Зарубежные и отечественные полупроводниковые приборы



бет1/25
Дата22.03.2016
өлшемі1.8 Mb.
түріСправочник
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   25
С П Р А В О Ч Н И К

ЗАРУБЕЖНЫЕ И ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Москва


1992

СОДЕРЖАНИЕ

стр.

1. Введение....................................................3



2. Расшифровка условных обозначений параметров и комментариев..4

3. Взаимозаменяемость полупроводниковых приборов...............7

4. Список приборов, помещенных в Справочник....................9

5. Транзисторы биполярные малой мощности PNP..................32

6. Транзисторы биполярные малой мощности NPN..................36

7. Транзисторы биполярные средней мощности PNP................45

8. Транзисторы биполярные средней мощности NPN................47

9. Транзисторы биполярные большой мощности PNP................51

10. Транзисторы биполярные большой мощности NPN................56

11. Диоды, столбы и блоки выпрямительные.......................64

12. Диоды импульсные...........................................71

13. Стабилитроны...............................................74

14. Варикапы...................................................86

15. Буквенные обозначения транзисторов зарубежных фирм.........88

16. Буквенные обозначения диодов зарубежных фирм...............94

17. Сокращенные обозначения зарубежных фирм...................103

Приложение 1.

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги...........106

Приложение 2.

Зарубежные диоды и их отечественные аналоги.................127

1. В В Е Д Е Н И Е

В странах СНГ используется широкий ассортимент им­портной радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых при­борах. При выходе ее из строя и ремонте неизбежно возникают вопросы по замене изделий зарубежного производства на отече­ственные. Данный справочник в определенной степени поможет специалистам в решении данной проблемы.

Справочник содержит информацию на 2500 полупровод­никовых приборов производства бывшего СССР и зарубежных стран, в т.ч. США, Японии, Германии и др. Все приборы сгруп­пированы в 10 разделах:

- транзисторы малой, средней и большой мощности p-n-p и n-p-n типов;

- диоды выпрямительные;

- диоды импульсные;

- стабилитроны;

- варикапы.

В каждом из разделов приводится информация по основным техническим характеристикам всех ПП, что позволит оперативно решать вопросы взаимозаменяемости.

Все приборы, имеющиеся в Справочнике, расположены в алфавитно-цифровой последовательности в таблице 1, для быст­рого осуществления поиска требуемого прибора.

В таблице 2 приборы сгруппированы по близким двум-трем наиболее важным параметрам для данного класса ПП.

В разделах 15,16 и 17 приведены сведения по буквен­ным обозначениям транзисторов и диодов зарубежных фирм, а также расшифровка сокращенных обозначений самих фирм.

В разделах 15,16 и 17 приведены сведения по буквен­ным обозначениям транзисторов и диодов зарубежных фирм, а также расшифровка сокращенных обозначений самих фирм.

В конце справочника в приложениях 1 и 2 в табличной форме представлены зарубежные транзисторы и диоды и их отече­ственные аналоги.

2. РАСШИФРОВКА УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И КОММЕНТАРИЕВ

Общие обозначения

* - предельно-допустимое значение

@ - условие измерения параметра

И - импульсное значение параметра или режима

С - среднее значение параметра или режима

Расшифровка для таблиц параметров.



4-9. Транзисторы биполярные

Рс - постоянная рассеиваемая мощность

С - средняя мощность

Р - рассеиваемая мощность

4 - в диапазоне температур среды от 0 до 49 градусов С

В - в диапазоне температур корпуса от 40 до 49 градусов С

Т - с теплоотводом

Г - в диапазоне температур корпуса от 50 до 59 градусов С

Е - в диапазоне температур корпуса от 70 до 70 градусов С

Н - при низком давлении

Ucb - напряжение коллектор-база

К - при коротком замыкании цепи база-эмиттер

С - при заданном сопротивлении цепи база-эмиттер

П - пробивное

Т - источника питания

И - импульсное

Uеb - напряжение эмиттер-база

Б - обратное

Ic - ток коллектора

Н - насыщения

И - импульсный

h2le - коэффициент передачи тока

М - в режиме малого сигнала

Е - в режиме большого сигнала

Т - типовое значение

Д - модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

f - граничная частота

Е - предельная частота в схеме с общим эмиттером

П - предельная частота

10. Диоды выпрямительные

Ur - обратное напряжение

Uf - постоянное прямое напряжение

И - импульсное

If - прямой ток

В - выпрямленный

И - импульсный

С - средний

Ifsm - прямой ток перегрузки

Д - однократный

И - импульсный

Ir - постоянный обратный ток

Б - обратный ток

11. Диоды импульсные

Ur - обратное напряжение

И - импульсное

Uf - прямое напряжение

If - прямой ток

И - импульсный

Ifm - импульсный прямой ток

Trr - время обратного восстановления



12. Стабилитроны

Uz - напряжение стабилизации

В - вычисленное значение

Iz - ток стабилизации

4 - в диапазоне температур среды от 40 до 49 градусов С

Izt - тестируемый ток стабилизации, при этом значении для западных приборов дано значение Uz nom

Р - рассеиваемая мощность

4 - в диапазоне температур среды от 40 до 49 градусов С



13. Варикапы

Ctot - общая емкость

Ur - обратное напряжение

Кс - коэффициент перекрытия по емкости

Условные обозначения стран


BG

Болгария

BR

BP


Бразилия

ФРГ


CS

DD


Чехословакия

Бывшая ГДР



ES

FR


Испания

Франция


GB

HK


Великобритания

Гонк Конг ( Брит.)



HU

IN


Венгрия

Индия


IT

JP


Италия

Япония


NL

PL


Нидерланды

Польша


RO

SG


Румыния

Сингапур


SU

US


Бывший СССР

США




Достарыңызбен бөлісу:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   25




©dereksiz.org 2020
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет