тақырып Терморезисторлар. Термопарлар
– тақырып Интегралдық схемалар . ИС жіктелуі. Микроэлектроника технолгиялық негіздері
жүктеу/скачать 386.59 Kb.
|
| 9 – тақырып Интегралдық схемалар . ИС жіктелуі. Микроэлектроника технолгиялық негіздері
Қазіргі заманғы микроэлектроникалық алға жылжуы негізгі екі құрылымдық және техникалық бағыттар бойынша дамиды: жартылай өткізгіш интегралдық схемалардың және гибридті интегралды жүйелері құруды. Жартылай өткізгіштік микросхемалар. Негізгі технологиялық әдіс бойынша құру процесі планарлық процесс болып табылып, жартылай өткізгіштік материалдың бір пластинасында бірнеше МС жасауды қамтамасыз етеді. Бұл процесс мыналардың көмегі арқылы жүзеге асырылады: – жартылай өткізгіштік материалдарды және оқшаулау элементтерін пайдалана отырып p-n- ауысулары бөлінетін планарлық технология; – жартылай өткізгіш материалдарды пайдалану және кемний диоксидінің қабатының оқшаулау элементтер планарлық технологиясы; – p-n ауысулары бөліп планарлық эпитаксиалды технологиясы оқшаулау элементі; аралас технологиялық схема, планарлық технология бойынша жартылай өткізгіштік материалдарда активті элементтер құралған кезде (транзисторлар,диодтар), ал жартылай өткізгіштің үстінде жұқа пленқалық технологиялы – пассивті элементтер (конденсаторлар, резисторлар). Жартылай өткізгіш микросхемалар әр қайсысы үшін өз артықшылықтары бар, бірақ қазіргі уақытта ең көп тараған планарлық-эпитаксиалдық технологиясы. Гибриттік интегралдық микросхемалар негізінен екі базалық технологиялық процестерде дайындалады: – шелкографилық әдіс арқылы қалың пленкалар алу; – жылу вакумге отырғызу арқылы жұқа пленкалар алу және т.б. Интегралдық МС,шелкографилық әдіс арқылы дайындалған,вакуумді тозаңдату,иондық-плазмалық,реактивті тозаңдату, және т.б.қалың схемалы деп аталды. Жартылай өткізгіштік және гибритті интегралдық микросхемаларды практикалық қолдану, олардың бір-бірімен бәсекелеспейтінін керісінше толықтыратынын көрсетті. 1974 жылдың шілде айынан бастап МЕСТ жұмыс жасайды. Ол жаңадан әзірленген және жаңғыртылған интегралдық схемаларға қолданылады, таңбалар жіктелуін және жүйесін белгілейді. Осы МЕСТ сәйкес құрылымдық және технологиялық схемалар үш топқа бөлінеді,олар төменде көрсетілген: 1; 5; 7 – жартылай өткізгіш; 2; 4; 6; 8 – гибридті; 3 – басқалар (пленкалық, вакуумдық, керамикалық және т.б. жүктеу/скачать 386.59 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|