Инжекция из эмиттера в базу; 2. Диффузия через базу; 3. Рекомбинация в базе 4.Экстракция из базы в коллектор - Транзистор - полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами,
- предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов.
- В транзисторе используются оба типа носителей – основные и неосновные, поэтому его называют биполярным.
- В биполярном транзисторе реализуются четыре физических процесса:
- По материалу полупроводника: - Германиевые - Кремниевые
- По типу проводимости областей: - С прямой проводимостью (p-n-p структура) - С обратной проводимостью (n-p-n структура)
- По принципу действия: - Биполярные - Полевые (униполярные)
- По частотным свойствам: - Низкой частоты (<3 МГц) - Средней частоты (3…30 МГц) - Высокой и сверхвысокой частоты (>30 МГц)
- По мощности: - Маломощные (< 0,3 Вт) - Средней мощности (0,3…3 Вт) - Мощные (> 3 Вт)
- Классификация транзисторов.
- Э – эмиттер, Б – база,
- К - коллектор, W – толщина базы,
- ЭП – эмиттерный переход,
- КП – коллекторный переход
- 1 – кристоллодержатель
- 2 – коллекторный переход
- 3 – база
- 4 – вывод базы
- 5 – вывод эмиттера
- 6 – эмиттер
- 7 – эмиттерный переход
- 8 – коллектор
- 9 – вывод коллектора
- a = dIk/dIэ при UкБ=const
- a=0,9-0,995
- Iк = Iко + Iэ
- IБ =Iэ - Iк =
- =(1- a) Iэ - Iко<< Iэ ~Iк
- Движение носителей заряда в транзисторе N-P-N
- Недостатки схемы: - схема не усиливает ток α<1 - малое входное сопротивление - два разных источника для питания
- Достоинства: хорошие температурные и частотные свойства
- = ΔIк/ ΔIэ при Uкб = сonst
- где – коэффициент передачи тока.
- = 0,9 − 0,995(Iб − мал, Iк ≈ Iэ, область n − тонкая, дырок мало и Iб − мал)
- Схема включения транзистора с общей базой
- Недостатки схемы: худшие, чем у схемы с общей базой, температурные и частотные свойства Достоинства: - большой коэффициент усиления по току - большее, чем у схемы с общей базой, входное сопротивление - для питания схемы требуются 2 однополярных источника питания, что позволяет на практике обходиться одним
- Коэффициент усиления по току
- = Δ Iк/ Δ Iб при Uкэ = const
- Δ Iб = Δ Iэ – Δ Iк, то
- Недостатки схемы: схема не усиливает напряжение
- Достоинства: большое входное сопротивление и сравнительно низкое выходное сопротивление
- Схема включения транзистора с общим коллектором
- Выходные статические характеристики
- Входные статические характеристики
- Характеристики и параметры БТ, включенного по схеме с ОЭ
- h11=ΔUБЭ/ΔIБ (при Uкэ = const) Участок СВ:
- ΔIб = ΔIб΄– ΔIб΄΄; ΔUбэ = ΔUб
-
- h11 - входное сопротивление транзистора (100…1000 Ом);
- h12 - коэффициент обратной связи по напряжению; показывает степень влияния выходного напряжения на входное (0,002…0,0002);
- h12= ΔU'БЭ / ΔUКЭ (при Iб = const) Участок DА: ΔU'БЭ = U'БЭ0 - U'БЭ; ΔUКЭ = UКЭ0 – Uкэ5 ; Iб = Iб0
- h21 - коэффициент усиления по току или коэффициент передачи тока (10…200);
- h21 = ΔIк / ΔIб ( при Uкэ = const)
- Участок ВС:
- ΔIк = Iк΄΄ - Iк΄; ΔIб = Iб΄΄- Iб΄; Uкэ = Uкэ0
- h22 - выходная проводимость (10-3….10-7 См)
- h22 = ΔIк΄/ ΔUкэ (при Iб = const)
- Участок DE:
- ΔUкэ = Uкэ΄΄ - Uкэ΄; Iб = Iб0
- Схема включения транзистора в
- активном режиме работы
- Биполярный транзистор может работать в трех режимах: отсечки (I), насыщения (II), активном (III).
- Режимы работы биполярного транзистора
- 1 - в схемах переключения,
- 2 - выходных каскадах УНЧ,
- 3 - преобразователях и стабилизаторах
- постоянного тока
- 4 - во вторичных источниках питания и
- других переключающих устройствах
- 5 - в схемах операционных усилителей,
- видеоусилителей и генераторов разверток
- Применение биполярных транзисторов
Достарыңызбен бөлісу: |
