Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»
жүктеу/скачать 1.1 Mb.
|
Прокопьев Е.П. О проблеме использования антиводорода в космической технике будущего. М., 1980. 4 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-2994. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в монокристаллах GaP, облученных протонами, методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.110. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. О проблеме определения зарядовых состояний кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.111. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475. Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование влияния дефектной структуры монокристаллов полупроводников, выращенных в условиях микрогравитации, на импульсное распределение валентных электронов методом аннигиляции позитронов // Тезисы доклада и доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры монокристаллов методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.40. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6 // Отчет ТПИ. № гос. регистрации 780483301. Томск: ТПИ. 1980. 60 с. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из связанных состояний квазиатомных систем позитрон-анион // Доклад на 3 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Кишинев: КГУ, 1963. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Исследование аннигиляции и радиационных процессов в гидридах щелочных металлов методом Хартри-Фока // Доклад на 4 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в ионных кристаллах. М., 1985. С.6-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Позитроника дефектов в полупроводниках. М., 1982. С.113. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. О новом механизме аннигиляции позитронов в металлах. М., 1982. С.115. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475. Комлев В.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Рыгылина Е.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование аннигиляции позитронов в кристаллах антимонида индия, выращенных на борту орбитальной станции “Салют-6” // Доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока. М., 1982. С.33-38. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3534. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах // Доклад на 6 Всесоюзном семинаре “Экситоны в кристаллах”. Черноголовка: ИФТТ АН СССР, 1970. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства. М., 1992. С.91-95. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482. Доклад на международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Минск,1991. Прокопьев Е.П. О возможности рождения вселенной посредством квантового туннелирования. М., 1992. С.90. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.23. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3534. Батавин В.В., Комлев В.П., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование кристаллов антимонида индия, выращенных в условиях невесомости, и состояния кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.127. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475. Прокопьев Е.П. Об исследовании технически важных материалов методом аннигиляции позитронов. М., 1985. С.3-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164. Прокопьев Е.П. О проекте использования аннигиляционных источников энергии. М., 1982. С.118-126. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475. Прокопьев Е.П. О применении позитронной томографии для иследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.24-27. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Свойства позитронов и атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1982. С.32. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов // Тезисы докладов “13 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1983. С.38. Батавин В.В., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование методом аннигиляции позитронов состояния кислорода в кремнии. М., 1982. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Новый метод исследования поверхности материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.28-31. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Использование метода аннигиляции позитронов для определения энтальпий образования вакансий в полупроводниках. М., 1982. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Динамика позитрона и позитрония в кристаллах // Доклад на сессии Ученого совета ИФИ АН АрмССР. Аштарак. 1982. Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов искусственного графита, используемого в ядерной энергетике. М., 1982. С.45. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Исследование полимерных и металлоорганических пленок методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.46. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории Вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.454. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для исследования частиц ультрамалых размеров. М., 1982. С.47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Квантовополевая теория Вселенной. Обзор. М., 1991. 34 с. - Деп. в ВИНИТИ. 15.03. 91. №1133-В91. Прокопьев Е.П. Об использовании метода аннигиляции позитронов в качестве метода контроля в проблемах экологии. М., 1982. С.48. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Связанные состояния позитронов на вакансиях металлов. М., 1982. С.49.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Общие проблемы исследования стеклообразного состояния методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.50. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. К вопросу о классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1982. С.51-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Представление с помощью диаграмм Фейнмана спонтанного и индуцированного испускания и поглощения фононов позитронием в кристалле. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к решению задач позитронных процессов в кристалле. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Эффективное взаимодействие между электронным и позитронным поляронами. Атом позитрония в полярных кристаллах. М., 1982. С.57-59. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Исследование окисных пленок и пленок нитрида кремния с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. Прокопьев Е.П. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония. М., 1982. С.50-52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556. Прокопьев Е.П. О проблеме получения интенсивных потоков позитронов. М., 1982. С.53-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556. Прокопьев Е.П. Особенности действия позитронной радиации на технически важные материлы. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционных гразерах. М., 1982. С.57. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3556. Прокопьев Е.П. Программа исследований радиационных дефектов в металлах, полупроводниках, полимерах и других высокомолекулярных веществах с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.58. - Деп в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556. Прокопьев Е.П. Программа исследований материалов электронной техники с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.59-60. Р-3556. Прокопьев Е.П. Программа исследований адсорбентов и катализаторов методом позитронной диагностики. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. I . Квантовополевая теория анизотропной вселенной. М., 1991. С.30-34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436. Прокопьев Е.П. Применение модели гармонического осциллятора для расчета свойств позитронных центров окраски в кристаллах. М., 1983. С.9. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3634. Прокопьев Е.П. К вопросу позитронной метрики дефектов структуры твердого тела. М., 1985. С.12-17. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164. Прокопьев Е.П. Космические энергетические проблемы в свете современных достижений физики высоких энергий. М., 1983. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества технически важных материалов. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории электронного материаловедения. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках методом аннигиляции позитронов. М., 1983. С.12-14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Ps в полупроводниках A2B6. М., 1984. С.4-5. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. Кобрин Б.В., Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Аннигиляция позитронов в халькогенидных стеклообразных полупроводника. М., 1984. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3924. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод исследования поверхности. М., 1984. С.10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Тяжелые комплексы Уилера в ЩГК. М., 1984. С.2-4. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Квазиатомные системы е+F- во фторидах щелочных металлов. М., 1984. С.6-8. - Деп. в ЦННИ”Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Обзор современных достижений в физике атома позитрония. М., 1984. С.1-2. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Исследование сложных систем на примере стохастических моделей химических реакций в твердых телах и модели Минна рождения и эволюции вселенной и/или вселенных. М., 1992. 29 с. - Деп. в ВИНИТИ. 06.04.92. №1162-В92. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в технически важных материалах методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “14 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1984. С.77. Prokop’ev E.P. “Gas” of Universes and Eternity. М., 1994. С.96-101. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500. Прокопьев Е.П. “Газ” вселенных и вечный Мир. М., 1995. С.142-149. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. I. М., 1994. С.130-138. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500. Прокопьев Е.П. О поверхностных состояниях на границе раздела полупроводник-металл. М., 1985. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4290. Прокопьев Е.П. О позитронии Френкеля. М., 1985. С.17-18. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164. Прокопьев Е.П. Динамика позитронов в идеальных кристаллах. М., 1995. С.63-72. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на анионах в полярных веществах. М., 1985. С.19-20. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164. Прокопьев Е.П. Комплексы Ex-Ps в молекулярных кристаллах. М., 1984. С.5-6. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Позитронная томография. Физические основы. Применения. М., 1984. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. Прокопьев Е.П. Теория позитронных примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. М., 1995. С.89.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501. Прокопьев Е.П. Вычислительная томография в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1987. Вып.1. С.78-80. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. М., 1995. С.90-97. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р - 5501. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах. М., 1995. С.98-107. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х-е+ и Х=е+ в ионных средах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. М., 1995. С.121-129. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501. Shantarovich V.P., Kobrin B.V., Prokopiev E.P. Positron Annihilation in chalcogenids Glassy Semiconductors // The Report on “Sixteen Polish Seminar on Positron Annihilation”. Pechoviche, 4-8 october , 1983. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х--е+ в ионных кристаллах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. 1. М., 1995. С.109-119. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501. Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в полупроводниковом шаре. М., 1995. С.132-140. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. I . М., 1995. С.149-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. М., 1995. С.150-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. К вопросу определения эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // В кн.: Тезисы докладов 9 Всесоюзной научно-технической конференции “Локальные рентгеноспектральные исследования и их применения”, 10-13 сентября 1985 г. Устинов: ФТИ УНЦ АН СССР, 1985. С.111-112. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Определение эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1986. Вып.1. С.3-5. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Позитронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. М., 1986. 86 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”ИМ”. №12. 1987. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Исследование времен жизни позитронов в полупроводниках А3В5 // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1990. Вып.7. С.60-61. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных вществах. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4419. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в анизотропных слоях полупроводников. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4420. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987. Прокопьев Е.П. Элементарная теория атома позитрония в веществах. М., 1987. 8 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-4421. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесных атомах щелочных металлов в кристаллах. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4625. Сб. реф. деп. рукописей. 1986. Вып.1. Прокопьев Е.П. О позитрониевых состояниях в полупроводниках. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4474. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №47. 1987. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // Прогр. и доклад на 1 Всесоюзном совещании “Физикохимия и технология высокотемпературных сверпроводящих материалов”. М. ИМЕТ АН СССР, 1988. С.34. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в высокотемпературных сверхпроводящих материалах. М., 1989. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5090. Электронная техника. Сер.6. Материалы Вып.3. С.2. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках позитронным методом // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзной конференции “Термодинамика и материаловедение полупроводников”. М.: Изд-во МИЭТ, 1989. С.5. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // В кн.: Физикохимия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов. М.: Наука, 1989. С.474-475. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в кремнии. М., 1989. 60 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5154. Электронная техника. Сер.6. Материалы. Вып.4. С.78. Прокопьев Е.П. Исследование кремния, содержащего дефекты и кислород, методом аннигиляции позитронов. М., 1989. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5472. Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1989. Вып.4. С.78. Прокопьев Е.П. Физически адсорбированный атом позитрония на поверхности твердых тел // В кн.: Тезисы докладов 4 семинара “Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников”. Новосибирск: ИФП СО АН СССР,1989. С.9. Прокопьев Е.П. Позитроний и позитронная аннигиляция в твердых телах // Программа и доклад на семинаре “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: ИМФ АН УССР, 1989. С.1. Прокопьев Е.П. Модифицированная модель оптического позитрона // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.501. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в InP, InSb и GaAs // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания . Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.502. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов кислорода в ВТСП материалах позитронным методом // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.503. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона // Известия вузов. Физика. 1990. №5. С.52-56. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и высокотемпературная сверхпроводимость // Химия высоких энергий. 1990. Т.24. №3. С.278-280. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия вещества и антивещества. Нерелятивистская теория. М., 1990. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5313. Электронная техника. Сер.11. 1990. Вып.2. С.6. Прокопьев Е.П. Исследование параметров дефектов в a-Si:H позитронным методом. М., 1990. С.34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний в полупроводниках. М., 1990. С.52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на Н-связях в a-Si:H. М., 1990. С.35. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия атомов с антиатомами. Нерелятивистская теория. М., 1990. С.37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом позитронной аннигиляции. М., 1990. С.36. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. М., 1990. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний на сферических дефектах в металлах // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16. Вып.24. С.6-10. Прокопьев Е.П. Взаимодействие вещества и антивещества: системы  -Н и р- . М., 1991. С.55-59. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и космическая гамма-астрономия. М., 1991. С.58-59. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и проблема суператомов в полупроводниковых сверхструктурах. М., 1991. С.62-65. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в квантовых ямах полупроводниковых сверструктур. М., 1991. С.66-67. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в тонких полупроводниковых слоях. М., 1991. С.68 - 69. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. Энергетический спектр атома позитрония в малых сферических частицах. М., 1991. С.70-71. - Деп. в ВИНИТИ. №2886-В91. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.453. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом аннигиляции позитронов // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.475. Прокопьев Е.П. Исследование ВТСП материалов методом аннигиляции позитронов. М., 1991. 51 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5451. Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1991. Вып.8. С.80. Прокопьев Е.П. Позитроны зондируют сверхпроводимость // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 42 Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1992. С.408. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в полупроводниковых сверхрешетках // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 42 Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1992. С.408. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в диэлектрической среде. М., 1992. С.53-60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела. М., 1992. С.61-65. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур. М., 1992. С.66. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках. М., 1992. С.67-72. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках. 11. М., 1992. С.73-77. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482. Прокопьев Е.П. Энергия связи позитрона с вакансиями в конденсированных средах: модельный потенциал V(r) = - Ze /(+ r) . М., 1992. С.78. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в галактической среде с низкой плотностью. М., 1992. С.79-84. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. М., 1992. С.85-89. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482. Доклад на 42 Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Минск, 1991. жүктеу/скачать 1.1 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|