Зарубежные переносные

КОНСТРУКЦИЯ И ДЕТАЛИ

Корпус магнитолы выполнен из ударопрочного, полистирола. Он состоит из двух частей, скреп­ленных четырьмя винтами. Основные органы; управления магнитолы расположены на передней и верхних панелях. На передней панели) размещены шкала радиоприемника, индикаторы настройки приемника и уровня магнитной записи, переключатели рода работы магнитолы и встроен­ный микрофон, а на верхней панели — теле­скопическая антенна, кнопки включения диапазо­нов радиоприемника и кнопки коммутации рода работы ЛПМ магнитолы. На правой баковой стороне магнитолы расположена ручка настройки радиоприемника, а на задней стенке — разъем для подключения внешних источников сигнала, звукоснимателя и внешнего микрофона, а также, гнезда для подключения внешней антенны и заземления. Печатная плата универсального уси­лителя записи и вопроизведения укреплена не­посредственно на ЛПМ.

Блок питания выполнен в виде отдельного уз­ла и закреплен в нижней части корпуса магнитолы. Все основные узлы и блоки соедини­ются с помощью специальных соединителей, что обеспечивает хороший доступ при ремонте. Креп­ление печатных плат на пластмассовом шасси, а также крепление самого шасси и ЛПМ в корпус се магнитолы производится самонарезными вин­тами.

Печатные платы выполнены из фольгированно­го гетинакса. Переключение диапазонов произво­дится с помощью 10-кнопочного переключателя типа П2К.

Магнитная антенна выполнена на ферритовом­стержне диаметром 10 mm и длиной 200 mm (отечественный аналог — феррит марки 400НН). Катушки входных контуров диапазонов ДВ и СВ намотаны на пластмассовых каркасах и размеще­ны на ферритовом стержне. Катушки контуров гетеродина и контуров ПЧ собраны на феррито-вых замкнутых системах, состоящих из ферри-товой шпули, на которой наматывается катушка, и ферритовой резьбовой регулировочной чашки. Отечественными аналогами магнитных материа­лов являются ферриты марок 400НН, ЗОВН, 9ВН. Сетевой трансформатор собран на магни­топроводе, изготовленном из листовой электро­технической стали, аналогичной по свойствам ста­ли марки Э310.
5. ЭЛЕМЕНТЫ СХЕМ И ИХ АНАЛОГИ
При ремонте как зарубежной, так и отечествен­ной транзисторной радиоаппаратуры (приемни­ков, магнитол и пр.) в радиомастерских, а также в радиолюбительской практике для замены вы­шедшего из строя элемента (при отсутствии исправного нужного типа) можно использовать другой элемент с характеристиками, соответст­вующими или близкими заменяемому. При выборе аналога зарубежного или отечественного произ­водства необходимо, чтобы он имел соответству­ющие назначение, электрические параметры, га­баритные и установочные размеры. Если имеется зарубежный или отечественный аналог неисправного элемента, удовлетворяющий всем вышеуказанным требованиям, то его уста­новка в ремонтируемый радиоаппарат не пред­ставляет большой трудности.

Однако из опыта работы по ремонту зару­бежной радиоаппаратуры известно, что иногда вместо неисправного узла или детали подобрать ему аналог зарубежного или отечественного про­изводства, полностью, соответствующий основным Требованиям, не представляется возможным, во-первых, из-за отсутствия запасных элементов нужного типа, а во-вторых, из-за большого разно­образия типоразмеров и параметров.

Поэтому при отсутствии нужного для замены элемента для восстановления основных электри­ческих параметров ремонтируемого радиоаппара­та подбирают элемент с близкими к требуемым электрическими параметрами И с размерами, позволяющими его разметить нужным образом в ремонтируемом радиоаппарате. Следует отметить, что в этом случае для обеспечения соответству­ющих первоначальных высоких электроакустиче­ских параметров ремонтируемого аппарата потре­буется достаточно большая работа: необходимо аккуратно удалить неисправный элемент, произ­вести установку, крепление и монтаж выбранного аналога на месте неисправного элемента; подо­брать режимы работы, чтобы компенсировать тот или иной недостаток аналога в соответствии с требованиями схемы ремонтируемого радиоаппа­рата.

Для пояснения этого рассмотрим несколько примеров.

1. При замене неисправного постоянного рези­стора или конденсатора постоянной емкости, не соответствующих аналогу, необходимо для ком­пенсации их номинальной величины дополнитель­но подключить соответствующий резистор или конденсатор, затем отформовать (изогнуть) вы­воды соответствующим образом, установить на пе­чатную плату и произвести пайку.

2. При замене неисправного переменного ре­зистора, не соответствующего аналогу, необ­ходимо произвести его установку с доработкой места крепления на шасси или печатной плате, а затем для получения номинальной величины, соответствующей заменяемому резистору (кроме резистора регулятора громкости), следует под­ключить дополнительный резистор постоянного сопротивления к одному из крайних выводов.

3. При замене неисправной катушки контура катушкой, не соответствующей аналогу, например по габаритным размерам, необходимо: рас­считать и намотать катушку, т. е. восстановить требуемую индуктивность катушки; подготовить место для ее установки, и если потребуется, то просверлить новые отверстия для монтажа вы­водов катушки; если нельзя использовать преж­нюю печать проводников для подключения вы­водов катушки к схеме, тогда следует с помощью навесного монтажа произвести соединение и рас­пайку выводов катушки в соответствии со схе­мой, а затем произвести настройку установлен­ной катушки.

4. При замене вышедшего из строя транзистора другим, не соответствующим по некоторым па­раметрам заменяемому, например с меньшим на 10... 15 % коэффициентом передачи тока, то для компенсации этого параметра рекомендуется на 5... 10 % увеличить ток данного каскада. Если этого окажется недостаточным, то можно изме­нить режим работы предыдущего или последую­щего каскадов подбором сопротивления резисто­ров или изменением межкаскадной связи так, чтобы общий коэффициент усиления тракта от­вечал норме.

Советские полупроводниковые приборы обо­значаются в соответствии с ГОСТ 10862 — 72.

За рубежом наиболее распространенной си­стемой маркировки полупроводниковых приборов является новая Американская система JEDEC. По этой системе все полупроводниковые прибо­ры, зарегистрированные ассоциацией электронной промышленности (EIA), обозначаются условным кодом: IN — диоды, 2N — транзисторы, 3N — тетроды (биполярные транзисторы с двумя эмит­терами или с двумя коллекторами либо полевые, МОП-транзисторы с двойным затвором). За бук­вой N следует серийный номер и далее может быть одна или две буквы, указывающие подгруппу прибора данного типа.

Примеры обозначения полупроводниковых при­боров по системе JEDEC (США): 1N555 — диод,серийный номер 550; 2N503 — транзистор, серийный номер 503; 2N1494A — транзистор, серийный номер 1494 подгруппы А.

В Европе для маркировки полупроводниковых приборов, кроме системы JEDEC, в некоторых странах, например во Франции, ФРГ, Италии, ВНР и других, применяется новая европейская система Pro-Electron. Согласно этой системе все полупроводниковые приборы широкого примене­ния маркируются двумя буквами и тремя цифрами, а приборы — для профессиональной и специальной аппаратуры — тремя буквами и двумя цифрами. В обоих случаях техническое значение имеют только две первые буквы, а все остальные указывают порядковый номер или особое обозначение прибора.

По системе Pro-Electron первая буква обозна­чает вид исходного материала: А — германий, В — кремний, С — арсенид галлия, D — антимо-нид индия, Р — сложный материал.

Вторая буква обозначает функциональное на­значение, тип, класс прибора: А — маломощный диод, В — диод с переменной емкостью, С — ма­ломощный НЧ транзистор, Е — туннельный диод, мощный НЧ транзистор, R — маломощный ти­ристор, D — мощный ВЧ транзистор, F — мало­мощный ВЧ транзистор, Р — фотодиод, фототран­зистор, К — генератор Холла, Н — измеритель напряженности поля, М — модулятор Холла, Т — мощный тиристор, Ом — электролюминесцентный диод, Y — мощный, выпрямительный диод, X — умножительный диад (варактор), S — мало­мощный переключающий транзистор, Z — стаби­литрон, U — мощный переключающий транзи­стор,- G — сложный прибор (в одном корпусе несколько различных приборов).

При обозначении транзисторов по этой сис­теме в некоторых странах дополнительно марки­руется величина статического коэффициента передачи тока (Л₂|э) в пределах одного типа Эти группы обозначены после серийного номера транзистора римскими цифрами или заглавными буквами. Так, транзисторы ВНР типа АС128 по величине коэффициента h_2l3 делятся на группы:

V (коэффициент передачи тока 50... 100), VI (75... 150), VII (125...300), а транзистор типа ВС109 имеет группы: А (Л_2Ш= 125...260), В (240... 500), С (450...900).

В основу обозначения полупроводниковых при­боров ПНР, ЧССР, ГДР положена система Pro-Electron.

По системе, принятой в ПНР для марки­ровки полупроводниковых приборов широкого применения, после первых двух букв системы Pro-Electron дополнительно ставится буква Р и далее серийный номер, а для приборов промышленного назначения после первых двух букв системы Pro-Electron дополнительно ставят­ся две буквы YP. Кроме того, вместо буквы Y перед буквой Р могут стоять буквы Z, X, W, указывающие дополнительные данные этого типа прибора.

Примеры обозначения полупроводниковых при­боров по системе, принятой в ПНР: ВСР627В — кремниевый маломощный НЧ транзистор, серий­ный номер 627 группы В, широкого применения: BFP177 — кремниевый маломощный ВЧ тран­зистор, серийный номер 177, широкого приме­нения; ADP671 — германиевый мощный НЧ тран­зистор, серийный номер 671, широкого применения; BDP109 — кремниевый мощный тран­зистор, серийный номер 109, широкого примене­ния.

По системе, принятой в ЧССР для марки­ровки полупроводниковых приборов, первая буква кода указывает тип исходного материала G (гер­маний) и К (кремний), а у приборов ГДР ма­териал обозначают буквами G (германий) и S (кремний), остальная часть кода соответ­ствует системе Pro-Electron. Кроме того, в тран­зисторах ЧССР к обозначению некоторых типов приборов добавляют цифры или буквы или нано­сят на его корпус цветную метку, указывающие коэффициент передачи тока или емкость коллекторного перехода. Так, 1) транзистор типа 104NU70 с коэффициентом передачи тока 20...30 имеет красную метку, 30...40 — оран­жевую, 40...50 — желтую, 50...60 — зеленую, 60... 75 — голубую, 75...100 — фиолетовую, 100 и бо­лее — белую; 2) транзистор типа 152NU70 с ем­костью коллекторного перехода 8...9 pF имеет зе­леную метку, с 9...10,7 pF — голубую, с 10,7...13,1 pF — красную, с 15,9...18 pF — черную, с 18...22 pF — белую и с 22...26 pF — фиолетовую; 3) транзисторы типа GF507, предназначенные для предварительных каскадов усилителя, обозначаются буквой А (либо белой меткой на корпусе) для смесителя и гетеродина буквой В (зеленая метка на корпусе).

Некоторые типы транзисторов, рассчитанные для работы в двухтактных каскадах усилителя ЗЧ класса В, имеют перед обозначением цифру 2. Эти транзисторы подобраны так, что их коэффи­циенты передачи тока отличаются не более чем на 15 %.

До введения новой системы Pro-Electron для маркировки полупроводниковых приборов в Европе использовалась кодовая система, кото­рая в настоящее время именуется как «старая европейская система». По этой системе после первого элемента кода буквы О следовали буквы, указывающие основной класс прибора (А — диод, С — транзистор, А — стабилитрон, АР — фотодиод, СР — фототранзистор, RP —

фотопроводящий элемент) и далее следовал серийный номер выпуска прибора.

Примеры обозначения полупроводниковых при­боров по старой европейской системе: ОА150 — полупроводниковый диод, серийный номер 150; ОС35 — транзистор, серийный номер 35; ОА202 — стабилитрон, серийный номер 202.

В Японии для маркировки полупроводниковых приборов применяется кодовая система, состоя­щая из пяти знаков (элементов).

По этой системе первый элемент кода обозна­чает тип полупроводников прибора: 1 — диод, 2 — транзистор, 3 — четырехслойный прибор, 0 — фотодиод, фототранзистор.

Второй элемент указывает, что прибор явля­ется полупроводниковым (S — кремний, G — гер­маний).

Третий элемент определяет структуру и класс прибора: А — высокочастотный р-n-р-транзис-тор, В — низкочастотный p-n-p-транзистор, С — высокочастотный n-p-n-транзистор, D — низко­частотный n-p-n-транзистор, Е — прибор с че-тырехслойной p-n-p-n-структурой, G — прибор с четырехслойной n-р-n-р-структурой, Н — од-нопереходный транзистор, I - полевой транзис­тор с р-каналом, К — полевой транзистор с n-каналом, М — симметричный тиристор. Фо­тодиоды и фототранзисторы третьего элемента маркировки не имеют.

Четвертый элемент обозначает регистрацион­ный номер начиная с 11.

Пятый элемент: буква А обозначает первое усовершенствование и В — второе. После марки­ровки у некоторых приборов ставится индекс N, M, S, показывающий отношение к требо­ваниям специальных стандартов.

Кроме указанных систем маркировки полупро­водниковых приборов, в некоторых странах часто применяются свои фирменные обозначения, при этом чаще всего берется принцип сокра­щенного обозначения фирмы, коды материала и применения. Так, например, фирма NEC марки­рует свои полупроводниковые приборы следую­щим кодом: SD — полупроводниковый диод, RD — стабилитрон, SL — светодиод, SV — ва-рактор, SD — варистор, AD — лавинно-пролет-ный диод, GD — диод Ганна, V — новый полу­проводниковый прибор.

Для маркировки малогабаритных полупровод­никовых приборов вместо цифровых и буквенных обозначений применяется цветовой код (табл. 9).