Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»



Pdf көрінісі
бет108/169
Дата26.12.2023
өлшемі5.26 Mb.
#488043
түріОқулық
1   ...   104   105   106   107   108   109   110   111   ...   169
Каз.Морозова Электротехника и электроника

12.6-сурет
Фотодиодтың 
вольт-амперлік 
сипаттамасы 


188 
Фотодиодтар өнеркəсіпте кеңінен пайдаланылады: есептегіш 
техникада, 
фотометрияның, 
киноаппаратураның, 
өндірістік 
процестерді автоматтандыру жүйелерінің жəне т.б. тіркегіш жəне 
өзшегіш аспаптарында. 
12.4. 
ФОТОТРАНЗИСТОР 
 
Фототранзистор — бұл сəулелік энергия əсерінен фототоқтың 
күшею қасиеті бар екі р—n-ауысулары бар үш қабатты жартылай 
өткізгіш фотоэлектрлік құрылғы. Биполярлық жəне далалық 
фототранзисторлар қолданылады. 
Биполярлық фототранзистор бұл фотосезімтал элементі 
биполярлық транзистордың құрылымын қамтитын фототранзистор. 
Далалық фототранзистор — бұл фотосезімтал элементі 
далалық транзистордың құрылымын қамтитын фототранзистор. 
Фототрансорбцияның 
құрылысы 
мен 
жұмыс 
принципі 
биполярлық транзисторға ұқсас. Көп жағдайда фототранзисторда 
эмиттерден жəне коллектордан екі шығысы бар. Базаның сыртқы 
бөлігі фотосезімтал бет болып табылады, сондықтан эмиттердің 
əдетте шағын өлшемдері бар. Копуста жарық өткізетін терезе бар. 
Фототранзистордың құрылымы жəне оны қосу схемасы 12.7- 
суретте келтірілген. Фототранзисторды қосудың екі схемасы бар: 
еркін базасы бар схема жəне сызықты сипаттаманы алу үшін
қажетті ығысу кернеуі базаға берілетін схема. 
Жарықтандыру болмаған кезде фототранзистордың тізбегінді 
кішігірім қараңғы тоқ өтеді. Фотосезгіш бетті жарықтандыру 
кезінде, онда заряд тасымалдаушылардың жұптары жасалады. 
12.7 -сурет. 
Фототранзистордың құрылымы (а) жəне қосылу схемасы (б)


189 
Коллекторлық ауысу арқылы базаның (тесіктердің) негізгі емес 
зарядтар тасығыштары коллекторға ауысады, жəне кері ауысу тоғы 
база тесіктерінен түзілген тоққа артады (диодтың фототоғын ұқсас 
фототоқтың 
бір 
бөлігі). 
Алайда, 
фотодиодқа 
қарағанда, 
фототранзисторда фототоқтың екінші құраушысы бар: базадан 
тесіктердің қашуы оның ішіндегі қалпына келтірілмеген теріс 
кеңістік зарядының пайда болуына жəне эмитеттің əлеуетті 
тосқауылының төмендеуіне əкеліп соғады. Соның салдарынан 
эмитенттің базаға енгізген тесіктері саны көбейеді, демек, базадан 
коллекторға өтетін саңылаулар саны артады. 
Осылайша, фототранзистордың сезімталдығы фотодиодтың 
сезімталдығынан əлдеқайда жоғары. Үзілген базасы бар 
фототранзистордың вольт-амперлік сипаттамалары ЖЭ бар схема 
бойынша 
қосылған 
биполярлық 
транзистордың 
шығыс 
сипаттамаларына ұқсас. Аспаптардың негізгі параметрі жарық 
ағыны Ф болып табылады. Фототранзисторлардың жиіліктік 
сипаттамалары оның сыйымдылығы есебінен эмиттерлік ауысудың 
инерциялығына байланысты фотодиодтарға қарағанда нашар. 
Фототранзисторлардың параметрлері елеулі түрде температураға 
байланысты. 
Фототранзисторлар түрлі салаларда кеңінен қолданылады: 
фототеграфияда, фототелефонияда, есептегіш техникада, көрінетін, 
инфрақызыл жəне ультракүлгін сəулелерді тіркеу кезінде. 


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   104   105   106   107   108   109   110   111   ...   169




©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет