- Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно
- представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.
- Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер- коллектор) и входного (база-эмиттер)
- переменных напряжений.
- Входные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного
- Транзистора, включенного по схеме с общей базой.
Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного - Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного
- транзистора , включенного по схеме с общим эмиттером.
- Нормальный активный режим
- Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в
- обратном (закрыт) UЭБ>0;UКБ<0;
- Инверсный активный режим
- Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.
- Режим насыщения
- Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).
- Режим отсечки
- В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).
- Барьерный режим
- В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через
- небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмитерную цепь транзистора
- включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор
- представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы
- каскадов отличаются малым количеством комплектующих схему элементов, хорошей развязкой
- по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам
- транзисторов.
Достарыңызбен бөлісу: |
