Мазмұны Кіріспе. Халықаралық бірліктер жүйесі Бөлім Молекула кинетикалық теория және термодинамика негіздері

36 
Диэлектрик бетiндегi байланысқан заряд, iшкi өрiстiң кернеулiгiне 
керi бағытталған өзiнiң кернеулiгi 
меншiктi электр өрiсiн туғызады 
(4 – сурет).
Сондықтан диэлектрик iшiндегi қорытқы өрiс бәсеңдейдi. Бәсеңдеу 
дәрежесi диэлектриктiң қасиетiне байланысты.
Ортаның диэлектриктiк өтуi (енуi) деп бiртектi диэлектрик iшiнде 
электр өрiсi кернеулiгiнiң модулi 
бостықтағы (вакуумдегi) өрiс 
кернеулiгi модулiнен 
неше есе кем екенiн көрсететiн физикалық 
шама:
(2)
Жасанды жолмен жартылай өткізгіштегі еркін электрондардың 
санын не кемтіктердің санын көбейтуге болады. Ол үшін кремний 
кристалына бес валентті мышьяк атомдарын, болмаса үш валентті индий 
атомдарын ендіреді. Бірінші жағдайда кемтіктеріне қарағанда электрондары өте көп жартылай 
өткізгіш қоспа алынады, оны n –типті (negativus – теріс сөзінің бас әріпі) жартылай өткізгіш деп 
атайды. Ал, екінші жағдайда – кемтік саны көп болады, мұндай қоспаны р –типті (positivus – оң 
сөзінің бас әріпі) жартылай өткізгіш деп атайды. Ондай жағдайда n –типті жартылай 
өткізгіштердегі негізгі заряд тасымалдаушы – электрондар, ал р –типті жартылай өткізгіштерде – 
кемтіктер болып қалады. 
Бұл мәселелерді оқушылардың терең түсінуі үшін «Жартылай өткізгіштер және олардың 
техникада қолданылуы» фильмінің сәйкес фрагменттерін көрсетуге болады. 
р – n - ауысу. Жартылай өткізгіштерге тән қасиеттердің ең маңыздысы - әр типті екі жартылай 
өткізгіштердің түйісуі екендігі, оның р-n – ауысу деп аталатындығы айтылады. р-n – ауысу қасиетін 
түсіндіруді тәжірибеден бастаған тиімді. Жартылай өткізгішті диодтың бір бағытта токты жақсы 
өткізетіндігін, екінші бағытта өте нашар өткізетіндігі көрсетіледі. 
Бұл құбылыстардың себебі жөнінде сыныпта проблемалық жағдай туғызуға болады. Алдымен 
әр типті өткізгіштерді түйістіргенде жүретін процесс түсіндіріледі. Дереу түйісу арқылы негізгі 
заряд тасымалдаушылардың nдиффузиясы басталады да, түйісу аймағында зарядтардың 
бейтараптануы нәтижесінде аймақтың кедергісі артып кетеді. Жартылай өткізгіштердің түйіскен 
жерінде пайда болған қосарланған электр қабаты зарядтар қозғалысына кедергі жасап, белгілі 
моментте диффузия процесін тоқтатып тастайды. 
Міне осындай жартылай өткізгіштерді ток көзіне қосып көрейік. Егер ток көзінің электр өрісі
р-n – ауысуда пайда болған қосарланған электр қабатының өрісіне қарама-қарсы бағытта болса, 
онда сыртқы электр өрісі негізгі заряд тасымалдаушыларды түйісуге қарай қозғап, ол аймақтың 
кедергісін азайтып жібереді. Мұндай жағдайда р-n – ауысу арқылы ток жүреді. 
Егер ток көзінің электр өрісі р-n – ауысудағы электр өрісімен бағыттас болса, онда сыртқы 
электр өрісі негізгі заряд тасымалдаушыларды жан-жаққа тартып кетеді де, р-n – ауысу 
аймағындағы кедергі күрт өседі. Бұл жағдайда түйісу аймағында жапқыш қабат пайда болады деп 
айтады, өте аз ғана ток жүреді. Токты негізгі емес заряд тасымалдаушылар жасайды. 
Қорыта келгенде, р- n – ауысудың токты бір бағытта өткізіп, екінші бағытта, практикалық 
тұрғыдан қарағанда, өткізбейтін қасиеті бар екен. 
Жартылай өткізгішті диод. Диод деп бір р-n –ауысудан тұратын жартылай өткізгішті 
приборларды айтады. Диодтың құрылысын арнайы дайындалған кесте көмегімен түсіндіріп, оның 
жұмысын тәжірибе жасап көрсеткен тиімді. 
Әрі қарай диодтың вольт-амперлік сипаттамасы қарастырылады. Токты өткізу бағытында 
кернеуге байланысты ток жылдам өседі де, жапқыш бағытта ток аз және кернеуге айтарлықтай 
тәуелді емес. Графиктен р-n – ауысудағы токтың Ом заңына бағынбайтығын байқауға болады. 
Жартылай өткізгішті диодтардың айнымалы токты түзету үшін қолданылатындығы айтылады. 
4-сурет 

37 
Сонымен қатар әр түрлі мақсаттарда диодтардың радио – техникада, автоматикада, телемеханикада, 
кеңінен қолдалынып келе жатқандығын айту керек. 
Транзистор. Екі р-n – ауысудан тұратын жартылай өткізгіштік құрылғыны транзистор деп 
атайды (transfer – тасу, resistor – кедергі) оны екі р- типті жартылай өткізгіштер қабатының 
арасына n- типті жартылай өткізгіш қабатын орналастыру арқылы, немесе екі n- типті жартылай 
өткізгіш қабатының ортасына p- типті жартылай өткізгіш орналастыру арқылы дайындайды. Екі 
шеткі жартылай өткізгіштердің бірі эмиттер деп, екіншісі – коллектор деп аталады, ортағы қабатты 
база дейді. Бұл алынған екі р-n – ауысулардың электр тогын өткізу бағыттары бір-біріне қарама-
қарсы. Эмиттер база арасына ε
1
, база коллектор арасына ε
2
батареяларын қосамыз. Сол жақтағы
р-n – ауысу арқылы ток өтеді – ол р-n – ауысу ашық, ал оң жақтағы р-n – ауысуға батарея ток 
өткізбейтіндей бағытта жалғанған. 
База қабаты өте жұқа болады, оның ені әдетте электрондардың еркін жолының орташа 
ұзындығымен өлшемдес. База енінің мұншалықты жұқа болуы эмиттерден базаға өткен 
электрондардың түгел дерлік екінші р-n – ауысуға өтіп кетуіне мүмкіндік жасайды. Соның 
нәтижесінде база-коллектор тізбегінде ток пайда болады. Ол ток шамасы эмиттер – база тізбегіндегі 
ток шамасына тәуелді болатындығы өзінен өзі түсінікті. Егер эмиттер – база тізбегіндегі ток 
өзгеретін болса, онда синхронды түрде база-коллектор тізбегіндегі ток та өзгереді. 
Міне, транзистордың осы айтылған қасиеті әлсіз электр сигналдарын күшейту мақсатында 
қолданылады. Ол үшін әлсіз сигнал көзін эмиттер-база тізбегіне тізбектеп қосады, ондай жағдайда
R кедергісін үлкен етіп алу нәтижесінде, оған түсетін кернеудің мәнін де үлкейтіп алуға болады. 
Транзистор көмегімен әлсіз сигналды он мың есеге дейін күшейте аламыз. 
Басқа жартылай өткізгіш приборлар тәріздес транзисторлардың да радиотехникада, 
автоматикада, телемеханикада және техниканың басқа да салаларында қолданылатындығы жөнінде 
мысалдар келтіруге болады. 
Тақырыпты бекіту мақсатында, ең соңында жартылай өткізгіштердің электр өткізу қасиетін 
металдардың электр тогын өткізумен салыстыруға болады. 

жүктеу/скачать 3.62 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: