Новые имс с приемкой "5"

категории качества «ОСМ»

ИМС СОЗУ 1Мбит (128Кх 8 бит)

(прототипы AS7C1024/ AS7C31024 компании Alliance Semiconductor, США)

Ток потребления в режиме хранения для 1635РУ3У/ АУ/ Т/ АТ

I_CCS ≤ 0.8мА при Ucc = 3.0B ÷ 3.6В,

I_CCS ≤ 1.0мА при Ucc = 4.5В ÷ 5.5В

Ток потребления в режиме хранения для 1635РУ3БУ/ БТ/ ВУ/ ВТ

I_CCS ≤ 6.0мА при Ucc = 3.0B ÷ 3.6В,

I_CCS ≤ 10мА при Ucc = 4.5В ÷ 5.5В

Время выборки адреса - tаа ≤ 50нс при Ucc = 4.5В ÷ 5.5В

tаа ≤ 60нс при Ucc = 3.0B ÷ 3.6В

Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С

7С4 - 105Ус, 7К1- 5×2К, 7К4 -5×1К

Уровень бессбойной работы 7И8 при воздействии специального фактора с

характеристикой 7И6 должен быть не хуже 0.041Ус при Ucc = 4.5B – 5.5В и не хуже 0.021Ус при Ucc = 3.0B – 3.6В

Пороговая энергия для возникновения ОС - не менее 20 МэВ

Сечение насыщения по ОС – не более 3×10^-14 см²/ бит.

Тиристорные эффекты отсутствуют.

Пороговые линейные потери энергии для возникновения ОС - 3 МэВ * см²/ мг.

Пороговые линейные потери энергии по ТЭ не менее 90 МэВ * см²/ мг.

Сечение насыщения по ТЭ – не более 5×10^-2 см²/ БИС.