Практикум содержит 4 лабораторные работы. Аудиторная (установочная) часть каждой
жүктеу/скачать 1.43 Mb. Pdf көрінісі
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Что должно быть отражено в отчете по заданиям 6 и 7
| Задание 6. Построение передаточных ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n переходом
Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n переходом (ПТУП, JFET) приведена на рис. 16. Выбрана модель широко применяемого n-канального транзистора J308. Vds DC 5 Vgs DC 0 J1 J308 Рис. 16. Схема для снятия передаточных ВАХ транзистора J308 Окно для задания параметров моделирования показано на рис. 17, а график передаточных ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n переходом – на рис. 18. Обратите внимание на диапазон изменения и полярность напряжений в схеме. Рис. 17. Окно задания параметров для снятия передаточных ВАХ транзистора J308 13 -5.00 -4.50 -4.00 -3.50 -3.00 -2.50 -2.00 -1.50 -1.00 -0.50 0.00 0.50 0.00m 10.00m 20.00m 30.00m 40.00m 50.00m ID(J1) (A) V(VGS) Micro-Cap 11 Evaluation Version Lab1-3.CIR VDS=2...10 Рис. 18. Передаточные ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n переходом J308 Задание 7. Исследование токостабилизирующего диода На базе ПТУП изготавливают т.н. токостабилизирующие диоды. Это двухполюсные приборы, ток через которые слабо зависит от напряжения на их выводах (при правильной полярности). Обозначение и схема такого устройства приведены на рис. 19. J1 J308 RS анод катод к а Рис. 19. Токостабилизирующий диод. Обозначение и принципиальная схема Необходимо доказать, путем моделирования и построения ВАХ, что в определенном диапазоне напряжений на таком диоде ток через него можно с определенной точностью считать постоянным. Что должно быть отражено в отчете по заданиям 6 и 7 1. Передаточные ВАХ для заданной модели полевого транзистора с управляющим p-n переходом. По этим ВАХ необходимо определить главные параметры ПТУП: начальный ток стока и напряжение отсечки. Сравнить полученные значения с модельными параметрами. Следует отметить, что главными модельными параметрами, характеризующими усилительные свойства, являются BETA и VTO. Однако связь между ними и измеряемыми по ВАХ параметрами однозначная и легко устанавливается. Определение важного параметра LAMBDA в этой части работы не производится и будет выполнено в части, касающейся МОП транзисторов. 2. Результаты, показывающие что токостабилизирующий диод действительно является источником стабильного тока (при известных ограничениях). Чему равен ток через такой диод (рис. 19) при номинале резистора 1,1 кОм и напряжении около 5 В? Дополнительное задание (не обязательное). Установить аналитическую зависимость между параметрами ПТУП, номиналом резистора и величиной постоянного тока через транзистор. |