Техника негіздері
жүктеу/скачать 0.81 Mb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- 1.3.1.2.2 Статикалы басқарылымды D-триггер
- 1.3.1.2.3 Динамикалы басқарылымды триггерлер
- 1.4 Жадылық құрылғылар Жадылық құрылғылар (ЖҚ) – информация сақтауға арналған құрылғылар. 1.4.1 Жадылық құрылғылардың басқару сигналдары
- 1.4.2 Жадылық құрылғылардың басты параметрлері
- 1.4.3 Жадылық құрылғылардың негізгі түрлері
- 1.4.4 Жадылық құрылғылардың негізгі құрылымдары SRAM және ROM түрлі жадылық құрылғылар 2D, 3D және 2DM құрылымымен құрылады. 1.4.4.1 2D құрылымы
- 1.4.5 Тұрақты жадылық құрылғылардың байланыс элементтері 1.4.5.1 ROM(M) құрылғылары
- 1.4.5.2 PROM құрылғылары
- 1.4.5.3 EPROM және EEPROM құрылғылары
1.22 Сурет Бұл триггердің жұмыс режидері 1.16-кестеде суреттелген. 1.16 К е с т е
C = 0 кезінде триггер сақтау режимінде болады. Триггердің R мен S кірістеріндегі сигнал деңгейлеріне сәйкесті жағдайға ауысуы С = 1 кезінде жүзеге асырылады. Синхронды RS-триггердің шартты сызба белгілемесі 1.22, b-суретте келтірілген. 1.3.1.2.2 Статикалы басқарылымды D-триггер Статикалы басқарылымды D-триггердің (Delay – кідіріс) сұлбасы мен шартты сызба белгілемесі 1.23-суретте келтірілген, ал оның жұмыс режимдері 1.17-кестеде суреттелген.
1.23 Сурет 1.17 К е с т е
1.3.1.2.3 Динамикалы басқарылымды триггерлер Динамикалы басқарылымды триггерлер жағдайының ауысуы статикалы басқарылымды триггерлердегі сияқты басқару сигналының деңгейімен емес, оның ауытқуымен жүзеге асырылады. Олар үштриггерлі құрылым деп аталатын сұлбамен құрылады. Динамикалы басқарылымды триггерлердің күрделі сұлбаларын тәптіштеп қарап жатпай-ақ, олардың жұмыс режимдерімен ғана танысамыз. D-триггер. Динамикалы басқарылымды D-триггердің шартты сызба белгілемесі 1.24, a-суретте келтірілген, ал оның жұмыс режимдері 1.18-кестеде суреттелген.
1.24 Сурет 1.18 К е с т е
Бұл триггердің жағдайының информациялық сигналдың мәніне (D) сәйкесті ауысуы басқару сигналының тура ауытқу (0-ден 1-ге) мезетінде жүзеге асырылады. Оның шартты сызба белгілемесінде басқару сигналының ауытқу бағыты сәйкесті бағыттама түрінде бейнеленеді (1.24, a-суретті қара). JK-триггер. JK-триггердің төрт түрлі жұмыс режимі бар (1.19-кестені қара): оның үш режимі (‘0’ жазу, ‘1’ жазу, сақтау) RS-триггердегі сияқты, ал төртінші режим санау режимі деп аталады; бұл режимде триггер кезекті жағдайынан қарсы жағдайға ауысады. JK-триггердің келтірілген жұмыс кестесінде және оның шартты сызба белгілемесінде (1.24, b-сурет) оның жағдайын ауыстыруы басқару сигналының теріс ауытқу (1-ден 0-ге) мезетінде жүзеге асырылатындығы сәйкесті бағыттау белгілерімен суреттелді. 1.19 К е с т е
T-триггер. T-триггер – санау режимінде істейтін триггер. T-триггердің қызметін жүзеге асыру үшін D-триггер мен JK-триггердің қосылым тәртібі 1.25-суретте келтірілген.
1.25 Сурет Триггерлердің микросұлбалары. Микросұлба түрінде D-триггерлер мен JK-триггерлер шығарылады. Бұл микросұлбаларда информациялық және басқару сигналдарын енгізу шықпаларымен қатар, бастапқы қойылым сигналдарының (R', S’) шықпалары орналастырылады (1.26-суретті қара). Бұл кірістерге берілетін асинхронды сигналдардың мәртебесі басқа сигналдарға қарағанда жоғары болады.
1.26 Сурет 1.3.2 Регистрлер Регистр – көпразрядты екілік сан сақтауға арналған құрылғы. Олар триггерлердің (мысалы D-триггерлердің) негізінде құрылады. Әрине, регистр құрамындағы триггерлердің саны регистрдің разряд санымен анықталады. Регистрге санның енгізілу тәртібіне байланысты, олардың тізбекті немесе параллель регистр деп аталатын түрлері болады. Тізбекті регистрде әрбір триггердің шығысы келесі триггердің информациялық кірісіне жалғанады. Бірнешеразрядты екілік сан түріндегі сөздің разряд мәндері бір-бірлеп бірінші триггерге тактілік сигналдың сәйкесті ауытқуында енгізіледі де, осы мезетте триггерлердегі бұрынғы енгізілген разряд мәндері бір триггерден келесі триггерге ығысып отырады. Әрине, бүкіл сөзді енгізу үшін, оның қанша разряды болса, сонша тактілік сигнал қажет болады. Параллель регистрдің триггерлерінің информациялық кірістеріне сөз разрядтарының мәндері қатар беріліп, олар регистрге жалғыз тактілік сигнал арқылы енгізіледі. Екі түрлі енгізу тәсілі қамтылған әмбебап регистрлер де болады. Осындай әмбебап регистрдің мысалы ретінде 74194 аталымды төртразрядты регистрдің сызба белгілемесі 1.27-суретте келтірілген. 1.27 Сурет Оның шықпаларының (яғни, оларға берілетін сигналдардың) қызметі: VCC, GND – қорек көзі мен жердің қосылатын шықпалары; A, B, C, D – информацияны параллель енгізу шықпалары; QA, QB, QC, QD – регистрдің шығыстары; SR – солға ығыстыру кезіндегі информация енгізу шықпасы; SL – оңға ығыстыру кезіндегі информация енгізу шықпасы; S1, S0 – регистрдің жұмыс режимдерін анықтаушы сигналдардың шықпалары: S1 = 0, S0 = 0 – сақтау режимі; S1 = 0, S0 = 1 – солға ығыстыру режимі; S1 = 1, S0 = 0 – оңға ығыстыру режимі; S1 = 1, S0 = 1 – параллель енгізу режимі; CLK – тактілік сигналдың шықпасы; CLR’ – тазарту сигналының шықпасы. 1.3.3 Санауыштар Санауыш – импульстердің әрбір сәйкесті ауытқымасында құрамындағы санды бірге өзгертіп отыратын құрылғы. Құрамындағы санның өзертілу бағытына байланысты тура, теріс және әмбебап санауыштар болады. Санауыштар T-триггерлердің негізінде құрылады. Қарапайым санауыштың мысалы ретінде Electronics Workbench бағдарламасының элементтер қорындағы 7493 аталымды төртразрядты санауыштың сызба белгілемесі 1.28, a-суретте көрсетілген.
1.28 Сурет Оның құрамында бірразрядты және үшразрядты санауыштар орналастырылған. Бұл микросұлбаның шықпаларының қызметі: VCC, GND – қорек көзі мен жердің қосылатын шықпалары; CKA, QA – бірразрядты санауыштың кірісі мен шығысы; CKB, QB, QC, QD – үшразрядты санауыштың кірісі мен шығыстары; R01, R02 – санауыштарды тазарту сигналдарының шықпасы. Бұл микросұлбаның құрамындағы санауыштарды жеке түрінде де, оларды бір-біріне жалғап, төртразрядты санауыш ретінде де пайдалануға болады. Әмбебап санауыштың мысалы ретінде Electronics Workbench бағдарламасының элементтер қорындағы 74169 аталымды төртразрядты санауыштың сызба белгілемесі 1.28, b-суретте көрсетілген. Бұл микросұлбаның шықпаларының қызметі: VCC, GND – қорек көзі мен жердің қосылатын шықпалары; A, B, C, D – информацияның параллель енгізілу кірістері; LOAD’ – информацияны параллель енгізу сигналының кірісі; QA, QB, QC, QD – санауыштың шығыстары; D/U’ – санау бағытын анықтаушы сигнал шықпасы; ENP’, ENT’ – санауышты іске қосу сигналдарының кірістері; CLK – тактілік сигналдың кірісі; RCO’ – санау шегіне жету сигналы. 1.4 Жадылық құрылғылар Жадылық құрылғылар (ЖҚ) – информация сақтауға арналған құрылғылар. 1.4.1 Жадылық құрылғылардың басқару сигналдары Жадылық құрылғылардың жұмысы келесі сигналдармен басқарылады: A (Address) – адрес, оның разрядтылығы (n) жады құрылымының ұяшық санымен (N) анықталады. Жады құрылымының ұяшық саны, әдетте, екінің тұтас мәнді дәрежесімен сипатталады. Адрес разрядтылығы (n) жадының ұяшық санына n =log2N қатынасымен байланысты; CS (Chip Select) немесе CE (Chip Enable) – микросұлбаны таңдау немесе іске қосу сигналы; R/W (Read/Write) – сәйкесті операцияны орындату сигналы; DI (Data Input) және DO (Data Output) – кіріс және шығыс деректерінің сигналдары жүретін желілер. Кейбір жады құрылымдарында олар біріктірілген түрінде пайдаланылады. 1.4.2 Жадылық құрылғылардың басты параметрлері Жады құрылымдарының жұмыс мүмкіндігі келесі параметрлерімен суреттеледі: информациялық сыйымдылығы – сақталатын информацияның ең жоғарғы көлемі. Ол бит, байт немесе, бірнеше байттан тұратын, сөз санымен сипатталады; ұйымдастырылымы – сақталатын сөз санының олардың разряд санына көбейтіндісі түрінде сипатталады. Мысалы, информациялық сыйымдылығы 2048 бит жады құрылымы 256x8 немесе 128x16 түрінде ұйымдастырылуы мүмкін; тезәрекеттілігі – оқу, жазу операцияларының және оқу/жазу циклінің ұзақтығымен бағаланады. Қазіргі заманғы, сөз тобымен (бумасымен) жұмыс істейтін, жады құрылымдарында айтылған дәстүрлі параметрлермен қатар бастапқы байланыс уақыты (Latency) және буманың келесі сөздерінің жіберілім қарқыны (Bandwidth) аталымды жаңа параметрлер енгізілген; Екі сигналдың (A және B) уақытқа қарай өзара орналасымына байланысты келесі параметрлер беріледі: tSU(A–B) – екі сигналдың басталым мезгілдерінің аралығымен сипатталатын, алғы қойылым уақыты; tH(A–B) – A сигналының басталымы мен B сигналының аяқталым мезгілдерінің аралығымен сипатталатын, ұсталым уақыты; tV(A–B) – екі сигналдың аяқталым мезгілдерінің аралығымен сипатталатын, сақталым уақыты; tW – сигнал ұзақтығы. 1.4.3 Жадылық құрылғылардың негізгі түрлері Жадылық құрылғылар, өзара қайшы келетін, басты параметрлерінің (информациялық сыйымдылығы мен тезәрекеттілігінің) шамасына қарай, келесі түрлерге бөлінеді: регистрлік жады, олар процессордың немесе сол сияқты үлкен құрылымдардың құрамында (яғни, олардың ішкі блогы ретінде) орналастырылады; сондықтан процессор сыртында жүзеге асырылған, баяу істейтін жады құрылымдарына байланыс саны кемиді де, жалпы құрылымның жұмыс жылдамдығының көтерілуіне жағдай жасалады; кэш-жады, онда кезекті алмасу операцияларында пайдаланылатын информацияның көшірмесі сақталады, сондықтан олардың қайта қажет болуында шығарылуы тезірек орындалады; негізгі жады (жұмыс жадысы, тұрақты жады), ол процессормен тікелей алмасу режимінде істейді және оның тезәрекеттілігі процессормен, мүмкіндігінше, келістірілген; сыртқы жады, олар информациялық сыйымдылығы жағынан, ең көлемді құрылымдар, бірақ, олардың тезәрекеттілігі (қозғалмалы құрылғылар негізінде құрылатындықтан) басқа жады түрлерімен салыстырғанда өте төмен болады. Жадылық құрылғылар, деректерге шығу тәсіліне қарай келесі түрлеріне бөлінеді: сілтеу арқылы шығарылымды ЖҚ; тізбекті шығарылымды ЖҚ; танымалды шығарылымды ЖҚ. Сілтеу арқылы шығарылымды ЖҚ-лар RAM (Random Access Memory) және ROM (Read Only Memory) түрлеріне бөлінеді. RAM түрлі ЖҚ-ларда кезекті бағдарламаның орындалуы кезіндегі алмасуға қатысты, кез келген уақытта өзгеретін деректер сақталады. Олардың жадылық элементтерінде дерек сақталуы қорек көзіне тәуелді. RAM түрлі ЖҚ-лар статикалық (SRAM) және динамикалық (DRAM) түрлерге бөлінеді. Оның біріншісінде жады элементтері ретінде триггерлер пайдаланылады, сондықтан олардың тезәрекеттілігі жоғары болады; ал екіншісінде деректер МТШ-құрылымның элементтері арқылы құрылған конденсаторлардың зарядтары түрінде сақталады. Конденсаторлардың өздігінен зарядсыздануы деректерді жояды, сондықтан олардың қайта-қайта (әрбір миллисекунд сайын) қалпына келтіріліп отырылуы керек. Бірақ, динамикалық жады элементтерінің орналастырылу тығыздығы статикалық құрылыммен салыстырғанда бірнеше есе асып түседі. ROM түрлі ЖҚ-лардың кейбір түріндегі информация ешқашан өзгертілмейді, ал кейбір түрінде өзгертіледі, бірақ ол құрылғының жұмыс режимінде емес, арнайы режимде жүзеге асырылады. ROM түрлі ЖҚ-лар бағдарлану тәсіліне байланысты бірнеше түрде шығарылады: ROM(M) түріндегі құрылымдар жинам технологиясымен өндірісте шығарылу кезінде арнайы маскалар арқылы бағдарланады да, одан кейін ондағы информация ешқашан өзгертілмейді; PROM (Programmable ROM) түріндегі құрылымдарды пайдаланушының өзі бағдарлайды (яғни, оған қажетті информацияны енгізеді), одан кейін бұл құрылым ROM(M) сияқты тұрақты жады ретінде пайдаланылады; EPROM (Electrically Programmable ROM) және EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) түріндегі құрылымдардағы информацияны өшіріп, одан кейін оларды қайтадан бағдарлауға болады. EPROM құрылымдарындағы информация ультракүлгін сәулесімен, ал EEPROM құрылымдарындағы информация электр сигналдарымен өшіріледі. Оларды бағдарлау зертханалық жағдайда арнайы бағдарлаушы құрылғылар арқылы жүзеге асырылады. Тізбекті шығарылымды ЖҚ-ларға жазылған деректер кезек құрады. Кезектегі сөздердің оқылуы олардың жазылым тәртібімен немесе керісінше тәртіппен жүзеге асырылады. Сөздердің тура шығарылым тәртібі FIFO (First In – First Out) буферлері мен файлды және циклді ЖҚ-ларда қолданылады. Сөздердің кері тәртіппен оқылуы LIFO (Last In – First Out) буферлері ретінде істейтін стек түріндегі ЖҚ-ларда қолданылады. Танымалды шығарылымды ЖҚ-лардағы информацияны іздеу оның жадыдағы орналасымы арқылы емес, cөз құрамына енгізілген арнайы танымал белгісі (tag) арқылы жүзеге асырылады. 1.4.4 Жадылық құрылғылардың негізгі құрылымдары SRAM және ROM түрлі жадылық құрылғылар 2D, 3D және 2DM құрылымымен құрылады. 1.4.4.1 2D құрылымы 2D құрылымының ұйымдастырылу тәртібі 1.29-суретте көрсетілген. Бұл құрылымда m-разрядты жады ұяшықтары (ЖҰ) жеке жолдарға орналасады (суретте – вертикаль бойында), сондықтан бұндай құрылым көбіне сызықты құрылым деп аталады. 1.29 Сурет Адрес кодының дешифраторы (DC), рұқсат сигналы CS (Chip Select) берілген кезде, шығыс жолдарының біреуін жандандырып, таңдалған жолдағы ұяшыққа, демек, онда сақтаулы сөзге қол жеткізеді. Матрица бағаналарының сәйкесті элементтері вертикаль жолға, яғни ішкі дерек жолына (разряд жолына, оқу/жазу жолына) жалғанған. Бағана элементтерінде сөздердің аттас биттері сақталған. Сөздің жіберілім бағыты R/W (Read/Write) сигналының әрекетіне байланысты оқу/жазу күшейткіштерімен анықталады. 2D құрылымды жадылық құрылғының жады ұяшықтарының санын бірнеше есе ұлғайту керек болса, құрылғыдағы дешифратордың шығыс саны да сонша есе ұлғайтылу керек болады, ал көпшығысты дешифратор құру – жеңіл мәселе емес. Сондықтан 2D құрылымы қарапайым құрылымдарда ғана пайдаланылады. 1.4.4.2 3D құрылымы 3D құрылымы (матрицалы құрылым) қоскоординаталы талғам арқылы адрес дешифраторын жеңілдетуге мүмкіндік береді (1.30-суретті қара). 1.30 Сурет Бұнда n разрядты адрес коды екіге бөлінеді де, олардың әрбіреуі жеке ажыратылады. Жандандырылған жолдардың қиылысындағы жады элементі (немесе ұяшығы) таңдалады. Бұндай қиылыстар саны 2n/2 х 2n/2 = 2n. Екі дешифратордың шығыстарының толық саны 2n/2 + 2n/2 = 2n/2+1 болады, ал бұл 2D құрылымдағы дешифратордың шығыс санынан (2n) санынан едәуір кем. 3D құрылымының мүмкіндігі 2D құрылымымен салыстырғанда көбірек болғанмен, оның қолданылым аймағы да шектелген. 1.4.4.3 2DM құрылымы Үлкен құрылымдардың (мысалы, компьютерлердің) жады жүйелерін ұйымдастыруға арналған 2DM (модификацияланған 2D) құрылымының жады элементтерінің матрицасы (1.31-суретті қара) 2D құрылымының сипатындай: дешифратордың жандандырылған шығысы толық бір жолды таңдайды. Бірақ 2D құрылымынан ерекше, бұнда жол ұзындығы сақталушы сөздердің разряд санындай емес, одан бірнеше есе асып түседі. Жолдардың біреуін таңдауға адрес кодының An–1... Ak бөлігі пайдаланылады. Адрестің қалған разрядтары (от Ak–1... A0) таңдалған жолдағы көптеген сөздердің қажеттісін мультиплексор арқылы бөліп шығаруға пайдаланылады. Жол ұзындығы – m2k, бұндағы m – сақталушы сөздердің разряд саны. Ұзақтығы 2k жолдың әрбір “кесіндісінен” 2k мультиплексор бір бит таңдайды. Мультиплексорлардың шығыстарында шығыс сөзі қалыптасады. Үш жағдайлы басқарылымды буферлердің ОЕ кірістеріне түсетін CS сигналының рұқсатымен шығыс сөзі сыртқы желіге жіберіледі. 1.31 Сурет 1.4.5 Тұрақты жадылық құрылғылардың байланыс элементтері 1.4.5.1 ROM(M) құрылғылары ROM (Read Only Memory) түрлі жадылық құрылғылардың кейбіреуіндегі информация (ROM(M) және PROM түрлі ЖҚ-да) ешқашан өзгермейді, ал кейбіреуінде (EPROM и EEPROM түрлі ЖҚ-да) өзгертіледі, бірақ ол құрылғының жұмыс режимінде емес, арнайы режимде жүзеге асырылады. ROM(M) түріндегі құрылымдар жинамды технологиямен олардың өндірісте шығарылу кезінде арнайы маскалар арқылы бағдарланады да, одан кейін ондағы информация ешқашан өзгертілмейді. Оларды бағдарлау жады элементтерінің матрицасының горизонталь және вертикаль жолдарының арасында байланыс элементтерінің орналастырылуы арқылы жүзеге асырылады. Байланыс элементтері ретінде диодтардың, биполярлы транзисторлардың, МОШ-транзисторлардың және т.б. пайдаланылуы мүмкін. Диодты ROM(M) матрицасында (1.32-суретті қара) горизонталь жолдар – сөз талғам жолдары, ал вертикаль жолдар – оқылым жолдары. Оқылатын сөз диодтардың координат торының түйіндеріндегі орналасысымымен анықталады. Сәйкесті қиылыста диодтың орналастырылған жағдайында таңдалған горизонталь жолдың жоғары мәнді потенциалы сәйкесті вертикаль жолға жіберіледі де, сөздің осы разрядында логикалық бір сигналы шығады. Диодтың жоқ кезінде, вертикаль жол резистор арқылы жерге жалғанғандықтан, осы жолдың потенциалы нөлге жуық болады. Көрсетілген матрицадағы талғам жолы Т0 жандандырылғанда 11010001 сөзі оқылады (номері ноль ұяшықта осы сөз сақталған). Т1 жолы жандандырылғанда 10101011 сөзі оқылады (ол номері 1 ұяшықта сақталған). Талғам жолдары – адрес дешифраторының шығыстары, әрбір адрес қиыстырымы дешифратордың сәйкесті шығысын жандандырады да, сілтенген ұяшықтағы сөз оқылады. 1.32 Сурет МОШ-транзисторлы құрылымның матрицасының сәйкесті қиылысындағы нөл сақтаушы МОШ-транзисторларының арнасы мен жапқышының арасындағы тотық қабатының қалыңдығы ұлғайтылады да, ол транзистордың шекті ашылым кернеуін өсіреді, яғни ол ашылмайтын жағдайға келтіріледі, ал бір сақтаушы транзисторлардың тотық қабатының қалыңдығы оның дешифратордан түсетін талғам сигналымен ашылатындай мөлшерге қойылады (1.33-суретті қара). 1.33 Сурет ROM(M) түрлі ЖҚ-лардың жады элементтері өте аз орын алады, демек, сәйкесті микросұлбалардың жиналым деңгейі жоғары болады. Бірақ жиналымды технологиялық тәсілмен бағдарлауға арналған маскаларды жобалау мен жасауға кететін қаражат аса көп болады. Бұндай қаражат олардың кең қолданылатын жағдайында ғана ақталады. Бұдан олардың қолданылым аймағы да анықталады, олар – тұтынушылардың көпшілігіне қажетті, стандартты информация сақтау. Мысалы, маскалы бағдарламалы ЖҚ-ларда алфавит (орысша және латынша) символдарының, қалыпты функциялардың (синустардың, квадраттық функциялардың және т.б.) кестелері, стандартты бағдарламалар және с.с. кең қолданылымды информацияның “тігілімдері”[1] болады. 1.4.5.2 PROM құрылғылары PROM (Programmable ROM) түрлі жадылық құрылғылардың микросұлбалары арнайы жалғамаларды жою немесе оларды құру арқылы бағдарланады. Микросұлбаның бастапқы дайындалымында барлық жалғамалар болады (немесе ешқандай жалғама болмайды). Бағдарлаудан кейін олардың қажеттілері ғана қалады (немесе құрылады). Жойылымды жалғамалы (fuse түрлі) ЖҚ-лардың бастапқы микросұлбасында барлық жалғама орналастырылған (яғни, жады матрицасының барлық қиылысында лог.1 тұрады). Бағдарлау кезінде олардың кейбірі, амплитудасы мен ұзақтығы жеткілікті мөлшердегі, ток импульстарымен еріту арқылы жойылады (яғни, жады матрицасының сәйкесті қиылыстарына лог.0 жазылады). Ерітілме жалғамалар диодтардың немесе транзисторлардың электродтарына қосылады (1.34, a-суретті қара). Құрылымды жалғамалы (antifuse түрлі) ЖҚ-лардың бастапқы микросұлбасының құрамындағы жады матрицасының барлық қиылысында қарсы қосылымды диод түріндегі немесе жұқа диэлектрлік қабат түріндегі құрылым орналастырылған.
1.34 Сурет Қосдиодты құрылымның (1.34, b-суретті қара) бастапқы жағдайдағы кедергісі жоғары болады да, бұл қиылыстардың ажыратылған жағдайына, яғни онда лог.0 сақталған элемент тұрғанына сәйкес келеді. Нақтылы қиылыстарды лог.1 жағдайына келтіру үшін, яғни онда бір жазу үшін, бұндағы диодтарға жоғары мәнді кернеу беру арқылы кері бағытта қосылған диод тесіліп, бұл қиылыс тұйықталады да, онда ток жүргізуші жалғама туады. Диэлектрлік қабатты құрылымдар аса ықшамды келеді, сондықтан олар, негізінде, мүмкіндігі және оған сәйкесті күрделілігі аса жоғары болатын, қазіргі заманғы бағдарламалы құрылымдарда қолданылады. 1.4.5.3 EPROM және EEPROM құрылғылары Қайта бағдарламалы EPROM және EEPROM түрлі ЖҚ-ларда ескі информацияны өшіріп, оның орнына жаңа информация жазу мүмкіндігі жасалған. Бұл операциялар (өшіру және жазу) олардың жұмыс режимінен шығарылған арнайы жағдайда жүргізіледі. Информацияның өшірілуі EPROM құрылымында ультракүлгін сәулесімен, ал EEPROM құрылымында электрлік тәсілмен жүзеге асырылады. Қазіргі заманғы қайта бағдарламалы ЖҚ-лардың жады элементтері ретінде МНТШ-транзисторлар (Металл, Нитрид, Тотық, Шалаөткізгіш) және ЗТИМТШ-транзисторлар (Зарядтардың Тасқынды Инжекциясына негізделген МТШ-транзистор) пайдаланылады. Информация сақтаушы жады элементтерінің қызметі EPROM құрылымында МНТШ-транзисторлардың екі диэлектрлік қабатының (кремний тотығы мен кремний нитридінің) шекарасында зарядтардың ұсталымына, ал EEPROM құрылымында ЗТИМТШ-транзисторларда қосымша қалқыма жаппаның тудырылуына негізделген. жүктеу/скачать 0.81 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|