Электр станциялары және электрэнергетикалық жүйелері кафедрасы
Принципиальная схема высоковольтного моста
жүктеу/скачать 1.59 Mb. Pdf көрінісі
|
| 1.2 Принципиальная схема высоковольтного моста
Рассмотрим порядок измерения tgd и С х на высоковольтном мосте, представленном на рисунке 1.1, дающий возможность определить величины этих характеристик при частотах порядка 25―600 Гц. Рисунок 1.1 - Принципиальная схема высоковольтного моста Работа на мосте переменного тока сводится к подбору регулируемого сопротивления R 3 и емкости С 4 , при которых нульиндикатор G будет показывать нуль. При достигнутом равновесии моста искомая величина емкости С х вычисляется по формуле: С х = С э , (1.3) где С э ― емкость образцового (воздушного) конденсатора, пФ (указана на конденсаторе). По величине емкости С х и известным величинам S и h подсчитывают диэлектрическую проницаемость электроизоляционного материала: e= , (1.4) где h - толщина образца, м; S - площадь обкладок конденсатора с данным диэлектриком, м 2 ; e 0 =8.85×10 -12 , Ф/м ― электрическая постоянная. tgd при достигнутом равновесии моста численно равен величине регулируемой емкости С 4 моста, т.е tgd = çС 4 ç. (1.5) Испытуемый диэлектрик или конденсатор С х соединяется в схему моста с образцовым конденсатором С э , емкость которого равна 100 ± 10 пФ и тангенс угла не превышает 5×10 -5 , магазином сопротивления R 3 и магазином емкости С 4 в точках А, В, С, Д. Питание моста подведено к точкам С и Д от повысительного трансформатора типа НОМ ― 10. Плечо R 3 представляет собой безреактивное сопротивление на 10х(1000+100+10+0.1) Ом. Сопротивление R 4 включено параллельно емкости С 4 , состоит из двух разных безреактивных сопротивлений, соединенных между собой последовательно. Величина R 4 составляет Ом. жүктеу/скачать 1.59 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|