А. Рыбалко, В. Андрианов, О. Таргоня, А. Богдан
жүктеу/скачать 293.5 Kb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Микросхема К547КП1
Микросхема К157ХП2Интегральная микросхема К157ХП2 предназначена в основном для создание генератора токов стирания и подмагничивания и стабилизатора напряжения с электронным управлением. Функциональная схема ИС К157ХП2, совмещенная с типовой схемой включе ния, приведена на рис. 15. Микросхема включает в себя источник образцового напряжения (4) с устройством управления временем включения и выключения, усилигель сигнала рассогласования (3), регулирующий элемент (2) с токовой и тепловой защитой, выходной делитель (1) и отдельные транзисторные структуры с цепями смещения для создания генератора токов стирания и подмагничивания. Необходимое выходное напряжение стабилизатора может быть установлено как внутренним делителем, так и внешним, подключаемым к выводам 11, 6, 7 микросхемы. Допускается совместное использование делителей. При использовании внутреннего делителя могут быть установлены выходные напряжения, близкие к указанным в табл. 2.
С помощью внешнего делителя можно установить выходное напряжение от 1.3 до 33 В. Для нормальной работы стабилизатора входное напряжение должно превышать выходное не менее чем на 2,5 В. Время включения и выключения выходного напряжения стабилизатора определяется емкостью конденсатора, подключаемого к выводам 7 и 8 микросхемы. При температуре окружающей среды от +25 до +70 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле 
Основные электрические параметры микросхемы К157ХП2 Пределы регулирования выходного напряжения, В.......1,3...33 Выходное напряжение закрытого стабилизатора, В, не более . . 0,1 Ток холостого хода, мА................. 3,2...7,0 Ток холостого хода закрытого стабилизатора, мА....... 0,5...2,0 Входной ток усилителя сигнала рассогласования, мкА, не более . . 0.5 Выходной ток устройства управления временем включения, мА . 1,0 .2.6 Ток, потребляемый устройством управления временем включения, мА 1.0...2.9 Коэффициент нестабильности по напряжению, не более..... ±0.002 Коэффициент нестабильности по току, не более........±0.01 Относительный температурный коэффициент выходного напряжения, %/°С, не более........... .......0,05 Ток короткого замыкания, мА, не более........... 150. 45О
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 100 мА, Ig — = = 2,5 мА, В, не более................. 0,75 Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 100 мА, IБ — 2,5 мА, В, не более..................... 1,25 Начальный ток коллектора при R6=10 кОм, мкА, не более . , . 1.0 Предельно допустимые режимы эксплуатации Входное напряжение, В................. 4-40 Выходной ток стабилизатора, мА, не более ........ 1э0 Напряжение коллектор-эмиттер транзисторных структур, В, не более 40 Напряжение эмиттер-база транзисторных структур, В, не более . . 7 Постоянный ток коллектора транзисторных структур, мА, не более 150 Рассеиваемая мощность (в диапазоне температур — 25... + 2S °С). Вт 1 Принципиальная схема микросхемы показана на рис. 16. Источник образцового напряжения выполнен по термокомпенсированнон схеме на транзисторах VT1O, VT12, VT15, VT17 (температурный коэффициент напряжения не превышает 0,01 мВ/°С), обеспечивающей значение образцового напряжения 1,25...1,35 В, т. е. весьма близкое к напряжению энергетической зоны полупроводникового материала (1,206 В для кремния). Питание транзисторов источника обеспечивается генератором тока на транзисторах VT2, VT4, VT7 и токовым отражателем на транзисторах VTSr и VT9. Усилитель сигнала рассогласования выполнен на транзисторах VT20, V Т27 и VT21, VT26, образующих входной дифференциальный каскад с активной нагрузкой на транзисторах VT23. VT25. Один из коллекторов транзистора VTN служит динамической нагрузкой выходного каскада усилителя сигнала рассогласования, а остальные — генераторами тока. Режим транзистора VT14 обеспечивается источником тока на транзисторах VTI, VT3, VT6, VT8. Регулирующий транзистор VT24 управляется усилителем рассогласования через эмиттерный повторитель на транзисторе VT22. 
Рис. 16. Принципиальная схема стабилизатора напряжения с электронным управ лением и элементами генератора токов стирания и подмагничивания К157ХП2 Для защиты стабилизатора от перегрузок (при превышении тока нагрузки более 200 мА) предназначены транзистор VT19 в диодном включении и резистор R12, падение напряжения на котором при перегрузке открывает диод и закрывает транзистор. Проводимость последнего уменьшается, а следовательно, уменьшаются и базовые токи транзисторов VT22 и VT24, что ведет к ограничению проходящего через них тока нагрузки. Защита кристалла от перегрева осуществляется транзистором VT18, на базу которого подана часть образцового напряжения, недостаточная для его открывания при нормальной температуре. При повышении температуры кристалла до +165...180°С транзистор VT18 открывается и шунтирует базовую цепь транзистора VT22. Транзисторы VT29 и VT30 предназначены для построения генератора тока стирания и подмагничивания. Микросхема К547КП1Микросхема К547КШ предназначена для переключения аналоговых сигна лов Она содержит четыре идентичных МОП-транзистора (ключа) с индуцированным каналом р-типа Ключи имеют большое отношение сопротивлений в проводящем закрытом состоянии, хорошую изоляцию по постоянному току межд) цепями управления (затворов) и цепями коммутируемого сигнала (сток, исток) и, подобно электромеханическим реле, обеспечивают передачу сигнала в обоих направлениях 
Рис. 17. Принципиальная схема четырехканального электронно го переключателя К547КП1 Открывают ключи подачей на затворы напряжения отрицательной полярно сти, которое должно превышать максимальное отрицательное напряжение ком мутируемого сигнала (на стоке или истоке) не менее чем на величину порого вого напряжения ключа (для надежного открывания ключа выбирается обычно около 3 В) Для закрывания ключей на затворы должно быть подано положи тельное напряжение коммутируемого сигнала Напряжение на подложке должно быть положительным по отношению к стоку и к истоку и превышать максимальное положительное напряжение сигнала. Микросхемы К547КП1 внутри серии подразделяются на четыре группы (А Б, В, Г), отличающиеся максимально допустимым напряжением между стоком (истоком) и подложкой Кроме того, для группы Г нормируется коэффициент идентичности динамических сопротивлений между стоком и истоком транзисторов, что позволяет использовать их в схемах многоканальных аттенюаторов напряжения. Основные электрические пара нетры микросхем К547КП1 Пороговое напряжение, В — 3 — 6 Динамическое сопротивление в открытом состоянии, Ом, не более 100 Ток утечки при предельно допустимых напряжениях, нА, не более 50 Ток утечки закрытого ключа, нА, не более 50 Коэффициент неидентичности динамических сопротивлений сток-исток 50 транзисторов (для группы Г) дБ не более 3
Напряжение между затвором и подложкой, В, не более 40 Напряжение между стоком (истоком) и подложкой, В, не более для группы А ... 30 для группы Б ..... . 25 для группы В , . . 15 для группы Г .15 Наибольший коммутируемый ток, мА 20 Рассеиваемая мощность (в диапазоне температур — 25 +25 °С), мВт, не более . . . 500 Диапазон рабочих температур, °С . — 25 + 70 Электрическая схема микросхемы К547 и распайка ее выводов в корпусе показана на рис 17
Радиоежегодник-86/Сост. А. В. Гороховский. — Р15 М.: ДОСААФ, 1986. — 144 с. 75 к
Цена 75 к Ордена «Знак Почета» издательство ДОСААФ СССР. 129110, Москва, Олимпийский просп., 22 Харьковская книжная фабрика «Коммунист» 310012, Харьков, ул Энгельса, 11. OCR Pirat жүктеу/скачать 293.5 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|