Опытно-промышленная эпитаксия кремния: теория и эксперимент



жүктеу/скачать 0.53 Mb.
бет4/4
Дата07.07.2016
өлшемі0.53 Mb.
#182193
1   2   3   4




  1. E.P.Prokop'ev. Possibility of receipt of infomation bit with help of modification of properties of artifical atoms in semiconductor superstructures. Mikroelektronika. 1994. In press.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of laser photochemical deposition of silicon films in hydride process. Moscow. 1992. P.63. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. About applications of kinetical Chen theory to photochemical method of silicon deposition in hydride process. Moscow. 1992. 48 p. Deposited paper. VINITI. No 2462-B92.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical models of laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Moscow. 1992. P.12-19. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Moscow. 1992. P.20-27. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. About calculation of growth rate of laser chemical method of silicon layer deposition in hydride process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 3. P.105-108.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Novel investigations of some perspective technological processes of growth and doping of silicon layers. Moscow. 1994. 195 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of modelling and optimization of production of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Ibidem. P.36-57.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of processes of growth and doping of silicon layers in tetrachloride process at speed impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.58-85.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analitical model of growth rate and doping level of epitaxial silicon layers in chloride and hydride processes. Ibidem. P.86-113.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About modelling of processes of silicon layer growth at speed impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.137-145.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Nonstationary diffusion kinetics of rapid thermal CVD process of silicon. P.146-147.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Theory of doping of silicon layers deposited at rapid heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.148-158.




  1. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial reactor. Ibidem. P.159-166.

DIAMOND FILMS




  1. E.P.Prokop'ev. A simple mathematical model of growth of diamond layers in gas mixture CH4+H2 at low pressure using heating filament. Moscow. 1992. P.28-34. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. Modelling of process of diamond layer growth in gas mixture CH4+H2 of low pressure using heating filament method. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 6. P.48-52.

a-SiH:H FILMS




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Some aspects of silane plasma chemistry. Moscow. 1988. 35 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4676.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. In book: Rep. thes. "3 All-union conf. on physics and technology of thin semiconductor films". Ivanovo-Frankovsk. Publ. IFPI. 1990. P.77.




  1. E.P.Prokop'ev. Ibidem. P.14.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of silane rf glow discharge plasma. Moscow. 1990. 30 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5404.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of growth of a-Si:H films. Moscow. 1990. P.36-41. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5413.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films. Ibidem. P.33.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films in conditions of rf glow discharge in gas mixtures SiH4-H2 and SiH4-He. Ibidem. P.53-60.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth process amorphous a-Si:H films in conditions of rf glow discharge in silane gas mixtures. Ibidem. P.40-52.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Elementary theory of a-Si:H film deposition in glow-discharge conditions. Moscow. 1990. P.1-33. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5413.




  1. Boundary layer model of a-Si:H film deposition process in rf glow-discharge conditions. Ibidem. P.42-51.




  1. E.P.Prokop'ev. Application of nuclear Fliorov filters in the technology of a-Si:H film production. Ibidem. P.30-31.




  1. E.P.Prokop'ev. The a-Si:H film deposition in rf glow-discharge process in SiH4-H2 mixture. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No. 3. P.9-11.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Study of a-Si:H film deposition rf glow-discharge in SiH4-H2 mixture. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 4. P.14-17.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in silane mixtures. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 5. P.68-72.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation and optimization of a-Si:H film deposition in silane gas mixtures at low pressure. Moscow. 1991. P.2-29. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5436.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixtures. Ibidem P.48-57.




  1. E.P.Prokop'ev. Boundary layer model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixtures. Vysokochistye veshechestva. 1991. No 2. P.180-184.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Optimization of a-Si:H film deposition in silane rf glow-discharge. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No 2. P.71-73.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. The a-Si:H film deposition in silane glow discharge at low pressure. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1991. No 2. P.51-54.




  1. E.P.Prokop'ev. Model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 and SiH4-He gas mixture. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya tekhnologiya. 1991. V.34. No.10. P.109-115.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge. Khimiya vysokikh energii. 1992. V.26. No 2. P.169-172.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of the mathematical model of a-Si:H film deposition rate in silane plasma miztures at low pressure. Moscow. 1992. P.2-39. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixture. Vysokochistye veshechestva. 1992. No 3. P.67-71.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Hybrid model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in SiH4-H2 gas mixture. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 2. P.85-90.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.85-95. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of amorphous silicon deposition conditions in plasma silane mixtures at low pressure. Nuovo Cimento. D. 1997. Vol.19. №6. P.817-826.




  1. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial reactor. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. 1995. Т.68. Вып.2. С.22-29.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №4-5. С.121-125.




  1. E.P.Prokop'ev. Analysis of regimes of growth process of diamond layers in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Moscow. 1992. P.73-84. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Analysis of diffusion-controlled reaction I + VO in silicon in regimes of excitement and extenguishment. Moscow. 1992. P.85-95. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №6. С.48-52.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of impulse laser chemical method of silicon layer deposition. Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. З.58,59.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of silicon layer growth at rapid impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Zhurnal prikladnoi khimii. 1994.Т.67. №3, С.503,504.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. . Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. С.60.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Simulation of growth and doping processes of silicon layers in tetrachloride and hydride processes at rapid impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Vysokochistye veshechestva. 1994. №6. С.63-76.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of simulation and optimization of epitaxial silicon layer growth in tetrachloride process. Moscow. 1994. P.38-57. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. A simple analytical model of diamond layer growth in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya tekhnologiya. 1995. V.38. Вып.4-5. С.45-51.




  1. E.P.Prokop'ev. Novel analytical model of growth rate and doping level of epitaxial silicon layers in chloride and hydride processes. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1996. №1. С.76-87.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture SiH4-H2. I,II. Moscow. 1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane process. Vysokochistye veshechestva. 1995. №3. С.57-65.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II. Dichlorsilane, german and mixtture german-dichlorsilane processes. Vysokochistye veshechestva. 1994. №3. С.66-77.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of production of silicon layers and complex systems. Moscow. 1994. 138 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.

  2. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов наращивания слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах при быстром импульсном нагреве светом. Высокочистые вещества. 1994. №1. С.39-47.




  1. Е.П.Прокопьев. Процесс роста аморфных пленок a-Si:Н в условиях высокочастотного разряда в силановых газовых смесях. Теоретические основы химической технологии. 1994. Т.28. №1. С.43-47.




  1. Е.П.Прокопьев. . Моделирование и оптимизация скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах. Высокочистые вещества. 1994. №6. С.63-76.




  1. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити. Химическая физика. 1994. Т.13. №11. С.65-69.




  1. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Журнал технической физики. 1995. Т.65. Вып.2. С.22-29.




  1. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов роста и легирования слоев кремния в тетрахлоридном процессах при быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением. Высокочистые вещества. 1995. №4. С.54-66.




  1. Е.П.Прокопьев. О процессах массопереноса и кинетике роста пленок кремния LICVD методом. Тез. докл. 5-ой Всероссийской конференции по лазерной химии (Лазаревское, 30 сентября – 5 октября 1992 г.). М.: ИХФ РАН. С.47.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста аморфных пленок a-Si:Н в силановых плазменных смесях пониженного давления. М., 1995. С.1-11. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Нестационарная кинетика роста слоев кремния в тетрахлоридном процессе при быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением. М., 1995. С.26-39. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. Е.П.Прокопьев. О возможности получения слоев кремния в тетрафторидном процессе. М., 1995. С.40 -48. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. I. Moscow. 1994. P.12-17. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.18-25. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.




  1. Е.П.Прокопьев. Простая аналитическая модель роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления с использованием метода нагретой нити. Известия вузов. Серия химия и химическая технология.. 1995. Т.38. №11. С.48-51.




  1. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных слоев кремния в хлоридных и гидридном процессах. Физика и химия обработки материалов. 1996. №1. С.76-87.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, В.И.Белоусов. Опытно-промышленная эпитаксия кремния: новая аналитическая модель. Петербургский журнал электроники. 1996. №1. С.29-40.

  2. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров. Модель сращивания пластин кремния по данным газовыделения. М., 1996. С.103-112. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5502.

  3. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Слои кремния:в импульсном тетрахлоридном процессе. Петербургский журнал электроники. 1996. №4. С.30-34.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста аморфных пленок a-Si:Н в силановых плазменных смесях пониженного давления. Физика и химия обработки материалов. 1997. №2. С.70-74.

  2. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде газовой смеси SiH4-H2 . Петербургский журнал электроники. 1997. №2. С.14-19.

  3. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель роста эпитаксиальных слоев кремния в тетрахлоридном процессе. Теоретические основы химической технологии. 1997. Т.31. №5. С.505-509.

  4. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Зотов. Модель осаждения кремния в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Петербургский журнал электроники. 1998. №2. С.17-21.

  5. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, С.П.Тимошенков. Модель осаждения слоев кремния на стенках капилляров и пор из парогазовых смесей. Материаловедение. 1998 .№3. C.2-4.

  6. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Исследование плазменного высокочастотного осаждения частиц оксидов с целью получения многокомпонентных стекловидных диэлектрических слоев на подложках кремния. Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №6. С.475-477.

  7. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. ВЧИ плазменный метод получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Техника машиностроения. 1999. №1. С.48-50.

  8. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния. Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.

  9. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде газовой смеси SiH4-H2 . Экспериментальные данные. Петербургский журнал электроники. 1997. №3. С.31-38.

  10. Е.П.Прокоптев, В.В.Зотов. К модели осаждения материалов на стенках капилляров из парогазовых смесей при импульсном нагреве. Журнал технической физики. 1998. Т.68. Вып.8. С.141,142.

  11. Е.П.Прокопьев.Модели роста полупроводниковых и диэлектрических слоев в проточных изотермических реакторах. Теоретические основы химической технологии. 1998. Т.32. №5. С.558-562.

  12. Е.П.Прокопьев, В.М.Суворов. Особенности процесса роста эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4+H2 при пониженном давлении. Теоретические основы химической технологии. 1998. Т.32. №6. С.617-620.

  13. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture SiH4-H2. I,II. Moscow. 1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.

  14. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane process. Moscow. 1994. P.2-18. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.

  15. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II. Dichlorsilane, german and mixtture german-dichlorsilane processes. Moscow. 1994. P.19-45. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.

  16. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе. II. М., 1994. С.45-58. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  17. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Элементарная теория легирования слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением. М., 1994. С.59-72. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  18. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити. М., 1994. С.73-84. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  19. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Анализ режимов процессов роста аморфных пленок a-Si:H в силановых плазменных смесях пониженного давления. I. . М., 1994. С.85-95. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  20. Е.П.Прокопьев. Сборник статей: исследования в области электронного материаловедения и физических методов изучения материалов электронной техники. М.: НИИМВ, 1994. 196 с. Отчет НИИМВ №2858 инф.

  21. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном режимах. I. Лазерно-химический метод осаждения пленок кремния в гидридном процессе в баллистическом режиме. Химическая технология. 2006. №10. С.3-5.

  22. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном режимах. II. Осаждение пленок кремния, лимитируемого диффузией ключевых реагентов. Химическая технология. 2006. №11. С.3,4.

  23. С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.А.Зотов, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий, Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков. Легирование слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах роста эпитаксиальных слоев при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в производстве структур КНИ. Материаловедение. 2006. №10. С.17-20.

  24. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном режимах. I. Лазерно-химический метод осаждения пленок кремния в гидридном процессе в баллистическом режиме. Химическая технология. 2006. №10. С.3-5.



  1. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном режимах. II. Осаждение пленок кремния, лимитируемого диффузией ключевых реагентов. Химическая технология. 2006. №11. С.3,4.

  2. С.П.Тимошенков, И.М.Бритков, Ал.С.Тимошенков, О.М.Бритков, Д.К.Григорьев, Ан.С.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Моделирование процессов роста слоев кремния и пленок диэлектриков из парогазовой фазы. Тезисы докладов Пятой Международной конференции «Материалы и покрытия в экстремальных условиях: исследования, применение, экологически чистые технологии производства и утилизации изделий». 22-26 сентября 2008 г.Большая Ялта, Жуковка. Автономная республика Крым, Украина. http://www.materials.kiev.ua/science/servlet/

  3. С.П.Тимошенков, И.М.Бритков, Ал.С.Тимошенков, О.М.Бритков, Д.К.Григорьев, Ан.С.Тимошенков, С.С.Евстафьев, Е.П.Светлов-Прокопьев. Моделирование процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния в хлоридных и гидридном процессах. Сборник трудов VI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля 2008 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2006. http://www.ioffe.ru/AMS/AMS6






жүктеу/скачать 0.53 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4



©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз
    Басты бет