Сборник описаний лабораторных работ Архангельск 2015

6 Порядок выполнения работы:

6.2.1 Загрузите файл ib3.1 из папки «ib». Схема исследования характеристик с помощью анализатора приведена на рисунке 1.

Рисунок 1 - Схема исследования характеристик БТ

6.2.2 Установите марку биполярного транзистора согласно варианту (смотри таблицу 1).

Таблица 1

Вариант	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9
Марка БТ	2N222	2N3903	2N4124	2N5088	2N5550	2N4123	2N2714	2N5172	2N2222	2N5550
Марка МДП	2N7000	2N7002	BSD214	VN10LF	BS170	2N7000	2N70002	BSD214	VN10LF	BSD214

6.2.3 Изменяя диапазон величин базового тока согласно таблице 2, получите выходную характеристику БТ и проведите измерения коллекторного тока и напряжения. Результаты измерений занесите в таблицу 2.

6.2.3.1 Для проведения измерений разверните прибор Analysis, щелкнув 2 раза ЛК мыши. Выберите в строке Components для исследования БТ BJT n-p-n. Для установки величин базового тока войдите в опцию Simulate Parameters и выберите Source Name Ib:

Stop 0,1 мА

и для выбора диапазона коллекторного напряжения:

Start 0 В

Stop 20 В

Шаг 5 В.

Таблица 2

№ изм.	Iб=0,1 мА		Iб=0,3 мА		Iб=0,5 мА
	Uкэ, В	Iк, мА	Uкэ, В	Iк, мА	Uкэ, В	Iк, мА
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

6.2.4 Постройте семейство выходных характеристик биполярного транзистора с ОЭ Iк =f (Uкэ) при Iб – const (три ветви в одной системе координат).

6.3 Исследование стоковых характеристик МДП транзистора.

6.3.1 Загрузите файл ib4.2 из папки «ib». Схема исследования характеристик МДП - транзистора с помощью анализатора приведена на рисунке 2.Замените марку транзистора согласно варианту (таблицу 1).

Рисунок 2 - Схема исследования характеристик МДП - транзистора

жүктеу/скачать 0.63 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: