При T > 0 К увеличивается вероятность заполнения электроном энергетического уровня, расположенного выше уровня Ферми. - При T > 0 К увеличивается вероятность заполнения электроном энергетического уровня, расположенного выше уровня Ферми.
- Ступенчатый характер функции распределения сменяется на более плавный.
- Электропроводность полупроводника может обусловливаться не только генерацией пар носителей «электрон – дырка» вследствие какого-либо энергетического воздействия, но и введением в структуру полупроводника определенных примесей.
Примеси бывают ДОНОРНЫЕ ПРИМЕСИ - Донор – это примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический уровень, занятый в невозбужденном состоянии электроном и способный в возбужденном состоянии отдать электрон в зону проводимости.
Пример донорной примеси – сурьма (Sb) (элемент V группы таблицы Менделеева). - Пример донорной примеси – сурьма (Sb) (элемент V группы таблицы Менделеева).
- У атома сурьмы на наружной электронной оболочке находятся пять валентных электронов.
- Четыре электрона устанавливают ковалентные связи с четырьмя соседними атомами кремния,
- а пятый валентный электрон такой связи установить не может, так как в атомах кремния все свободные связи (уровни) уже заполнены.
Связь с ядром пятого электрона атома примеси слабее по сравнению с другими электронами. - Связь с ядром пятого электрона атома примеси слабее по сравнению с другими электронами.
- Под действием теплового колебания атомов кристаллической решетки связь этого электрона с атомом легко разрушается, и он переходит в зону проводимости, становясь при этом свободным носителем электрического заряда.
Атом примеси, потеряв один электрон, становится положительно заряженным ионом с единичным положительным зарядом. - Атом примеси, потеряв один электрон, становится положительно заряженным ионом с единичным положительным зарядом.
- Он не может перемещаться внутри кристалла, так как связан с соседними атомами полупроводника межатомными связями, и может лишь совершать колебательные движения около положения равновесия в узле кристаллической решетки.
- Электрическая нейтральность кристалла полупроводника не нарушается, так как заряд каждого электрона, перешедшего в зону проводимости, уравновешивается положительно заряженным ионом примеси.
Достарыңызбен бөлісу: |
