А. Рыбалко, В. Андрианов, О. Таргоня, А. Богдан



бет5/5
Дата29.06.2016
өлшемі293.5 Kb.
1   2   3   4   5

Микросхема К157ХП2

Интегральная микросхема К157ХП2 предназначена в основном для создание генератора токов стирания и подмагничивания и стабилизатора напряжения с электронным управлением.

Функциональная схема ИС К157ХП2, совмещенная с типовой схемой включе ния, приведена на рис. 15. Микросхема включает в себя источник образцового напряжения (4) с устройством управления временем включения и выключения, усилигель сигнала рассогласования (3), регулирующий элемент (2) с токовой и тепловой защитой, выходной делитель (1) и отдельные транзисторные структуры с цепями смещения для создания генератора токов стирания и подмагничивания. Необходимое выходное напряжение стабилизатора может быть установлено как внутренним делителем, так и внешним, подключаемым к выводам 11, 6, 7 микро­схемы. Допускается совместное использование делителей. При использовании внутреннего делителя могут быть установлены выходные напряжения, близкие к указанным в табл. 2.

Таблица 2

Напряжение, В

Соединить выводы

12

5, 6

10,5

4, 5, 6

9

4, 6 и 5, 7

5,5

4, 6

3

5, 6 и 4, 11

1,3

6, П

С помощью внешнего делителя можно установить выходное напряжение от 1.3 до 33 В. Для нормальной работы стабилизатора входное напряжение должно превышать выходное не менее чем на 2,5 В. Время включения и выклю­чения выходного напряжения стабилизатора определяется емкостью конденса­тора, подключаемого к выводам 7 и 8 микросхемы.

При температуре окружающей среды от +25 до +70 °С рассеиваемая мощ­ность рассчитывается по формуле





Основные электрические параметры микросхемы К157ХП2

Пределы регулирования выходного напряжения, В.......1,3...33

Выходное напряжение закрытого стабилизатора, В, не более . . 0,1

Ток холостого хода, мА................. 3,2...7,0

Ток холостого хода закрытого стабилизатора, мА....... 0,5...2,0

Входной ток усилителя сигнала рассогласования, мкА, не более . . 0.5

Выходной ток устройства управления временем включения, мА . 1,0 .2.6

Ток, потребляемый устройством управления временем включения, мА 1.0...2.9

Коэффициент нестабильности по напряжению, не более..... ±0.002

Коэффициент нестабильности по току, не более........±0.01

Относительный температурный коэффициент выходного напряжения,

%/°С, не более........... .......0,05

Ток короткого замыкания, мА, не более........... 150. 45О

Параметры транзисторных структур

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 100 мА, Ig — =

= 2,5 мА, В, не более................. 0,75

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 100 мА, IБ — 2,5 мА,

В, не более..................... 1,25

Начальный ток коллектора при R6=10 кОм, мкА, не более . , . 1.0



Предельно допустимые режимы эксплуатации

Входное напряжение, В................. 4-40

Выходной ток стабилизатора, мА, не более ........ 1э0

Напряжение коллектор-эмиттер транзисторных структур, В, не более 40 Напряжение эмиттер-база транзисторных структур, В, не более . . 7

Постоянный ток коллектора транзисторных структур, мА, не более 150 Рассеиваемая мощность (в диапазоне температур — 25... + 2S °С). Вт 1

Принципиальная схема микросхемы показана на рис. 16.

Источник образцового напряжения выполнен по термокомпенсированнон схеме на транзисторах VT1O, VT12, VT15, VT17 (температурный коэффициент напряжения не превышает 0,01 мВ/°С), обеспечивающей значение образцового напряжения 1,25...1,35 В, т. е. весьма близкое к напряжению энергетической зоны полупроводникового материала (1,206 В для кремния). Питание транзисторов источника обеспечивается генератором тока на транзисторах VT2, VT4, VT7 и токовым отражателем на транзисторах VTSr и VT9.

Усилитель сигнала рассогласования выполнен на транзисторах VT20, V Т27 и VT21, VT26, образующих входной дифференциальный каскад с активной на­грузкой на транзисторах VT23. VT25. Один из коллекторов транзистора VTN служит динамической нагрузкой выходного каскада усилителя сигнала рассогла­сования, а остальные — генераторами тока. Режим транзистора VT14 обеспечи­вается источником тока на транзисторах VTI, VT3, VT6, VT8. Регулирующий транзистор VT24 управляется усилителем рассогласования через эмиттерный повторитель на транзисторе VT22.





Рис. 16. Принципиальная схема стабилизатора напряжения с электронным управ лением и элементами генератора токов стирания и подмагничивания К157ХП2
Для защиты стабилизатора от перегрузок (при превышении тока нагрузки более 200 мА) предназначены транзистор VT19 в диодном включении и резистор R12, падение напряжения на котором при перегрузке открывает диод и закры­вает транзистор. Проводимость последнего уменьшается, а следовательно, умень­шаются и базовые токи транзисторов VT22 и VT24, что ведет к ограничению проходящего через них тока нагрузки.

Защита кристалла от перегрева осуществляется транзистором VT18, на базу которого подана часть образцового напряжения, недостаточная для его откры­вания при нормальной температуре. При повышении температуры кристалла до +165...180°С транзистор VT18 открывается и шунтирует базовую цепь тран­зистора VT22. Транзисторы VT29 и VT30 предназначены для построения генера­тора тока стирания и подмагничивания.



Микросхема К547КП1

Микросхема К547КШ предназначена для переключения аналоговых сигна лов Она содержит четыре идентичных МОП-транзистора (ключа) с индуциро­ванным каналом р-типа Ключи имеют большое отношение сопротивлений в про­водящем закрытом состоянии, хорошую изоляцию по постоянному току межд) цепями управления (затворов) и цепями коммутируемого сигнала (сток, исток) и, подобно электромеханическим реле, обеспечивают передачу сигнала в обоих направлениях





Рис. 17. Принципиальная схема четырехканального электронно го переключателя К547КП1
Открывают ключи подачей на затворы напряжения отрицательной полярно сти, которое должно превышать максимальное отрицательное напряжение ком мутируемого сигнала (на стоке или истоке) не менее чем на величину порого вого напряжения ключа (для надежного открывания ключа выбирается обычно около 3 В) Для закрывания ключей на затворы должно быть подано положи тельное напряжение коммутируемого сигнала Напряжение на подложке должно быть положительным по отношению к стоку и к истоку и превышать максимальное положительное напряжение сигнала.

Микросхемы К547КП1 внутри серии подразделяются на четыре группы (А Б, В, Г), отличающиеся максимально допустимым напряжением между стоком (истоком) и подложкой Кроме того, для группы Г нормируется коэффициент идентичности динамических сопротивлений между стоком и истоком транзисторов, что позволяет использовать их в схемах многоканальных аттенюаторов напряжения.


Основные электрические пара нетры микросхем К547КП1

Пороговое напряжение, В — 3 — 6 Динамическое сопротивление в открытом состоянии, Ом, не более 100 Ток утечки при предельно допустимых напряжениях, нА, не более 50 Ток утечки закрытого ключа, нА, не более 50

Коэффициент неидентичности динамических сопротивлений сток-исток 50 транзисторов (для группы Г) дБ не более 3

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Напряжение между затвором и подложкой, В, не более 40

Напряжение между стоком (истоком) и подложкой, В, не более

для группы А ... 30

для группы Б ..... . 25

для группы В , . . 15

для группы Г .15

Наибольший коммутируемый ток, мА 20

Рассеиваемая мощность (в диапазоне температур — 25 +25 °С), мВт, не более . . . 500

Диапазон рабочих температур, °С . — 25 + 70

Электрическая схема микросхемы К547 и распайка ее выводов в корпусе показана на рис 17
ББК 32.84 Р15
Рецензент Ю. И. Крылов

Радиоежегодник-86/Сост. А. В. Гороховский. — Р15 М.: ДОСААФ, 1986. — 144 с.

75 к
В Ежегоднике подводятся основные итоги радиоспортивного 1984 — 1985 года Рассказывается о гетеродинном приемнике на диапа­зон 20 м дается обзор приемопередающих KB антенн, приводятся основы проектирования малошумящих усилителей 34 описываются по пулярные конструкции кассетного магнитофона, электропроигрывателя цифпового частотомера, квазисенсорных переключателей, рассчитанные на самостоятельное изготовление Приводятся справочные данные по интегральным микросхемам для аппаратуры магнитной записи
2402020000 — 083 ББК 32.84

Р----------------25-86

072(02) — 86
©Издательство ДОСААФ СССР, 1986
Составитель Анатолий Владимирович Гороховский
РАДИОЕЖЕГОДНИК-86
Заведующий редакцией А. В. Куценко

Редактор Л. И. Карнозов

Художник Л. С. Вендров

Художественный редактор Т. А. Хитрова

Технический редактор 3. И. Сарвина

Корректоры Е. А. Платонова, Н. В. Елкина

ИБ № 1941
Сдано в набор 23.12 85. Подписано в печать 23 06 86. Г-93906. Формат 60x90/16 Бумага тип. № 2 Гарнитура литературная. Печать офсетная. Усл. п. л 9,0 Усл. кр.-отт. 9,25. Уч.-изд. л. 9,71. Тираж 200 000 экз Зак. 6-12 Изд. № 2/п.384

Цена 75 к

Ордена «Знак Почета» издательство ДОСААФ СССР. 129110, Москва, Олимпийский просп., 22

Харьковская книжная фабрика «Коммунист» 310012, Харьков, ул Энгельса, 11.


OCR Pirat


Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5




©dereksiz.org 2020
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет