Материалы и методы нанотехнологий : учебное пособие

105
2.4. гетероструктуры
ниях. В трехмерном (3D) полупроводнике плотность состояний N(E) 
является непрерывной функцией. Уменьшение размерности электрон-
ного газа приводит к изменению энергетического спектра от непре-
рывного к дискретному вследствие его расщепления (рис. 2.3). Кванто-
вая точка обладает полностью дискретным энергетическим спектром.
E
а
б
в
г
3
D
dN
/dE
~ E
1/2
E
2
D
dN
/dE
~ const
E
1
D
dN
/dE
~ E
-
1/2
E
0
D
dN
N
(E
)
N
(E
)
N
(E
)
N
(E
)
/dE
~ δ
(E)
Рис. 2.3. Плотность состояний N(E) для носителей заряда
как функция размерности полупроводника:
а
— трехмерный (3D) полупроводник; б — квантовая яма (2D);
в
— квантовая проволока (1D); г — квантовая точка (0D)
Квантовую точку иногда называют «искусственным» атомом или 
«сверхатомом». Размеры квантовых точек имеют порядок нескольких 
нанометров. В квантовой точке валентные электроны всех атомов 
обобществляются подобно свободным электронам в металлах. Кван-
товые точки реализуют предельный случай размерного квантования 
в полупроводниках, когда модификация электронных свойств мате-
риалов наиболее выражена. Одно из интересных свойств квантовых 

106

жүктеу/скачать 3.3 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: