Разработка технологии выращивания градиентных кристаллов твердых растворов sb 1 X Bi X



жүктеу/скачать 362.5 Kb.
Дата23.07.2016
өлшемі362.5 Kb.
#216972
түріДиссертация
Для заказа доставки работы

воспользуйтесь поиском на сайте http://www.mydisser.com/search.html

ВОСТОЧНОУКРАИНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ



имени Владимира ДАЛЯ
УДК 546.86/.87:548.55 На правах рукописи

Луцкий


денис валерьевич
разработка технологии выращивания

ГРАДИЕНТНЫХ КРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Sb1-xBix
Специальность 05.27.06 – технология, оборудование и производство электронной техники

Диссертация


на соискание учёной степени

кандидата технических наук



Научный руководитель

профессор, доктор технических наук

Г.Н. КОЖЕМЯКИН


Луганск – 2013 г.



ВВЕДЕНИЕ 6

Выводы 13

Список использованных источников 15



ВВЕДЕНИЕ
Система висмут-сурьма представляет научный и практический интерес, так как образует непрерывный ряд твердых растворов с уникальными свойствами. Особый интерес привлекает изменение параметров кристаллической решетки в них на 5,1 %, что позволяет применять их для рентгеновской оптики [1-4]. Однако до настоящего времени детально изучались твердые растворы висмут-сурьма, обогащенные висмутом. Они нашли применение для производства высокоэффективных твердотельных охлаждающих устройств, оптических генераторов в длинноволновой области ИК-излучений и др. Перспективным является использование монокристаллов этих сплавов в качестве материала для создания фотоэлектрических приемников, микропроцессоров для квантовых компьютеров [5, 6, 7].

Твердые растворы данной системы сурьма-висмут, обогащенные сурьмой, ранее были исследованы лишь несколькими авторами [8-10] и благодаря прогнозируем свойствам, могут расширить область применения данных сплавов.

Одним из перспективных направлений их исследования является создание монохроматоров рентгеновкского излучения, основным рабочим элементом которых являются градиентные кристаллы. Применение кристаллов с градиентом параметров кристаллической решетки до 1 %/см в собирающих и усилительных монохроматорах позволит достичь увеличения интенсивности параллельного пучка рентгеновского излучения в 100 раз [2]. Впервые метод фокусирования рентгеновских и гамма лучей с помощью градиентных кристаллов был предложен Р.К. Смизером в 1981 г [3, 4]. Применение фокусирующих систем может найти в гамма-лучевых телескопах и микроскопах, а также для преобразования и отражения рентгеновских лучей большой мощности, что позволит создать принципиально новые рентгеновские установки и технологии для микроэлектроники.

Перспектива применения сплавов Sb-Bi в новых областях промышленности и науки обуславливает необходимость изучения условий выращивания и разработки технологии получения совершенных монокристаллов твердых растворов Sb-Bi, обогащенных сурьмой. Процессы, которые происходят при росте монокристаллов сплавов Bi-Sb обогащенных сурьмой и висмутом, подобные между собой и имеют много общего. Однако такие особенности и свойства сплавов Sb-Bi, как склонность к дендритной ликвации, большая анизотропия теплопроводности и увеличение объема при кристаллизации создают трудности при выращивании монокристаллов данных твердых растворов с совершенной структурой.

Выращивание градиентных кристаллов сплавов Sb-Bi, обогащенных сурьмой, известными консервативными методами направленной кристаллизации практически осуществить довольно сложно. Такие недостатки сплавов, как склонность к концентрационному переохлаждению и существенное отличие температур плавления компонентов сплава Sb-Bi препятствуют использованию данных методов при выращивании кристаллов этих сплавов. Для выращивания градиентных кристаллов сплавов Sb-Bi в процессе роста необходимо расплав подпитывать висмутом. Так как значение коэффициента распределения висмута меньше единицы, необходимо вводить массу висмута, превышающую массу расплава. Поэтому при выращивании градиентных кристаллов сплавов Sb-Bi целесообразно применять неконсервативные методы роста кристаллов, которые позволяют в процессе роста изменять объем расплава. К таким методам можно отнести метод Чохральского с подпиткой компонента твердой фазой.

Получение монокристаллов сплавов Sb-Bi с совершенной структурой требует разработки метода выращивания, обеспечения определенных тепловых условий процесса роста, в частности, оптимизации градиента температуры в твердой фазе, который в значительной степени определяется коэффициентом теплопроводности растущего кристалла. Как правило, градиент температуры в твердой фазе в первую очередь влияет на совершенство структуры растущего кристалла.

В настоящее время достаточно подробно изучены методы выращивания монокристаллов Bi и сплавов Bi-Sb, обогащенных Bi [11, 12]. Известно несколько способов выращивания градиентных кристаллов твердых растворов Bi-Sb. Одним из них является метод градиентной проекции, который представляет собой разновидность метода зонной перекристаллизации [13]. Метод может быть использован для выращивания кристаллов двойных, а также тройных сплавов, образующих непрерывный ряд твердых растворов, и был применен для получения градиентных кристаллов твердых растворов GaSb-InSb и сплавов Bi-Sb с градиентом параметров кристаллической решетки 0,83 %/см [14]. Другим известным способом получения градиентных кристаллов сплавов Bi-Sb является метод кристаллизации сурьмы и висмута в центрифуге под действием больших гравитационных сил [15]. При помощи подпитки твердой сурьмой методом Чохральского были выращены кристаллы сплавов Bi-Sb с градиентом параметров кристаллической решетки до 0,972 %/см [11]. Однако перечисленные методы выращивания не позволяют получить градиентные монокристаллы сплавов сурьма–висмут, обогащенных сурьмой, так как они применялись для подпитки расплава компонентом с коэффициентом распределения больше 1. Поэтому необходима разработка нового метода выращивания, позволяющего получить кристаллы с коэффициентом распределения подпитывающего компонента меньше 1.

Условия выращивания совершенных монокристаллов сурьмы и сплавов Sb-Bi, обогащенных сурьмой практически не исследовались. В этой связи представляет интерес изучение условий получения монокристаллов рассматриваемых твердых растворов, совершенства их структуры, электрофизических параметров и разработка метода выращивания градиентных кристаллов сплавов Sb-Bi, в области, обогащенной сурьмой.

Актуальность темы. Получение материалов с новыми свойствами является чрезвычайно важным направлением в технологии полупроводников в связи с миниатюризацией электронных приборов и интенсивным развитием наноэлектроных технологий. Особый интерес представляют твердые растворы, позволяющие обеспечивать изменение свойств в широком диапазоне при изменении концентрации компонентов. Однако сложность технологии их получения не позволила до настоящего времени изучить многие двухкомпонентные системы с неограниченной растворимостью.

К таким материалам относятся и твердые растворы висмут-сурьма. В системе висмут-сурьма достаточно подробно изучена область составов, обогащенных висмутом. Монокристаллы сплавов этих составов имеют узкую запрещенную щель при концентрациях от 6,5 ат.% до 22 ат.% сурьмы. Кристаллы твердых растворов висмут-сурьма с содержанием сурьмы до 15 ат.% нашли применение в качестве высокоэффективного термо- и магнитотермоэлектрического материала для температур ниже 180 К. Кроме того, монокристаллы твердых растворов на основе висмута и сурьмы представляют также интерес как материал для изготовления фотоприемников, работающих в длинноволновой области ИК-излучения до 20 мкм, приборов магнитополупроводниковой электроники и процессоров квантовых компьютеров.

С другой стороны, область твердых растворов, обогащенных сурьмой, практически не изучалась до настоящего времени. Практический интерес представляет и изменение параметров решетки =5,1% кристаллов в системе сурьма-висмут. Получение градиентных кристаллов с градиентом параметров кристаллической решетки до 1 %/см для собирающих и усилительных монохроматоров рентгеновского излучения является одной из актуальных задач рентгеновской оптики, совершенствование которой требуют задачи современной рентгеновской литографии для прогрессивных технологий наноэлектроники. Первые исследования по выращиванию градиентных кристаллов твердых растворов висмута с сурьмой, обогащенных висмутом, методами градиентной проекции и Чохральского показали практическую возможность получения данных кристаллов. Однако концентрационное переохлаждение, возникающее при выращивании кристаллов этих составов, не позволяет достичь требуемого их совершенства и заданного распределения компонентов. Выращивание твердых растворов сурьма-висмут, обогащенных сурьмой, сопровождается меньшим концентрационным переохлаждением, а отсуствие данных по исследованиям условий получения и электрофизических свойств этих кристаллов предполагают научный и практический интерес к данным материалам.

Поэтому создание и разработка технологии выращивания градиентных монокристаллов твердых растворов сурьма-висмут является актуальной физико-технологической задачей.



Связь работы с научными программами, планами, темами. Работа выполнялась в Восточноукраинском национальном университете им. Владимира Даля в рамках следующих госбюджетных тем Министерства образования и науки, молодежи и спорта Украины. Тема № ГН 5-00 "Разработка технологии выращивания градиентных кристаллов для монохроматоров рентгеновского излучения" 2000-2002 г (рег. № 0100U006291), приказ № 21-01 от 14.01.2000г. Тема ГН-11-09 " Влияние ультразвука на конвективные течения в расплаве в условиях выращивания монокристаллов Si со сниженной слоистостью легирующих компонентов" 2009 – 2011 г (рег. №0109U000079), приказ № 788-04 от 8.12.2008.

Цель и задачи исследования. Цель работы заключалась в разработке технологии выращивания монокристаллов твердых растворов Sb-Bi, обогащенных сурьмой с постоянным составом, а также градиентных кристаллов твердых растворов сурьма-висмут с градиентом параметров кристаллической решетки до 1 %/см вдоль слитка.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

  1. Определение коэффициентов активности компонентов в жидкой и твердой фазах, равновесных и эффективных коэффициентов распределения висмута в системе сурьма-висмут в области с концентрацией висмута до 20 ат. % в твердой фазе.

  2. Моделирование конвекции в жидкой фазе в условиях, близких к росту градиентных монокристаллов твердых растворов сурьма-висмут с подпиткой расплава.

  3. Определение условий выращивания градиентных кристаллов твердых растворов сурьма-висмут с контролируемым распределением компонентов вдоль слитка.

  4. Определение плотности дислокаций и исследование электрофизических свойств в монокристаллах твердых растворов Sb-Bi, выращенных без подпитки: концентрации и подвижности носителей заряда, удельного электросопротивления, термо-э.д.с. и коэффициентов теплопроводности.

  5. Исследование параметров кристаллической решетки и совершенства структуры в градиентных монокристаллах сплавов Sb-Bi.

Объектом исследования является технологический процесс роста монокристаллов твердых растворов сурьма-висмут.

Предметом исследования являются монокристаллы твердых растворов сурьма-висмут постоянного состава с содержанием висмута до 20 ат. %, а также градиентные монокристаллы данных сплавов.

Методы исследований. Для выполнения задач, поставленных в диссертационной работе, были применены следующие методы:

  • традиционный и разработанный модифицированный метод Чохральского с подпиткой расплава твердым висмутом и переливом избыточной части расплава во внешний тигель для выращивания градиентных кристаллов сплавов сурьма-висмут;

  • метод химического травления и оптической микроскопии для изучения морфологии и измерения плотности дислокаций в выращенных кристаллах;

  • электронно-зондовый микроанализ для определения состава вытянутых монокристаллов сплавов Sb-Bi;

  • двухкристальная рентгеновская дифрактометрия для определения параметров кристаллической решетки и исследования совершенства структуры монокристаллов сплавов Sb-Bi.

  • метод “светового ножа” для осуществления экспериментов моделирования течений подпитки в жидкой фазе;

  • метод аксиального потока тепла в поперечно-адиабатических условиях для измерения коэффициента теплопроводности.

Научная новизна полученных результатов заключается в следующем:

  1. Разработан метод и установлены технологические условия вытягивания градиентных кристаллов и монокристаллов твердых растворов с контролируемым распределением компонента, имеющего коэффициент распределения меньше единицы, при питании им расплава и поддержании постоянного уровня расплава за счет переливания избытой части расплава во внешний тигель;

  2. Расчитаны эффективные коэффициенты распределения висмута в области твердых растворов сурьмы с содержанием висмута до 20 ат. %, возрастающие с 0,15 до 0,28, которые были использованы для определения состава шихты при выращивании монокристаллов сплавов Sb-Bi контролируемого состава;

  3. Развита физическая модель расчета коэффициентов теплопроводности в монокристаллах твердых растворов сурьмы с содержанием висмута до 20 ат. % и определены оптимальные градиенты температуры в твердой фазе для вытягивания монокристаллов твердых растворов Sb1-xBix заданного состава;

  4. Установлены закономерности изменения совершенства структуры и электрофизических параметров в монокристаллах твердых растворов сурьмы с содержанием в них висмута до 18 ат.%.

Практическое значение полученных результатов. Монокристаллы твердых растворов Sb-Bi, применены в разработке приборов термоэлектрических преобразователей энергии в Восточной проектно-индустриальной компании г. Луганск и были использованы на кафедре микро- и наноэлектроники ВНУ им. В. Даля для изготовления образцов к лабораторным работам по курсам “Материалы и компоненты электроники”, “Физика твердого тела”, “Технологические основы электроники”, а также в научно-исследовательских работах студентов. Внедрение результатов исследования в производство и учебный процесс подтверждены соответствующими актами.

Результаты исследований условий роста монокристаллов и предложенная технология выращивания, которые приведены в работе, могут быть использованы при разработке промышленных технологий получения монокристаллов твердых растворов Sb-Bi – одного из перспективных материалов для изготовления процессоров квантовых компьютеров и других приборов.



Личный вклад соискателя. Работа выполнена в лаборатории роста кристаллов на кафедре микро- и наноэлектроники Восточноукраинского национального университета им. Владимира Даля, г. Луганск. Основные научные результаты диссертационной работы получены автором самостоятельно. В работах, опубликованных в соавторстве, лично соискателю принадлежат следующие научные результаты:

  • в работе [1] проведен расчет равновесных и эффективных коэффициентов распределения висмута, а также коэффициентов активности в твердых растворах Sb-Bi постоянного состава с содержанием висмута до 20 ат. %.

  • в работе [2] определена зависимость плотности дислокаций от скорости вытягивания в монокристаллах твердых растворов Sb-Bi;

  • в работе [3] проведены экспериментальные исследования условий выращивания монокристаллов сплавов сурьма-висмут постоянного состава с содержанием висмута до 18 ат. %;

  • в работе [4] исследовано влияние условий выращивания монокристаллов сплавов Sb-Bi на совершенство их структуры;

  • в работе [5] осуществлен расчет технических характеристик устройства подпитки расплава твердым висмутом;

  • в работе [6] определены условия выращивания градиентных монокристаллов Sb-Bi с содержанием висмута от 2 до 18 ат. %;

  • в работе [7] определена зависимость плотности дислокаций от градиентов температур в твердой фазе при выращивании кристаллов сплавов Sb-Bi;

  • в работе [8] было принято участие в обсуждении и написании статьи;

  • в работе [9] выращены градиентные монокристаллы Sb-Bi с содержанием висмута от 2 до 18 ат. %;

  • в работе [10] исследовано влияние массы и скорости введения подпитки на распределение висмута в градиентных монокристаллах Sb-Bi;

  • в работе [11] рассчитаны коэффициенты теплопроводности и определены оптимальные градиенты температуры в твердой фазе при выращивании монокристаллов Sb-Bi;

  • в работе [12] исследованы условия роста и выращены градиентные монокристаллы Sb-Bi с содержанием висмута от 2 до 18 ат. %;

  • в работе [13] экспериментально определены оптимальные градиенты температуры в твердой фазе при выращивании монокристаллов Sb-Bi;

  • в работе [14] выращены градиентные монокристаллы Sb-Bi с концентрацией висмута от 2 до 18 ат. %, и исследованы их электрофизические свойства.

Апробация результатов диссертации. Материалы работы докладывались и обсуждались на: научно-технической конференции: XIV международной конференции роста кристаллов, Гренобль, Франция, 9-13 августа 2004 г.; XI Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, Россия, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 14-17 ноября 2004 г.; XII Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, Россия, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 23-27 октября 2006 г.; 27 международной конференции: “Композиционные материалы в промышленности“ 28 мая - 1 июня 2007г., г. Ялта, Крым, Украина; 15 международной конференции по росту кристаллов, Солт-Лейк-Сити, США, 12-17 августа 2007 г.; III международной научно-практической конференции «Материалы электронной техники и современные информационные технологии» Кременчуг, Украина 21-23 мая 2008 г.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 14 работ, из них 5 статей в специализированных изданиях, утвержденных ВАК Украины, 6 тезисов докладов на конференциях, 1 патент на способ выращивания градиентных кристаллов сплавов сурьма-висмут, 2 статьи в международных научных журналах с высоким импакт-фактором.

Структура и объем диссертации. Структура диссертационной работы включает введение, 4 раздела, выводы, список использованной литературы и приложения. Работа представлена на 163 страницах машинописного текста, в том числе 143 страницы основного текста, и содержит 38 рисунков, 16 таблиц и список литературных источников из 118 наименований отечественных и зарубежных авторов.

Выводы





  1. Рассчитаны и экспериментально подтверждены эффективные коэффициенты распределения висмута в сплавах сурьма-висмут, обогащенных сурьмой. Установлено, что значения эффективных коэффициентов распределения висмута возрастают от 0,154 до 0,286 с повышением содержания Bi от 1 до 20 ат. % в твердой фазе, что обусловлено увеличением химического взаимодействия между компонентами. Полученные значения коэффициентов распределения висмута обеспечили создание метода выращивания монокристаллов твердых растворов сурьма-висмут контролируемого состава.

  2. Предложена модель расчета коэффициента теплопроводности в монокристаллах твердых растворов Sb-Bi. Показано, что с увеличением содержания Bi до 20 ат. % коэффициент теплопроводности в сплавах снижается более чем в 2 раза с 43 до 26 Вт/(м·K).

  3. Выполнен расчет технологических параметров и моделирование процесса вытягивания градиентных кристаллов.

  4. Установлено, что градиент температуры в процессе роста необходимо уменьшать от 5 до 1 К/см в жидкой фазе и от 90 до 54 К/см в твердой при увеличении содержания висмута до 20 ат.%. С помощью метода “светового ножа” показано поведение течений в расплаве при введении подпитки, влияющих на распределение компонентов в вытягиваемом кристалле.

  5. Разработана технология выращивания градиентных кристаллов сплавов Sb-Bi методом Чохральского с подпиткой твердым висмутом и поддержанием постоянного уровня расплава за счет перелива избыточного расплава во внешний тигель. Выращен монокристалл сплава сурьма–висмут с изменением концентрации висмута от 2,5 до 17 ат. % и градиентом параметров кристаллической решетки до 0,8518 %/см.

  6. В монокристаллах твердых растворов Sb-Bi выращенных без подпитки с содержанием висмута до 18 ат.% исследовано совершенство структуры, концентрация висмута, концентрация и подвижность носителей заряда, удельное электросопротивление, термо-э.д.с. и коэффициенты теплопроводности.

  7. В градиентных кристаллах сплавов Sb-Bi измерены параметры кристаллической решетки, удельное электросопротивление и термо-э.д.с.

Список использованных источников





  1. Schuster M. Parallel-beam coupling into channel-cut monochromators using curved graded multilayers / M. Schuster, H. Göbel // J. Phys. D: Appl. Phys. – 1995. V.28. – P. 270 – 275.

  2. Moshkin S.V. Growing delta-crystals of potassium-rubidium biphtalate from aqueous sоlution / S.V. Moshkin, O.M. Boldyreva, T.I. Ivanova, M.A. Kuz'mina, I.P. Shakhverdova, P.V. Petrashen, R.N. Kyutt, H. Bradaczek // J. Crystal Growth. – 1997. – V.172. – P. 226 – 230.

  3. Smither R.K. Variable-metric diffraction crystals for x-ray optics / R.K. Smither, P.B. Fernandez // Rev. Sci. Instrum. – 1992. V. 63, № 2. – P. 1755 – 1762.

  4. Smither R.K. New method for focusing x rays and gamma rays / R.K. Smither // Rev. Sci. Instrum. – 1982. V.53, №.2, – P. 131-142.

  5. Мартяхин В.А. Спектральные характеристики приемников дальнего ИК диапазона на основе узкозонного полупроводника n-Bi1-xSbx / В.А. Мартяхин, А. Я. Олейников, А. Я. Смирнов, В. А. Стукан, В.И. Трифонов // физика и техника полупроводников. – 1980. – Т. 14, № 9. – C. 1716-1719.

  6. Абдуллаев А. А. Оптические свойства сплавов висмут – сурьма / А. А. Абдуллаев, В. Г. Алексеева, Н. Ф. Заец, Т.М. Ормонт, Е. Г. Чиркова // Письма в ЖЭТФ. – 1973 г. – Вып. 6,№ 17. – С. 292 – 295.

  7. Hsieh D. А topological dirac insulator in a quantum spin hall phase / D. Hsieh, D. Qian, L. Wray, Y. Xia, Y.S. Hor, R.J. Cava, M.Z. Hasan // Nature. – 2008. – V. 452. – P. 970 – 975.

  8. Марков О.И. Термоэлектрические свойства твердых растворов (Bi0.88Sb0.12)1-xTex / О.И. Марков. // Известия ТулГУ. Серия физика. – 2004 – № 7– C 51-55.

  9. Бондарев Ю. М. Процессы дефектообразования в твердых растворах Bi-Sb / Ю. М. Бондарев, Е.В. Бирючинский, Е. Г. Гончаров // Вестник ВГУ. Серия химия, биология, фармация – 2003. – №1. – С. 5 – 8.

  10. Иванова Л.Д. Выращивание монокристаллов сурьмы методом Чохральского / Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина // 11 Национальна конференция по росту кристаллов, Москва, Россия, 14-17 ноября 2004 г.

  11. Наливкин М.А. Получение и исследование условий выращивания градиентных кристаллов твердых растворов висмут-сурьма: Дис. … канд. тех. наук / Наливкин Михаил Алексеевич. – Луганск, 2003. – 153 с.

  12. Кожемякин Г.Н. Получение и исследование легированных монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма: Дис. … канд. тех. наук / Кожемякин Геннадий Николаевич. – М., 1981. – 206 с.

  13. Penzel St. Growth of Bi-Sb gradient crystals for X-ray monochromators by means of the gradient projection method / St. Penzel, H. Klessen, W. Newmann // Cryst.Res. Technol. – 1997. – v.38, №8. – P. 1137 – 1143.

  14. Gille P. Axially linear slopes of composition for "delta" crystals / P. Gille, M. Hollantz, H. Klessen, M. Schenk // J. Crystal Growth. – 1994. – V.139. – P. 165 – 171.

  15. Mashimo T. Atomic-scale graded structure formed by sedimentation of substitutional atoms in a Bi-Sb alloy / T. Mashimo, T. Ikeda, I. Minato // J. Applied Phisics. – 2001. – V.90, № 2, – P. 741-744.

  16. Гицу Д.В. Кристаллическая и зонная структура висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма / Д.В. Гицу // Полуметаллы и узкозонные полупроводники. – Кишенёв: Штиинца, 1979. – с. 3 – 58.

  17. Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография Т 2. – Структура кристаллов / Б.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Инденбом – М.: Наука, 1979. – 360 с.

  18. Бабичев А.П., Физические величины: справ. / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др.; под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. – М.: Энергоатомиздат, 1991. – 1232 с.

  19. Вигдорович В.Н. Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники / В.Н. Вигдорович, Г.А. Ухлинов, В.В. Марычев // 1972. – вып. 8. – 24-38 c.

  20. Berger H. Lattice parameter study in the Bi1-xSbx solid-solution system / H. Berger, B. Christ, J. Troschke // Crystal Res. & Technol. – 1982 – V. 17, №10. – P. 1233 – 1239.

  21. Cucka P. The crystal structure of Bi and solid solutions of Pb, Sn, Sb and Te in Bi / P. Cucka, C.S. Barrett // Acta Cryst. – 1962. v. 15, Pt. 9, – p. 865 – 872.

  22. Регель А.Р. Физические свойства электронных расплавов / А.Р. Регель, В.М. Глазов. – М.: Наука, 1980. – 296 с.

  23. Никитина Г.В. О скорости выращивания кристаллов системы Bi-Sb / Г.В. Никитина, В.Н. Романенко // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1972. – т.8, № 5. – с. 813.

  24. Koh H.J. Growth of Bi1-хSbх mixed crystals by new melt injection technique / H.J. Koh, P. Rudolph, T. Fukuda // J. Crystal Growth – 1995. – v.154. – P. 151 – 155.

  25. Penzel St. Growth of Bi-Sb gradient crystals for X-ray monochromators / St. Penzel, W. Neumann // J. Crystal Growth. – 1999. – V.198. – P. 811 – 814.

  26. Schubnikow L. Цит по: Кузнецов В.Д. 1954 [27] / L. Schubnikow // Leiden Comm. – 1929. – P. 207.

  27. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация / В.Д. Кузнецов // – М. Гостехтеоретиздат, 1954. – с. 411.

  28. Jain A.L. Temperature dependence of the electrical properties of bismuth-antimony alloys / A.L. Jain // Phys. Rev. – 1959. – v. 114, № 6. – p. 1518-1528.

  29. Smith G.R. Thermoelectric properties of bismuth-antimony alloys / G.R. Smith, R. Wolfe // J. Appl. Phys. – 1962. – v. 33, № 3. – p. 841 – 846.

  30. Brown D.M. Growth of bismuth-antimony single-crystal alloys / D.M. Brown, F.K. Heumann // J. Appl. Phys. – 1964. – V.35, № 6, – P. 1947 – 1951.

  31. Глазов В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников / В.М. Глазов, В.С. Земсков // – М.: Наука, 1967. – 278 с.

  32. Zemskov V.S. Growth and investigation of thermoelectric properties of Bi-Sb alloy single crystals / V.S. Zemskov, A.D. Belaya,. U.S. Beluy, G.N. Kozhemyakin // J. Crystal Growth – 2000. – v.212. – P. 161-166.

  33. Вигдорович В.Н. Выращивание монокристаллов висмута / В.Н. Вигдорович, Г.А. Ухлинов, В.В. Марычев, В.П. Шумилов // В кн.: Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники. Химико-технол. серия. М.: МИЭТ, 1972. – вып. 8. – с. 38 – 43.

  34. He J. Double crucible LEC growth of In-doped GaAs using inner crucibles with a bottom tube / J. He, S. Kou // J. Crystal Growth. – 2000, – V. 211, – P. 163 – 168.

  35. Leverton W.F. Floating crucible technique for growing uniformly doped crystals / W.F. Leverton // U J. Appl. Phys. – 1958. – V. 29, № 8. – C.1241-1243.

  36. Kozhemyakin G.N. Indium inhomogeneity in InxGa1-xSb ternary crystals grown by floating crucible Czochralski method / G.N. Kozhemyakin // J. Crystal Growth – 2000. – v.220. – P. 39 – 45.

  37. Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. – М.:Металлургия, 1988. – 574 с.

  38. Глазов В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников / В.М. Глазов, В.С. Земсков – М.:Наука, 1967. – 352 с.

  39. Matsumura A. On the equilibrium phase diagram of Bi-Sb-Te system / A. Matsumura, A. Hayashi // Sumitomo Electric Techn. Rev., – 1968. – V.11. – P.103-111.

  40. Петров Д.А. Нарушение равновесия при кристаллизации твердых растворов / Д.А. Петров // Журнал физической химии, – 1947. – т. XXI. вып. 12. – с. 1449 – 1460.

  41. Гегузин Я.Е. Энергия смешения двойных металлических сплавов. Система висмут-сурьма / Я.Е. Гегузин, Б.Я. Пинес. // Журнал физической химии. – 1952. – т. XXVI. вып. 1. – с. 27 – 30.

  42. Андерко К. Структуры бинарных сплавов / К. Андерко, М. Хансен – М.: Металлургиздат, 1941. т. 1. – 320 с.

  43. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем / А.Е. Вол – М.: Физматгиз, 1962. – Т. 2. – 229 c.

  44. Михайличенко Т.В. Исследование диаграммы состояний сплавов висмут-сурьма, богатых висмутом / Т.В. Михайличенко, В.Л. Налетов, В.В. Рощин // В кн.: Полуметаллы. – Л., 1968. с. 12 – 16. (Ученые записки ЛГПИ им. А.И. Герцена, т.384, вып.4).

  45. Александров В.Д. Влияние термовременной обработки расплавов на предкристаллизационные переохлаждения в металлических сплавах Bi-Sb, Sn-Bi / В.Д. Александров, В.Н. Александрова, А.А. Баранников, С.А. Фролова // Оборудование и технологии термической обработки металлов и сплавов машиностроении – Харьковский физико-технический институт, Харьков. – 2001. – Часть II. – с. 157 – 163.

  46. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. / Под ред. Земскова В.С. – М.: Наука, 1978. – 197 с.

  47. Dismukes J.P. A survey of interface stability criteria in the elemental alloy system: Ge-Si, Bi-Sb, Se-Te / J.P. Dismukes, W.M. Yim. // J. Crystal Growth – 1974. – v.22. – P. 287 – 294.

  48. Лодиз Р. Рост монокристаллов / Р. Лодиз, Р. Паркер. – Пер. с англ. – М.: Мир, 1974. – 540 с.

  49. Шахпаронов М.И. Введение в молекулярную теорию растворов. М.И. Шахпаронов. – М.: Гостехтеориздат, 1956. – 507 с.

  50. Андреев В.М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В.М. Андреев, Л.М. Долгиков, Д.Н. Третьяков. – М.: Сов. Радио, 1975. – 328 с.

  51. Хубер Д. Теория n – компонентных смесей с участием вещества АIIIВV. Расчет тройных фазовых диаграмм Al-Ga-As, Al-Ga-P, Si-Ge-Au и Si-Ge-Al / Д. Хубер // В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. – Новосибирск: Наука, 1974. – т.2 – с. 212 – 218.

  52. Мильвидский М.Т. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений / М.Т. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. – М.: Металлургия, 1974. – 391 с.

  53. Кажлаева Р.И. Исследование термодинамических свойств растворов системы висмут-сурьма / Р.И. Кажлаева, М.Г. Шахтахтинский, А.А. Кулиев, В.Н. Вигдорович // Журн. физ. химии. – 1970. – т.44, №10. – с. 2461 – 2464.

  54. Сейдж Б.Х. Термодинамика многокомпонентных систем: пер. с англ. / Б.Х. Сейдж. – М: Недра, 1969 – 303 с.

  55. Савицкий А.А. Энтальпия образования расплавов Bi-Sb-Te из компонентов / А.А. Савицкий, Л.А. Мечковский, А.А. Вечер // Журнал физической химии. – 1975. – т. XLIX. вып. 11. – С. 2921 – 2923.

  56. Хенней Н.Б. Полупроводники: пер. с англ. / Н.Б. Хенней. – М.: ИЛ., 1962. – 667 с.

  57. Burton J.A. The distribution of solute in crystals growth from the melt / J.A. Burton, R.C. Prim and W.P. Slichter // J. Chem. Phys. – 1953. – v.21, №11. – P. 1987 – 1996.

  58. Wilson L.O. A new look at the Burton, Prim, and Slichter model of segregation during crystal growth from the melt / L.O. Wilson // J. Crystal Growth – 1978. – v.44. – P. 371 – 376.

  59. Ostrogorsky A.G. A model of effective segregation coefficient, accounting convection in the solute layer at the growth interface / A.G. Ostrogorsky, G.A. Muller // J. Crystal Growth. – 1992. – v.121. – P. 587 – 598.

  60. Ostrogorsky A.G. Model of the effective segregation coefficient applied to low convection solidification in microgravity / A.G. Ostrogorsky, G.A. Muller // J. Crystal Growth. – 1993. – V.128. – P. 207 – 212.

  61. Комаров Н.В. Выращивание легированных монокристаллов InSb и моделирование конвекции в расплаве при воздействии ультразвука: Дис. … канд. тех. наук / Комаров Николай Викторович. – Луганск., 2002. – 147 с.

  62. Колодяжная Л.Г. Получение монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма в ультразвуковом поле: Дис. … канд. тех. наук / Колодяжная Людмила Григорьевна. – Луганск., 1997. – 147 с.

  63. Земсков В.С. Влияние скорости роста на структуру монокристаллов твердых растворов висмута с сурьмой / В.С. Земсков, В.В. Рождественская, Н.Н. Лукаш // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1976. – т. 12, № 7, – с. 1160 – 1162.

  64. Чеглоков Е.И. Структура валентной зоны кристаллов типа висмута / Е.И. Чеглоков // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. –1960. – № 4. с. 13 – 21.

  65. Вигдорович В.Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией / В.Н. Вигдорович. – М.: Металлургия, 1969. – 296 с.

  66. Девятых Г.Г. Глубокая очистка веществ / Г.Г. Девятых, Ю.Е. Еллиев. – М.: В.Ш., 1990. – 192 с.

  67. Наливкин М.А. Выращивание градиентных кристаллов Bi-Sb методом Чохральского / М.А. Наливкин, Г.Н. Кожемякин // Вісник СНУ ім. В. Даля – Луганськ: Вид-цтво СНУ ім. В. Даля. – 2002. – №3 (49). – с. 164 – 166.

  68. Tanaka A. Multi-step pulling of GaInSb bulk crystal from ternary solution / A. Tanaka, J. Shintani, M. Kimura, T. Sukegawa // J. Crystal Growth. – 2000. – V.209. – P. 625 – 629.

  69. Blackwell G. R. Back diffusion through the floating crucible technique of crystal growth / G. R. Blackwell //J. Solid-State Electronics. – 1964. – v.7. – P. 105 – 110.

  70. Патент України, МПК 7 C30B15/00. Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала / Кожемякін Г.М., Луцький Д.В. – № 20041008431, Опубл. 16.05.2005. Бюл.№5.

  71. Шашков Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания / Ю.М. Шашков. – М.:Металлургия, – 1982, – 311 с.

  72. Кох А.Е. Устройство для подпитки растущего кристалла / А.Е. Кох, В.Е. Кох, Н.Г. Кононова // Приборы и техника эксперимента. 1999. №2. С. 145-147.

  73. Луцкий Д.В. Гетерогенное равновесие в системе Sb-Bi / Д.В. Луцкий, Г.Н. Кожемякин // Ресурсозберігаючі технології виробництва та обробки тиском матеріалів у машинобудуванні: Зб. наук. пр. – Луганськ: вид-во СНУ, 2001. – С. 249 – 255.

  74. Ландау Л.Д. Теоретическая физика / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. – М.:Наука. – 1986. – Т VI. Гидродинамика. – 736 с.

  75. Лившиц Б.Г. Физические свойства металлов и сплавов. / Б.Г.Лившиц, В.С. Крапошин, Я.Л. Липецкий. – М.: Металлургия, 1980. – 320 с.

  76. Кожемякин Г.Н. Исследование плотности дислокаций монокристаллов твердых растворов Bi-Sb-Te / Г.Н. Кожемякин, Ю.А. Негода, А.Б. Окунев, Д.Л. Тихонов // Изв. АН СССР. Металлы. – 1985, – №2, – c. 213 - 214.

  77. Сангвал К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение: пер. с англ. / К. Сангвал. – М.: Мир, 1990. – 492 с.

  78. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Справ. / Ю.П Пшеничнов. – М.: Металлургия, 1974. – 528 с.

  79. Наливкин М.А. Исследование плотности дислокаций в монокристаллах твердых растворов Bi-Sb / М.А. Наливкин, К.Г. Чипига, Г.Н. Кожемякин // Ресурсозберігаючі технології виробництва та обробки тиском матеріалів у машинобудуванні: Зб. наук. пр. – Луганськ: Вид-цтво СНУ ім. В. Даля. – 2002. – с. 269 – 272.

  80. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов / С.А. Медведев. – М.: Высш.шк., 1970. – 504 с.

  81. Наливкин М.А. Выращивание градиентных монокристаллов сплавов Bi-Sb / М.А. Наливкин, Г.Н. Кожемякин // Тезисы докл. на Х национальной Конференции по росту кристаллов, Москва, Институт кристаллографии РАН, 24 – 29 ноября 2002 г.

  82. Мильвидский М.Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. – М.: Металлургия, 1984. – 256 с.

  83. Морис Ф. Микроанализ и растровая электронная микроскопия. Пер. с франц. / Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье. Франция, 1978: М.: Металлургия, –1985. – 392 с.

  84. Земсков В.С. Исследование слоистой неоднородности распределения компонентов в монокристаллах сплавов Bi-Sb и Bi-Sb-Те / В.С. Земсков, А.Д. Белая, Г.Н. Кожемякин, Л.Г. Ковшова // Металлы. – 1985. – №6. – С. 218 – 219.

  85. Rom M.A. X-rays analisis of crystals of variable chemical composition / M.A. Rom // Functional Materials. – 2001. – V.8, №4, – P. 750 – 754.

  86. Русаков А.А. Рентгенография металлов / А.А. Русаков. – М.: Атомиздат, 1977. – 480 с.

  87. Боуэн Д.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография перевод с англ. / Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. СПб.: Наука, 2002. – 274 с.

  88. Степанов Н.П. Плазмон-фонон-поляритоны в легированных акцепторной примесью сплавах висмут-сурьма / Н.П. Степанов // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38. вып. 5. – С. 552 – 555.

  89. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников / В.И. Фистуль. 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1984. – 352 с.

  90. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов / Л.П. Павлов. – М.: Высш. шк., 1975. – 206 с.

  91. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела / В.И. Фистуль. – М.: Металлургия, 1995. – Т1. – 480 с.

  92. Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов, В.В. Юдин. – М.: Высш.шк., 1986. – 368 с.

  93. Зайдель А.Н. Элементарные оценки ошибок измерений. / А.Н Зайдель. – Л.: Наука, – 1967. – 88 с.

  94. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках / Я. Тауц. – М.: И. Л., 1962. – 253 с.

  95. Аптекарь И.Л. Расчет диаграмм состояния / И.Л. Аптекарь, Д.С. Каменецкая // В кн.: Теоретические и экспериментальные методы исследования диаграмм состояния металлических систем. – М.: Наука, 1969, – с 58 – 68.

  96. Удовский А.Д. Развитие методов теоретического построения диаграмм состояния: Дисс. … канд. физ.-мат. Наук / Удовский А.Д. – М., 1973 – 189с.

  97. Регель А.Р. Закономерности формирования структуры электронных расплавов / А.Р. Регель, В.М. Глазов – М.: Наука, 1982. – 283 c.

  98. Vieland L.V. Phase equilibria of III-V compounds / L.V. Vieland // Acta Metal. – 1962. – V. 11, №2, – P. 2165 – 2171.

  99. Antipas G.A. Liquid epitaxial growth of GaAsSb annd its use as a high efficiency, long-wavelength, threshold photometer. / G.A. Antipas, L.W. James // J. Appl. Phys. – 1970. – V.41, №5, – P. 2165 – 2171.

  100. Sringfellow G.H. Calculation of III-V thernary phase diagrams: In-Ga-As and In-As-Sb / G.H. Sringfellow, P.E. Greene // J. Phys. Chem. Solids. – 1969. – v.30. – p.1779 – 1791.

  101. Герасимов Я.И., Термодинамика растворов / Я.И. Герасимов, В.А. Гейдерих. – М.: Изд.-во МГУ, 1980. – 180 с.

  102. Мелвин-Хьюз. Физическая химия: пер. с англ. / Мелвин-Хьюз – M.: ИЛ, 1962. – 1949 с.

  103. Вагнер К. Термодинамика сплавов: пер. с нем. / К. Вагнер. – М.: Цветметиздат, – 1957. – 179 с.

  104. Могилевский Б.М. Теплопроводность полупроводников / Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. – М.: Наука, 1972. – 536 с.

  105. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. М.: Наука, 1977. – 672 с.

  106. Смирнов И.А. Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках / И.А.Смирнов, В.И. Тамарченко. – Л. Наука, 1977. – 151 с.

  107. Мильвидский М.Г. К анализу тепловых условий выращивания монокристаллов методом Чохральского / М.Г. Мильвидский, В.А. Смирнов, И.В. Старшинова, Ю.Ф. Щелкин // Изв. АН СССР. Сер. физическая. – 1976. – Т.40, №7. – C. 1444 – 1451.

  108. Louchev O.A. Thermally induced effect during initial stage of crystal growth from melts / O.A. Louchev, S. Kumaragurubaran, S. Takekawa, K. Kitamura // J. Crystal Growth. – 2004. – v. 273. – P. 320 – 328.

  109. Ермаков С.С. Физика металлов / С.С. Ермаков. ч. 1. Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1975. – 176 с.

  110. Карташов Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел / Э.М. Карташов. – М.: Высш. шк., 2001. – 550 с.

  111. Драбл Дж. Теплопроводность полупроводников: пер. с англ. / Дж. Драбл, Г. Голдсмид. – М.: И.Л., 1963. – 266 с.

  112. Цивинский С.В. Разориентация и размер блоков в кристаллах с высокой плотностью дислокаций / С.В. Цивинский, Л.А. Маслова, Н.Н. Антонова // Изв. АН СССР. Сер. физическая. – 1971. – Т.25, №3. – С. 519 – 524.

  113. Цивинский С.В. Об условиях образования макроблоков в кристаллах, выращиваемых из расплава / С.В. Цивинский, Л.А. Маслова // Изв. АН СССР. Сер. физическая. – 1972. – Т.26, №3, – C.575 – 579.

  114. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава / Г. Мюллер Конвекция и неоднородности: – М.: Мир, 1991. – 143 с.

  115. Золкина Л.В. Влияние ультразвука на процессы роста монокристаллов твердого раствора Ga0.03In0.97Sb из расплава и слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксией: Дис. … канд. тех. наук / Золкина Людмила Викторовна. – Луганск, 2007. – 171 с.

  116. Brown D.M. Growth and transport properties of Bi-Sb single-crystal alloys / D.M. Brown, S.J. Silverman // Bull. Amer. Phys. Soc. – 1964. – V.9, № 5. – P. 598.

  117. Наливкин М.А. Расчет коэффициентов распределения в системе Bi-Sb / М.А. Наливкин, Г.Н. Кожемякин // Изв. АН РАН. Металлы. – 2001. – №6, – с. 115 – 116.

  118. Аджаров Г.Х. Управление составом однородных монокристаллов бинарных твердых растворов в процессе выращивания из расплава / Аджаров Г.Х., Мусаев А.А., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. // Изв. АН СССР, Неорган. материалы. – 1980, – т.16, №7, – C. 1155 – 1158.

Для заказа доставки работы

воспользуйтесь поиском на сайте http://www.mydisser.com/search.html


жүктеу/скачать 362.5 Kb.

Достарыңызбен бөлісу:



©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз
    Басты бет