы бар схемаға қарағанда әлдеқайда үлкен кіріс кедергісіне ие. Бірақ бұл аса маңызды емес, себебі, ортақ шығысы бар схема үшін оның шамасы үлкен. Мұндай схеманың артықшылығы каскадтың кіріс сыйымдылығын айтарлықтай азайтатындығы. Эмиттерлі қайталағышқа қарағанда шығыстық қайталағыш сигнал көзінің ішкі кедергісінен тәуелсіз.

7.6 – сурет – Өрістік транзистордың ортақ кірісі бойынша қосылу схемасы
Күшейту коэффициенті мен кіріс қайталағышының шығу кедергісінің типтік шамаларын сандық мәнмен көркемдеуге болады. Транзистор сипаттамаларының тіктігінде 5 мА/В және тізбектегі шығыс кедергісі RИ=1кОм:




(7.7)

Мысалдан көргеніміздей шығыс қайталағыш эмиттерлі қайталағыш сияқты мұндай аз шығу кедергісіне жетуге мүмкіндік бермейді. Мұнын себебі-өрістік транзистордың биполярлы транзисторға қарағанда аз тіктігімен қамтамасыз етілуі




Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5   6   7




©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет