Сочетание излучательного диода с фотоприемником, например, фотодиодом, позволяет создать разнообразные по функциональному назначению оптоэлектронные приборы. Простейший из них – оптрон, в котором оптически связаны излучательный диод и фотоприемник. Под действием входного напряжения изменяется интенсивность светового потока, поступающего в фотоприемник. Это приводит к изменению сопротивления фотоприемника, тока в выходной цепи и напряжения, снимаемого с нагрузки. В оптроне имеется однонаправленность в прохождении сигнала, а наличие высокой гальванической развязки между входной и выходной цепями позволяет управлять с помощью низких напряжений высокими напряжениями до сотен кВ), легко связывать цепи с различными частотными свойствами.
Основные параметры – коэффициент передачи( отношение выходного сигнала ко входному) быстродействие, сопротивление и емкость развязки.
Чувствительность выше, чем у диодных, но хуже температурная стабильность. Работает медленнее диодных.
Переменный резистор позволяет уменьшать чувствительность
Используется в управляемых выпрямительных устройствах. По сравнению с импульсными трансформаторами дешевле, технологичнее, менее подвержены помехам.
Оптроны
+
-
-
-
+
U
Rн
1 июля 1948 г. в подвале газеты «Нью-Йорк Таймс» появилась короткая заметка под заголовком «Создание транзистора». В ней сообщалось об изобретении «электронного прибора, способного заменить в радиотехнике обычные электровакуумные лампы».
Транзисторы
Транзистор (от англ. Transfer - переносить и Resistor - резистор), полупроводниковый прибор, использующийся для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной - электронной (n) и дырочной (p) - проводимостью. Первый транзистор был изобретен в 1948 году американцами У.Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (которые чаще называют просто транзисторами) и униполярные (которые чаще называют полевыми транзисторами). Рассмотрим эти два типа транзисторов.
1 июля 1948 г. в подвале газеты «Нью-Йорк Таймс» появилась короткая заметка под заголовком «Создание транзистора». В ней сообщалось об изобретении «электронного прибора, способного заменить в радиотехнике обычные электровакуумные лампы».
Ламповая усилительная техника стала развиваться в результате появления в 1904г. вакуумного диода, изобретенного американским инженером Флемингом, и в особенности после изобретения Ли де Форестом в 1907г. вакуумного триода.
Исследователи из фирмы «Белл телефон лабораторис», Джон Бардин. Уильям Шокли и Уолтер Браттейн (слева направо), были удостоены в 1956 г. Нобелевской премии по физике за открытие транзисторного эффекта. Внизу показан рисунок из записной книжки Браттейна, где изображена электрическая схема прибора, который был продемонстрирован в 1947 г.
