Транзистор и 1 Полевые n-канальные транзисторы



бет2/2
Дата03.03.2016
өлшемі358.5 Kb.
#35240
1   2

Серии 2ПС104 и КПС104


Номенклатура серийно поставляемых типономиналов:

Наименование
Аналог

Наименование
Аналог

2ПС104Г
SU2369

КПС104Б
SU2369

2ПС104Е






КП202

Номенклатура серийно выпускаемых типономиналов:



Наименование
Аналог

Наименование
Аналог

КП202Д-1
C681

КП202Е-1
C681


Серии 2ПС202 и КПС202

Номенклатура серийно выпускаемых типономиналов:



Наименование
Аналог

Наименование
Аналог

2ПС202А-1
2N3958

2ПС202Г1Н
2N3958

2ПС202Б-1

КПС202А-1

2ПС202Б1Н

КПС202Б-1

2ПС202В-1

КПС202В-1

2ПС202В1

КПС202Г-1

2ПС202Г-1








1.7 ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы

1.7.1 Транзисторы для подвижных средств радиосвязи

Тип

Аналог

f, МГц

POUT, Вт

VCC, В

GPmin, дБ

η, %

Корпус

КТ929А(А1)

-


50÷175

2


8

10(9)

60(55)

КТ-17

(КТ-15)


КТ920А

12.6

8.5

КТ920Б

2N6080

5

6

КТ920В

2N6081, 2N5590

20

5

КТ958А

BM40-12

40

6

50

КТ-32

КТ925А

-

100÷320


2

8

60

КТ-17


КТ925Б

7

6

КТ925В

2N5590

20

5

КТ960А

-

100÷400

40

4

КТ-32


1.7.2 Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи

Тип

Аналог

f, МГц

POUT, Вт

VCC, В

GPmin, дБ

η, %

Корпус

КТ922А

2N5641

50÷175


5

28


10

55

КТ-17


КТ922Б

2N5642

20

7,5

КТ922В

2N5643

40

6

КТ931А

2N6369

80

5,5

50

КТ-32

КТ971А

-

150

5

55

КТ-56

КТ907А

2N3733

100÷400


9

3

40

КТ-4

КТ934А

2N5635, 2N6202

3

8

50

КТ-17


КТ934Б

2N5636, 2N6203

12

6

КТ934В

2N5637

25

5

КТ930А

2N6362

40

7

50

КТ-32


КТ930Б

2N6364

75

5,5

КТ970А

-


100

6

КТ-56

КТ985АС

220÷400

125

5,5

КТ-45

КТ909А

2N5177

100÷500


20

3

45

КТ-15


КТ909Б

-

40

3

КТ9105АС

100

5

50

КТ-45

КТ9104А

350÷700


5

9

40

КТ-42


КТ9104Б

20

8,5

50


КТ991АС

55

7,8

KT-44


КТ9101АС

100

5,5

КТ911А

400÷1800

0.8

3

25

Аналог

Mt-62


КТ911Б

400÷1000


0.8

3

30

КТ962А

D10-28

10

6

36

КТ-17


КТ962Б

DM20-28

20

5,5

40


КТ962В

DM40-28

40

5

КТ976А

-

60

3

45


1.7.3 Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры


Тип


Аналог


f, МГц


POUT(Pulse), Вт


VCC, В


GPmin, дБ

Импульс


Корпус

τ, мкс

Q

КТ984А

MSC1075M

720÷820


75

50


7

10

100

КТ-42


КТ984Б

MSC1250M

250

6

КТ9109А

MSC1550M

500

5.5


1.7.4 Линейные транзисторы для УКВ


Тип


Аналог


f, МГц


POUT(PEP), Вт


GPmin, дБ


M3, дБ

Импульс


Корпус

V , В

I , А

КТ983А

BLX-96

40÷860


0,5

6

-60

25


0,2

КТ-17


КТ983Б

-


1,5

5,5

0,35

КТ983В

3,5

5

0,8

КТ9116А

170÷230


5

14

-58

28


1,2

КТ-56


КТ9116А

170÷230


5

14

-58

28


1,2

КТ-56


КТ9116Б




15

10

-55




2,6





1.9.3 Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (n-p-n)

Параметры при T = 25ºC

Тип

Аналог

PCmax,Вт

V(br)CES, В

ICmax, А

h21E

VCEsat, В

ICEO, мА

fT, МГц

Корпус

КТ8232А1

BU941

125


350

20


>300

1,8 @ (IC=8А, IB=0,1А)


0.1


10

КТ-43В


КТ8232Б1

-


300

КТ8232А2

350

КТ-28-2


КТ8232Б2

300


1.10.2 Полевые p-канальные транзисторы

Тип

Аналог

VDS, В

ID @TC=25°C, А

RDS(on), Ом

PD @ TC=25°C, Вт

Корпус

КП7229А

IRF5210

-100

-40


0,055

150

КТ-28-2


КП7229Б

0,060

1. 9 Оптопары транзисторные АОТ101

 предназначены для электронной бесконтактной коммутации цепей однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом, применяются в узлах и приборах радиоэлектронной аппаратуры и систем автоматики;

 содержат две электрически не связанные между собой оптоэлектронные пары, состоящие из кремниевых планарных n-р-n транзисторных приемников и излучающих светодиодов на основе арсенида галлия;

 монтируются в 8-выводные корпуса типа DIР.

Номенклатура серийно выпускаемых типономиналов:

Наимено-

вание

Аналог

Тип


корпуса

Наимено-

вание

Аналог

Тип


корпуса

АОТ101АС

JLST-6

2104.8


(DIP-8)

АОТ101ЕС

JLST-6

2104.8


(DIP-8)

АОТ101БС

АОТ101ЖС

АОТ101ВС

АОТ101ИС

АОТ101ГС

АОТ101КС

АОТ101ДС










Мощные биполярные транзисторы с приемкой «1»










Основные электрические параметры.

Наимен. изделия




Тип корпуса

Максимально допустимые параметры

Основные электрические параметры

VКЭ огр,
B


VКБО проб,
B


IК max,
А


IК И max,
А


РК мах,
Вт


h21Э,
ед.


UКЭ max,
B


tрас,
мкс


tсп,
мкс


КТ704А
КТ704Б
КТ704В



КТ-10



1000
700
500

2,5

4,0

15

10—100

≤5,0





КТ8108А
КТ8108Б



КТ-28

500

850

5

7,0

70

10—50
40—80

≤1,0

≤4,0

≤0,3

КТ812А
КТ812Б
КТ812В



КТ-9

350
350
250

700
500
300

10

12,0
12,0
10,0

50

5—30
5—30
10—30

≤2,5

≤3,5

≤1,3

КТ8175А1



КТ-28

400

700

1

3,0

25

8—40

≤0,5

≤1,8

≤0,3

КТ8181А



КТ-28

400

700

4

8,0

50

10—60

≤0,5

≤1,8

≤0,3

КТ8182А



КТ-28

400

700

8

16,0

70

8—60

≤0,5

≤2,0

≤0,3

КТ826А
КТ826Б
КТ826В



КТ-9

500
600
500

700
1000
700

1

1

15

10—120

≤2,5

≤3,0
≤2,5
≤3,0

≤1,5
≤0,7
≤1,5

КТ838А



КТ-9

700

1500

5

7,5

56

6—35

≤1,0

≤10

≤1,5

КТ839А



КТ-9

700

1500

10

10

50

≥5

≤1,5

≤10

≤1,5

КТ844А



КТ-9

250

250

10

20

50

10—50

≤2,5

≤2,0

≤0,3

КТ845А



КТ-9

400

400

5

7,5

40

15—100

≤1,5

≤4,0

≤0,3

КТ846А
КТ846Б
КТ846В



КТ-9

700
600
700

1500
1200
1500

5

7,5

52

6—35

≤1,0
≤5,0
≤5,0

≤10

≤1,0

КТ847A



КТ-9

360

650

15

25

125

≥8

≤1,5

≤3,0

≤0,8

КТ857А



КТ-28

150

250

7

10

40

≥7,5

≤1,0





КТ858А



КТ-28

200

400

7

10

60

≥10

≤1.0

≤2,5

≤0,7

КТ859А



КТ-28

400

400

3

4

40

≥10

≤1,5

≤3,5

≤0,3

КТ926А



КТ-10



200

15

25

50

10—60

≤2,5





КТ935Б



КТ-97В

75

150

20

30

90

15—50

≤1,0

≤1,5

≤0,2

КТ945Б



КТ-9

150

150

15

25

50

10—60

≤2,5

≤1,1

≤0,2

КТ965А1



КТ-17-2

18

36

4

4

32

10—60

≤1,0





КТ957А1



КТ-19А-3

60

60

20

20

120

10—80







КТ997А
КТ997Б



КТ-28

45


45


10

20

50

≥40

≤1,0

≤0,5

≤0,1






Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона с приемкой «1»










Основные электрические параметры.

Наимен. изделия




Тип корпуса

Максимально допустимые параметры

Основные электрические параметры

VКЭ огр,
B


VКБО проб,
B


IК max,
А


IК И max,
А


РК мах,
Вт


h21Э,
ед.


UКЭ max,
B


tрас,
мкс


tсп,
мкс


КТ827А
КТ827Б
КТ827В



КТ-9

100
80
60

100
80
60

20

40

125

≥750

≤2,0

≤4,5

≤1,2

КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ829Д



КТ-28

100
80
60
45
200

100
80
60
45
200

8

12

60

≥750

≤2,0

≤3,0

≤1,0

КТ834А
КТ834Б
КТ834В



КТ-9

400
350
300

500
450
400

15

20

100

≥150

≤2,0

≤6,0

≤0,5

КТ890А
КТ890А1
КТ890А2



КТ-43

350

350

20

20

60

≥300

≤1,6

≤8,0

≤0,8






Мощный IGBT транзистор 2Е802А, А1










Кремниевые биполярные транзисторы с изолированным затвором 2Е802А, 2Е802А1 АЕЯР.4321140.283ТУ в металлостеклянных корпусах КТ-9, КТ-97В предназначены для применения в качестве силового ключа в аппаратуре специального назначения. Климатическое исполнение УХЛ, категория размещения 3.1, 5.1

600 В — 23 А






Транзистор 2Е802А в корпусе КТ-9 (аналог TO-3)
Масса не более 20 г.

Транзистор 2Е802А1 в корпусе КТ-97В (аналог TO-254)
Масса не более 7,5 г.

Предельно допустимые значения режимов эксплуатации при tК = +(25 ±10) °С

Наименование параметра, единица измерения

Обозначение

Норма

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В

UКЭ мах

600

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В

UКЭ, И мах

600

Максимально допустимое напряжение затвора, В

UЗ проб мах

±20

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

IК мах

23

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

IК, И мах

46

Максимально допустимая постоянная рассеивающая мощность коллектора, Вт

PК мах

100

 

Основные электрические параметры при tК = +(25±10) °С



Мощный IGBT транзистор 2Е802Б













Кремниевые биполярные транзисторы с изолированным затвором 2Е802Б АЕЯР.4321140.283ТУ в металлостеклянных корпусах КТ-97С предназначены для применения в качестве силового ключа в аппаратуре специального назначения. Климатическое исполнение УХЛ, категория размещения 3.1, 5.1

600 В — 45 А




Транзистор 2Е802Б в корпусе КТ-97C (аналог TO-258)
Масса не более 10 г.

Предельно допустимые значения режимов эксплуатации при tК = +(25±10) °С

Наименование параметра, единица измерения

Обозначение

Норма

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В

UКЭ мах

600

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В

UКЭ И мах

600

Максимально допустимое напряжение затвора, В

UЗ проб мах

±20

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

IК мах

45

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

IК И мах

67

Максимально допустимая постоянная рассеивающая мощность коллектора, Вт

PК мах

140



Полевые транзисторыПолевые транзисторыПолевые транзисторыПолевые транзисторы




  • предназначены для применения во входных каскадах высокочувствительных гибридных интегральных микросхем

  • эпитексиально-планарные с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящие

  • Ввыполнены на кремниевом кристалле способом ионного легирования

  • смонтированы в металлостеклянных корпусах и корпусах спутниках

 

Серии КПС104


Типономинал

Аналог 

номер ТУ

 КПС104Б

 SU2369

 аАО.336.038 ТУ

Серии КП202


Типономинал

Аналог 

номер ТУ

 КПС202Д-1

 С681

 аАО.336.066 ТУ

 КПС202Е-1

 С681

 аАО.336.066 ТУ

Серии 2ПС202 и КПС202


Типономинал

Аналог 

номер ТУ

 2ПС202А-1

 2N3958

 ТФО.336.010 ТУ

 2ПС202Б-1

 2N3958

 ТФО.336.010 ТУ

 2ПС202Б1Н

 2N3958

 ТФО.336.010 ТУ

 2ПС202В-1

 2N3958

 ТФО.336.010 ТУ

 2ПС202В1Н

 2N3958

 ТФО.336.010 ТУ

 2ПС202Г-1

 2N3958

 ТФО.336.010 ТУ

 2ПС202Г1Н

 2N3958

 ТФО.336.010 ТУ

 КПС202А-1

 2N3958

 аАО.336.066  ТУ

 КПС202Б-1

 2N3958

 аАО.336.066  ТУ

 КПС202В-1

 2N3958

 аАО.336.066  ТУ

 КПС202Г-1

 2N3958

 аАО.336.066  ТУ


Достарыңызбен бөлісу:
1   2




©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет