Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»
ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШТІ ТҮЗЕТКІШ ДИОДТАР
жүктеу/скачать 5.26 Mb. Pdf көрінісі
|
- Бұл бет үшін навигация:
- 11.4 -сурет.
- 11.5 -сурет.
| 11.3.
ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШТІ ТҮЗЕТКІШ ДИОДТАР Жартылай өткізгіш диод деп екі шығысы жəне бір электронды- кемтікті ауысуы бар аспапты айтады. Жартылай өткізгіш диодтардың электронды шамдармен салыстырғанда бірнеше артықшылығы бар: кішкентай габариттік өлшемдері, аз салмағы, жоғары ПӘК, электрондардың қызу көзінің жоқтығы, ұзақ қызмет мерзімі, жоғары сенімділік. Жартылай өткізгіш диодтардың маңызды қасиеті - бір жақты өткізгіштігі - электрлік сигналдарды түзету, шектеу жəне түрлендіруге арналған құрылғыларда кеңінен қолданылады. Нүктелі диодтар (11.4-сурет) жəне жазықтық додтар (11.5-сурет) болып бөлінеді. Нүктелі диодтың шыны немесе метал корпуста 2 (11.4-суретті қараңыз) n-типті ауданы 1 мм 2 жəне қалыңдығы 0,5 мм германий немесе кремний кристаллдары 3 бекітіледі, оған акцепторлық саптамамен қосындылаған, болат немесе қола ине 4 қысылады. Аспап шығыстар 1 арқылы схемаларға қосылады. Қалыптастыру үрдісі кезінде күшті тоқ импульстері иненің кристалдануы арқылы өтеді. Бұл жағдайда иненің ұшы балқиды жəне акцепторлық қоспаның бір бөлігі кристалға енгізіледі. Бұл процесс диодты қалыптандыру деп аталады. Иненің айналасында кемтікті электр өткізгіштігі бар микроскопиялық (нүктелік) аймақ пайда болады. Осы аймақтың жартылай сфералық шекарасында л- типті кристалы бар электронды-кемтікті ауысу түзіледі. Жазық диодтардың р—n-ауысу аумағы ондаған жəне жүздеген микрометрлерге жетеді. Осындай аудандарды алу үшін пайдаланады 1 2 3 4 1 16 мм 11.4 -сурет. Нүктелік германий диодтың конструкциясы: 1 — шығыстар; 2 — корпус; 3 — л-типті германий немесе кремний кристалл ; 4 — ине 169 11.5 -сурет. Жазық түзеткіш диодтың конструкциясы: 1 — шығыс; 2 — шыны төлке; 3 — жартылай өткізгішті кристалл; 4 — сомын; 5 — шайба; 6 — негіз; 7 — металл корпус балқыту немесе диффузия əдістері. Балқыту әдісі кезінде донорлық қоспасы бар кристалл пластинасына акцепторлық қоспа таблеткасын салады, ол пеш қызғанда балқиды. Балқыма ішінара кристаллға енеді жəне кристалл массасымен шектелетін p- типті аймақ түзеді. Осы шекарада p—n-ауысу түзіледі. Диффузия әдісімен диодты дайындаған кезде донорлық қоспасы бар кристалды акцептордың газды ортасына (акцепторлық қоспасы бар кристалды - донордың газ ортасына) орналастырады жəне белгіленген температурада ұзақ уақыт ұстайды. Балқыту əдісі қоспаның концентрациясы кенет өзгеретін p—n-ауысу алуға мүмкіндік береді. Диффузия əдісінде p—n-ауысу аймағындағы қоспаның атомдарының концентрациясы біртіндеп өзгереді.. Диодтың негізгі сипаттамасы (11.2, б-суретті қараңыз) оның вольт-амперлік сипаттамасы болып табылады, оның түрі p—n- ауысудың сипаттамасына сəйкес келеді. Айнымалы тоқты түзетуге арналған жартылай өткізгішті диодтар түзеткіш деп аталады. Жартылай өткізгіш диодтар радиоэлектроника, автоматика жəне есептегіш техника құрылғыларында, күштік (теориялық) түрлендіргіш техникада кеңінен қолданылады. Жоғары қуатты диодтар тартқыш электр қозғалтқыштарды, станок жетектерін жəне механизмдерде қолданылады. жүктеу/скачать 5.26 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|