Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»

( Standard of the American Physical Society)

(Научные статьи, монографии, тезисы докладов и доклады на конференциях, депонированные тезисы докладов, статьи и доклады, отчеты)

1. 
   В.И.Гольданский, А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1964. Т.47. Вып.8. С.659-666.
   
2. 
   А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы е⁺Н^-. Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий». М.: ИХФ АН СССР. 1963. С.6.
   
3. 
   В.И.Гольданский, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в щелочно-галоидных кристаллах. Физика твердого тела. 1964. Т.6. Вып.11. 3301-3306.
   
4. 
   А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции медленных позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1965. Т.48. Вып.4. С.1155-1158.
   
5. 
   Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Применение метода Хартри-Фока к задачам аннигиляции позитронов в конденсированных средах ионного типа // В кн.: Ядерная химия М.: Наука, 1965. С.249-267.
   
6. 
   Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из поляронных состояний в щелочно-галоидных кристаллах // В кн: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.282-289.
   
7. 
   Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Захват позитронов дефектами в щелочно-галоидных кристаллах // В кн.: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.290-297.
   
8. 
   Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.70.
   
9. 
   Прокопьев Е.П. Об аннигиляции термализованных позитронов в ионных кристаллах. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.71.
   
10. 
    Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 242 с.
    
11. 
    Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 с.
    
12. 
    19. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.464-466.
    
13. 
    Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.515-524.
    
14. 
    Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гелии // Теоретическая и экспериментальная химия. 1966. Т.2. Вып.4. С.543-545.
    
15. 
    Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // Письма в ЖЭТФ. 1966. Т.4. Вып.5. С.422--425.
    
16. 
    Прокопьев Е.П. О локализованных состояниях электронов на неидеальной поверхности полупроводника // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып. 11. С.2770-2772.
    
17. 
    Иванова А.В., Прокопьев Е.П. О взаимодействии медленных позитронов с ионами Н^- в гидридах щелочных металлов // Теоретическая и экспериментальная химия. 1967. Т.3. Вып.4. С.471-477.
    
18. 
    Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах // Физика твердого тела. 1967. Т.9. Вып.7. С.1266-1268.
    
19. 
    Прокопьев Е.П. Влияние хемосорбции свободных атомов на электрофизические свойства тонких окисных полупроводниковых пленок // Кинетика и катализ. 1968. Т.9. №2. С.450-451.
    
20. 
    Цыганов А.Д., Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в окислах металлов // Физика твердого тела. 1969. Т.11. Вып.8. С.2079-2087.
    
21. 
    Бартенев Г.М., Цыганов А.Д. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в кварце, облученном быстрыми нейтронами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1970. Т.58. Вып.6. С.1904-1910.
    
22. 
    Прокопьев Е.П. О возможности применения метода аннигиляции позитронов для характеристики экситонных состояний в ионных кристаллах // Известия ТСХА. 1970. №1. С.227-230.
    
23. 
    Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Образование и динамическая стабильность атома позитрония в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1970. Т.12. Вып.6. С.2733-2735.
    
24. 
    Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. О возможности применения методов аннигиляции позитронов для исследования процессов хемосорбции // Кинетика и катализ. 1970. Т.11. Вып.3. С.808-809.
    
25. 
    Прокопьев Е.П. Аномальное тушение триплетного позитрония магнитным полем в конденсированной фазе // Известия ТСХА. 1970. №5. С.197-203.
    
26. 
    Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Атом позитрония в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1970. №7. С.71-75.
    
27. 
    Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов отрицательных ионов по временам жизни позитронов // Журнал структурной химии. 1970. №6. С.1123-1124.
    
28. 
    Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью // ДАН СССР. 1970. Т.197. №2. С.560-563.
    
29. 
    Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы О^2-е⁺ в кристаллах // Физика твердого тела.1971. Т.13. С.1211-1213.
    
30. 
    Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Термализация позитронов в ионных кристаллвх // Известия вузов. Физика. 1971. №4. С.68-72.
    
31. 
    Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.10. С.2955-2964.
    
32. 
    Гольданский В.И., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Слабо связанные поверхностные состояния атома позитрония // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.11. С.3194-3198.
    
33. 
    Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах // Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2. С.339-354.
    
34. 
    Бартенев Г.М., Варисов А.З., Иванова А.В., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решегкой типа NaCl // Физика твердого тела 1972. Т.14. Вып.3. С.715-717.
    
35. 
    Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Позитронные центры в дефектных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1972. Т.14. С.588-590.
    
36. 
    Прокопьев Е.П. О свойствах F^₊ - центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи // Физика твердого тела. 1972. Т.14. Вып.10. С.2924-2926.
    
37. 
    Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом // Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585-599.
    
38. 
    ПрокопьевЕ.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1974. Т.36. Вып.2. С.361-367.
    
39. 
    Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1974. Т.8. Вып.4. С.368. - Деп. в ВИНИТИ. №59-74 Деп., 47 с.
    
40. 
    Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1974. №4. С.38-40.
    
41. 
    Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов на глубоких примесных уровнях в полупроводниках // Физика твердого тела. 1974. Т.16. Вып.3. С.730-732.
    
42. 
    Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1974. №10. С.76-79.
    
43. 
    Прокопьев Е.П. О диффузии и кинетике распада ортопозитрония в пористых ионных системах с развитой поверхностью // Кинетика и катализ. 1977. Т.18. С.776-779.
    
44. 
    Прокопьев Е.П. Влияние фононов решетки на энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1456. РИ.75.15.3799.
    
45. 
    52. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Воробьев С.А. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I₂ в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1975. №6. С.147-148.
    
46. 
    53. Прокопьев Е.П. О применении метода аннигиляции позитронов в спектроскопии твердых тел. М., 1975. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1454. РИ.75.3800.
    
47. 
    54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1975. Т.39. С.998-999.
    
48. 
    Прокопьев Е.П. О механизме аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1455. РИ.75.15.3797.
    
49. 
    Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции позитронов для изучения электронной структуры и физико-химических характеристик материалов. М., 1975. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1422. РИ.75.09.2278.
    
50. 
    Прокопьев Е.П. О таммовских позитронных состояниях в полупроводниках. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-1452. РИ.75.15.3795.
    
51. 
    Прокопьев Е.П. Многоэлектронная теория моттовского состояния позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1457. РИ.75.15.3796.
    
52. 
    Прокопьев Е.П. Теория аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1453. РИ.75.15.3798.
    
53. 
    Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в идеальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. Гл.3-4. С. 117-136.
    
54. 
    Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Кинетические схемы процесса аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.275.
    
55. 
    Прокопьев Е.П. Краткие сведения о возможной классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах // В кн.: “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.271.
    
56. 
    Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в реальных ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1977. №9. С.50-55.
    
57. 
    Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г. О поверхностных позитронных и позитрониевых состояний в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1978. №1. с.76-80.
    
58. 
    Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. , Разумовская И.В., Хашимов Ф.Р., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И. Аннигиляция позитронов в монокристаллах арсенида галлия // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.118-122.
    
59. 
    Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positronium in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of papers 4 Internat. Conf. on Positron Annihilation. Helsingor, Denmark. 23-26 august 1976. P.2. F-3.
    
60. 
    Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472-475.
    
61. 
    Прокопьев Е.П. Особенности позитронных аннигиляционных спектров полупроводников с глубокими примесными центрами // В кн.: Тезисы докладов “23 Всесоюзная конференция по люминесценции”. Кишинев: Штиница. 1976. С.5.
    
62. 
    Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Батавин В.В. Феноменологическая теория глубоких примесных центров и оптические переходы в полупроводниках. М., 1976. 17 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1717. РИ.76.12.3940.
    
63. 
    Прокопьев Е.П. Позитронные и позитрониевые состояния в реальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. С.137-167.
    
64. 
    Прокопьев Е.П. Метод квантового дефекта в применении к задачам аннигиляции термализованных позитронов на глубоких примесных центрах в полупроводниках // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.100-103.
    
65. 
    Прокопьев Е.П. О процессах распада и превращений позитронных состояний в полупроводниках с глубокими примесными центрами // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.95-100.
    
66. 
    Прокопьев Е.П. О взаимодействии термализованных позитронов с глубокими примесными центрами в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.550.
    
67. 
    Прокопьев Е.П. О влиянии температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.551.
    
68. 
    Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О сопоставлении свойств позитронных и электронных центров окраски // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.101.
    
69. 
    Прокопьев Е.П. О свойствах атомов мюония и позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.552.
    
70. 
    Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитронных состояний и механизм аннигиляции позитронов в реальных кристаллах. М., 1976. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1664. РИ.76.07.2280.
    
71. 
    Прокопьев Е.П. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования сорбционных процессов // В кн.: “Ионный обмен и хроматография. Рефераты и краткие сообщения”. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1976. С.333.
    
72. 
    Прокопьев Е.П. О роли исследования позитронных и позитрониевых состояний в науке и технике // В кн.: “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент : ФАН, 1979. С.113.
    
73. 
    Прокопьев Е.П. Позитронные состояния и механизм процессов аннигиляции позитронов в реальных полупроводниках // Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания “Физика и технические применения полупроводников А²В⁶ “. Киев: Наукова Думка, 1976. С.165.
    
74. 
    Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов по позитронным аннигиляционным спектрам полупроводниковых соединений А²В⁶”. Киев: Наукова Думка, 1976. С.166.
    
75. 
    Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния // Физика твердого тела. 1977. Т.19. С.1339-1344.
    
76. 
    Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках. М.,1977. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1974. РИ.77.01.542.
    
77. 
    Прокопьев Е.П. О влиянии поверхностных состояний на границе раздела полупроводник n-типа - металл на величину барьера Шоттки // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1979. Вып.1. С.93-95.
    
78. 
    Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников. М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412.
    
79. 
    Прокопьев Е.П., Батавин В.В. Применение феноменологической теории Райсса-Кауса к оптическим переходам в полупроводниках с участием примесных центров с глубоким уровнем. М., 1978. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2543. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №6. 1979. Сер. “ЭР”.
    
80. 
    Мокрушин А.Д., Кузнецов Ю.Н., Ольховикова Т.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Аннигиляция позитронов в монокристаллах полупроводниковых соединений А³В⁵ // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.11. С.3339-3344.
    
81. 
    Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А., Каретников А.С., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Маркова Т.И. Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1977. Т.11. Вып.4. С.651-655.
    
82. 
    Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. К вопросу обоснования оптической модели атома позитрония в ионных кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.1. С.64-67.
    
83. 
    Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции для исследования свойств полупроводниковых материалов при высоких давлениях // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1977. Вып.2. С.114-116.
    
84. 
    Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.152-153.
    
85. 
    Батавин В.В., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. О форме спектров фотолюминесценции на глубоких примесных центрах сложного состава в арсениде галлия. М., 1978. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2367. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
    
86. 
    Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях GaAs и GaP // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. Вып.5. С.891-894.
    
87. 
    Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях на поверхности и в нарушенных поверхностных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “6 Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках”. Киев: Наукова Думка. 1977. С.88.
    
88. 
    Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Воробьев С.А. Влияние температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.118-120.
    
89. 
    Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.35-39.
    
90. 
    Арефьев К.П., Батавин В.В., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в эпитаксиальных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. С.803-806.
    
91. 
    Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174.
    
92. 
    Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Этин Г.И. Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.153-155.
    
93. 
    Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А., Хряпов В.Т., Литош А.Г., Бочкарев С.Э. Исследование методом аннигиляции позитронов свойств глубоких акцепторных уровней в арсениде и фосфиде галлия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.46-52.
    
94. 
    Арефьев К.П., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Взаимодействие позитронов с дислокациями в полупроводниках GaAs n-типа // Физика твердого тела. 1979. Т.21. Вып.1. С.278-280.
    
95. 
    Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Погребняк А.Д. Исследование структурных дефектов (пленка-подложка) полупроводников методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов “5 Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов”. Новосибирск: Изд-во АН СССР, 1978. С.157.
    
96. 
    Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
    
97. 
    Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О позитронных состояниях на поверхности и в дефектных поверхностных слоях полупроводников // Известия вузов. Физика. 1979. №7. С.71-75.
    
98. 
    Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Позитроны в конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2317. Сб. ВИМИ “ Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №9. 1978.
    
99. 
    Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое время жизни позитронов // ДАН СССР. 1978. Т.239. №5. С.1082-1085.
    
100. 
     Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Рассеяние атомов позитрония на оптических фононах в ионных кристаллах. Термализация позитрония // Известия вузов. Физика. 1979. №5. С.66-70.
     
101. 
     Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Этин Г.А., Погребняк А.Д. Исследование полупроводниковых материалов методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Радиационные дефекты в твердых телах”. Ашхабад: Изд-во ТГУ, 1977. С.63.
     
102. 
     Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Использование метода аннигиляции позитронов для исследования примесных и деформированных образцов GaAs // В кн: Тезисы докладов “8 Всесоюзная конференция по микроэлектронике”. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ, 1978. С.71.
     
103. 
     Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Исследование аннигиляции позитронов в GaAs п-типа с различной плотностью дислокаций и в эпитаксиальных слоях // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.542.
     
104. 
     Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П. Некоторые особенности аннигиляции позитронов в соединениях А³В⁵ // В кн.: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика соединений А³В⁵”. Л.: Изд.-во ЛПИ, 1978. С.43.
     
105. 
     Прокопьев Е.П. О новом ядерно-физическом методе исследования свойств веществ // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.409.
     
106. 
     Прокопьев Е.П. О возможности исследования поверхностных свойств полупроводников и процесса адсорбции атомов и молекул методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.258.
     
107. 
     Прокопьев Е.П. О применении теории Райсса-Кауса к оптическим переходам и аннигиляции позитронов в полупроводниках с участием глубоких примесных центров // В кн.: Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.150.
     
108. 
     Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах. М., 1978. 126 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №24. 1978.
     
109. 
     Аршакуни Р.Г., Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в иттрий-алюминиевом гранате, облученном жестким гамма-излучением // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.367.
     
110. 
     Дружков А.П., Кузнецов В.П., Прокопьев Е.П., Чистяков Ю.Д. Исследования сверхпроводящих поликристаллических пленок ниобия и ГЭС ниобия на  - Al₂O₃ методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “20 Всесоюзное совещание по физике низких температур”. М.: Изд-во МГУ, 1979. Т.3. “Cверпроводимость”. С.77.
     
111. 
     Дружков А.П., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Исследование аннигиляции позитронов в кремнии, содержащем дефекты, возникающие в процессе эпитаксиального наращивания пленок // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.200-202.
     
112. 
     Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. М., 1979. 12 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2757. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №28. 1979. Сер. “ЭР”.
     
113. 
     Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии широкозонных полупроводников // Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам”. Л.: Изд-во ЛЭТИ, 1978. С.32.
     
114. 
     Прокопьев Е.П. К теории аннигиляционного распада позитронных и позитрониевых состояний внутри разупорядоченных областей (РО) и других макродефектах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “29 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1979. С.499.
     
     
     жүктеу/скачать 1.1 Mb.
     
     Достарыңызбен бөлісу: