Однофотонные детекторы электромагнитного излучения: механизмы работы и возможные приложения

жүктеу/скачать 1.43 Mb.

Дата	12.07.2016
өлшемі	1.43 Mb.
	#195717

Однофотонные детекторы электромагнитного излучения:

механизмы работы и возможные приложения

Зотова А.Н., Водолазов Д.Ю.

Институт физики микроструктур, Нижний Новгород
Введение
Сверхпроводящее состояние чувствительно к излучению оптического диапазона, так как ширина сверхпроводящей щели меньше энергии оптического фотона, поэтому появление тонкопленочных сверхпроводников, микротехнологий и лазерных источников, позволило изготовить действующие образцы первых сверхпроводящих детекторов электромагнитного излучения.

Десять лет назад в работе [1] была продемонстрирована концепция нового сверхпроводящего устройства, изготовленного из нанопроволок изготовленных из нитрида ниобия и смещенных током близким к критическому,. Этот тип устройств, известный как сверхпроводящий однофотонный детектор (SSPD), чувствителен к одиночным фотонам в видимом и инфракрасном диапазоне и обладает временами восстановления и точностью измерений на порядок лучшими, чем существующие однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих материалов. Кроме того, этот детектор работает при температуре кипения жидкого гелия (4,2 К) – температуре, которая теперь в пределах досягаемости быстро развивающихся технологий охлаждения.

SNSPDs имеют прекрасный потенциал для однофотонного счета в инфракрасном режиме, где появляются важные новые приложения. SNSPDs были предметом повышенного интереса за последнее десятилетие, и многие исследовательские группы по всему миру внесли свой вклад в развитие этих устройств.

На рисунке 1 приведено изображение мостика 1.3 μm 225 nm NbN из первых работ по изготовлению однофотонных детекторов, полученное методом атомно-силовой микроскопии [2].

Рис. 1. Слева: изображение нанопровода из NbN 1.3 мкм

225 нм, полученное с помощью атомно-силовой микроскопии [2]; справа: число отсчетов в секунду сверхпроводящего детектора из NbN в зависимости от среднего числа фотонов в импульсе, упавшем на устройство для двух различных токов смещения [1].
На рис. 1 справа показана вероятность возникновения импульса напряжения на детекторе в зависимости от среднего числа фотонов в 100 фс импульсе (0.81 мкм) для двух различных значений тока смещения. Левая вертикальная ось показывает число откликов детектора в секунду (на 1000 лазерных импульсов), правая ось – вероятность детектирования оптического импульса. Видно, что для большого числа фотонов в оптическом импульсе, вероятность детектирования равна единице, для меньшего числа фотонов вероятность детектирования существенно падает, но однофотонное детектирование, тем не менее, было продемонстрировано.
Альтернативы
TES (transition edge sensor)

Сверхпроводящие однофотонные детекторы, однако, не первые устройства на основе сверхпроводящих материалов, способные детектировать слабое электромагнитное излучение. Кроме них также существуют болометры на сверхпроводящем переходе (TES – transition edge sensor). Основным элементом таких болометров является сверхпроводящая слабая связь – слабый электрический контакт (не туннельного типа) между сверхпроводящими электродами. Из-за эффекта близости параметр порядка сверхпроводящих электродов распространяется в слабую связь, затухая экспоненциально на расстоянии порядка длины когерентности. Если длина слабой связи порядка длины когерентности, параметр порядка не обращается в ноль, и через слабую связь может протекать сверхток. При Tc бислой детектора в сверхпроводящем состоянии (S’), при T>T_c – в нормальном (N’).

Рис. 2. (a) Фотография (слева) и изображение (справа) 350 мкм MoCu TES с Mo электродами. (b) Схематическое изображение модуля параметра порядка в квадрате для SS’S (Tc – сплошная красная линия) и для SN’S (T>T_c – пунктирная красная линия) для трех различных длин TES [3].
Для работы детектора бислой (состоящий из слоя металла и слоя сверхпроводника, в котором за счет эффекта близости ослабляется сверхпроводимость) поддерживается при температуре сверхпроводящего перехода. Он имеет конечное сопротивление (R) и поддерживается при заданной температуре благодаря приложенному постоянному напряжению. Падение напряжения на устройстве обеспечивает джоулев разогрев электронной системы (

). Так как

положительно, любое повышение температуры (в том числе и за счет поглощения фотона) приводит к увеличению сопротивления. Напряжение постоянно, вследствие этого джоулев разогрев уменьшается пропорционально

, что ведет за собой охлаждение детектора и возврат назад к рабочей точке. Вслед за температурой снова уменьшается и сопротивление – детектор возвращается в первоначальное состояние. Соответственно, локальное уменьшение температуры приведет к уменьшению сопротивления и разогреву датчика.

Кроме джоулева разогрева температуру пленки также определяет отток тепла в подложку , где - параметр, зависящий от материала и геометрии, n – число (4, 5 или 6), значение которого зависит от того, какой температурный импеданс между подложкой и электронами в сверхпроводящей пленке доминирует.

Когда фотон разогревает пленку до температуры немного большей, чем равновесная, возвращение в равновесие описывается следующим уравнением:

,

где первое слагаемое справа – влияние уменьшенного джоулева разогрева, а второе слагаемое справа – увеличение оттока тепла в подложку. Температурный кондактанс , - безразмерная величина, описывающая резкость сверхпроводящего перехода и равновесная мощность джоулева разогрева. Когда температура подложки много меньше, чем температура пленки, , и константа времени восстановления равна

где - внутренняя временная константа пленки (время восстановления в отсутствии джоулева разогрева).

В случае, когда длительность импульса гораздо меньше внутренней константы времени, детектор работает в режиме, в котором энергия убывает за счет уменьшения джоулева разогрева, вместо увеличения оттока тепла в подложку. Таким образом, энергия фотона, поглощенного пленкой, - просто интеграл от изменения мощности джоулева разогрева

.

Ток в таких системах измеряется с помощью сквида [4].

APD (avalanche photodiode)
Помимо сверхпроводящих датчиков одиночных фотонов также существуют однофотонные детекторы на основе полупроводниковых материалов - лавинные фотодиоды, работающие в режиме Гейгера. Механизм работы такого детектора заключается в следующем. Когда к p-n переходу прикладывается сильное обратное смещение, в обедненном слое диода возникает сильное электрическое поле. Если поле достаточно сильное, носители заряда могут приобрести в нем энергию достаточную для того, чтобы ионизовать атом полупроводника при столкновении. Этот эффект называется ударной ионизацией. Ионизация атома приводит к возникновению новой электрон-дырочной пары, называемой вторичной e-h парой. Вторичные носители заряда могут инициировать новые случаи ударной ионизации. Таким образом, в результате возникает лавина носителей заряда.

Когда обратное смещение на переходе превысит определенное значение, называемое напряжением пробоя, носитель заряда в обедненном слое может создать неограниченное число вторичных электрон-дырочных пар. В результате в диоде возникнет большой постоянный ток пробоя. Как правило, ток пробоя предотвращает дальнейший рост напряжения на диоде. Но ток пробоя не появится, если не возникнет инициирующего носителя заряда. Таким образом, если в обедненном слое нет носителей заряда, можно сместить диод выше напряжения пробоя. В этом заключается основной принцип, позволяющий детектировать одиночные оптические фотоны лавинными фотодетекторами.

На рис. 3 показана схематическая вольт-амперная характеристика лавинного фотодиода. Когда приложено прямое смещение, диод проводит ток, когда обратное – тока нет. При увеличении обратного смещения в определенный момент диод оказывается смещенным выше его напряжения пробоя. Выше напряжения пробоя характеристика имеет две ветви: до тех пор, пока в обедненном слое нет носителей заряда, ток равен нулю, когда носитель заряда появляется, будет течь большой ток пробоя. В рабочем состоянии диод смещен на несколько вольт выше смещения пробоя.

Рис. 3. Схематическая вольт-амперная характеристика лавинного фотодиода, работающего в режиме Гейгера [5].

Когда фотон поглощается в обедненном слое диода, генерируется электрон-дырочная пара. Эта пара инициирует ток пробоя. Так как ток очень большой, его просто измерить в электронной цепи, это будет означать, что фотон был поглощен. После того, как ток пробоя был обнаружен, его нужно погасить. Это достигается с помощью уменьшения напряжения на диоде до значения ниже напряжения пробоя (как показано стрелкой на рис.). После того, как пробой был погашен, напряжение должно быть поднято для возвращения фотодиода в рабочее состояние. Это называется перезарядкой лавинного фотодетектора.
Тепловая динамика
Несмотря на то, что вышеприведенные датчики слабого излучения успешно применяются в области детектирования слабого излучения, динамично развивающиеся сверхпроводящие однофотонные детекторы становятся для них все более выгодной альтернативой. Рассмотрим подробнее механизмы работы такого устройства, для этого сначала обратим внимание на тепловые процессы, протекающие в пленке в неравновесном состоянии (которое характерно для случая поглощения электрона).

Тепловая динамика в сверхпроводящей пленке на диэлектрической подложке может быть описана в терминах четырех сосуществующих подсистем: куперовские пары, квазичастицы (электроны из разрушенных куперовских пар), фононы в пленке и фононы в

подложке. Тепловое равновесие существует тогда, когда все эти подсистемы могут быть описаны равновесными функциями распределения с определенной температурой. Если какое-либо распределение не удовлетворяет этому условию, ситуация считается неравновесной. Общее рассмотрение неравновесного состояния требует решения
интегрального кинетического уравнения для функций распределения, зависящих от координат и времени. Чтобы справиться с вышеописанной задачей, используются различные упрощающие предположения, которые позволяют свести общую
задачу к ряду аналитически решаемых уравнений.

Модель горячих электронов является наиболее актуальной для неравновесных

сверхпроводников поддерживаемых при температуре Т вблизи температуры сверхпроводящего перехода Т_с, где квазичастицы и фононы можно описать зависящими от температуры функциями распределения нормального состояния, обладающими собственной эффективной температурой. Предполагается, что электронная и фононная эффективные температуры (T_e и Т_p) устанавливаются мгновенно равномерно во всем образце. Это предположение означает, что внутри каждой подсистемы существует механизм быстрой термализации. Основные этапы эволюции горячих электронов, приводящей к глобальному равновесию, изображены на рисунке 4.

Введение характерных времен обмена энергией между подсистемами сводит проблему восстановления глобального равновесия к решению системы из двух уравнений теплового баланса для T_e и Т_р. Внутреннее время термализации должно быть мало по сравнению с характерными временами энергетического обмена. Этот двухтемпературный (2-Т) подход был использован впервые Кагановым для описания стационарного нагрева электронов в металлах [6]. Ниже Т_с электронная теплоемкость зависит от температуры, что делает уравнения нелинейными даже для небольших отклонений от равновесия. Описание, однако, может быть упрощено в непосредственной близости от T_c. При этой температуре энергетическая щель сверхпроводника сильно подавлена, концентрация куперовских пар мала, и неспаренные электроны могут рассматриваться как нормальные электроны, имеющие обычную фермиевскую функцию распределения. В нормальном состоянии, теплоемкость электронов имеет намного более слабую температурную зависимость, которой можно пренебречь для малых отклонениях Т_е от равновесия. После этих предположений уравнения, описывающие эффект горячих электронов в сверхпроводниках, становятся линейными и могут быть записаны как

, (1a)

, (1b)
где W (T) представляет собой внешнее возмущение (т.е. мощность на единицу объема, поглощаемая электронной подсистемой),

- время релаксации энергии электронов с помощью электрон-фононного взаимодействия и время ухода фононов в подложку, соответственно, C_e и С_р - электронная и фононная теплоемкости, соответственно, и Т₀ - температура окружающей среды (подложки).

Рис. 4. Схема термализации, показывающая каналы оттока энергии в устройстве на горячих электронах, которое возвращается в равновесное состояние [7].
Hot-spot концепция
Вышеприведенные уравнения в таком виде нельзя непосредственно применять к описанию динамики тепла в сверхпроводящем однофотонном детекторе, так как после поглощения фотона в сверхпроводящей пленке возникает неоднородное в пространстве распределение температуры. Поэтому в настоящее время широко используется концепция горячего пятна – области с повышенной температурой электронов, образовавшейся в результате поглощения пленкой фотона. Для решения задач с неоднородным распределением температуры уравнения двухтемпературной модели были аппроксимированы уравнением теплопроводности

, (2)
где d - толщина нанопровода,

- теплопроводность,

- теплоемкость
сверхпроводящей пленки, α - тепловая граничная проводимость между пленкой и подложкой,

- температура подложки (так как проволока достаточно тонкая)
и температура нанопроволоки аппроксимируется одной температурой Т [8].

Решения этого уравнения предсказывают, что созданное фотоном горячее пятно имеет размеры от нескольких нанометров до десятков нанометров. Поэтому было предположено, что можно создать устройство из сверхпроводящей пленки с размерами сопоставимыми с размером горячего пятна и, таким образом, получить чувствительный в инфракрасном диапазоне однофотонный детектор.

Измеренное сопротивление горячего пятна оказалось значительно выше, чем значение, предсказанное в вышеописанной простой модели горячего пятна. Рост резистивной области из-за джоулева нагрева отвечает за высокое сопротивление нанопроволоки. Можно модифицировать уравнение (2), включив джоулев нагрев следующим образом.

, (3)
где J - плотность тока в проводе, ρ - электрическое сопротивление [9].

Горячее пятно охлаждается, отдавая энергию возбужденных электронов фононам посредством электрон-фононного рассеяния, с постоянной времени (~ 10 пс – для NbN). Фонон-фононное рассеяние, затем, переносит энергию в подложку с постоянной времени . Часть энергии рассеивается обратно в электронную систему за счет таких факторов, как несоответствие параметров решетки между сверхпроводящей нанопроволокой и подложкой. Подложка при температуре T₀ играет роль теплоотвода [10]. В результате нанопроволока восстанавливает сверхпроводящее состояние. Энергия падающего фотона пренебрежимо мала по сравнению с энергией, запасенной в кинетической индуктивности, поэтому различие в энергии для различного числа фотонов теряется на фоне джоулева нагрева горячего пятна.

Механизмы детектирования
Вопрос, что происходит после поглощения пленкой фотона и каков механизм детектирования сверхпроводящего однофотонного детектора (SSPD / SNSPD), до сих пор открыт.

1. В оригинальной работе [11] механизм детектирования описывается следующим образом: NbN нанопроволока находится при температуре существенно ниже сверхпроводящей критической температуры и смещена постоянным током немного ниже критического тока. Один инфракрасный фотон имеет достаточно энергии, чтобы разрушить сотни куперовских пар в сверхпроводнике, тем самым формируя горячее пятно. Горячее пятно само по себе не достаточно большое, чтобы перекрыть ширину нанопроволоки ~ 100 нм. Но сверхток вынужден течь вокруг резистивный области (рис. 5).

Рис. 5. Перераспределение плотности тока в сверхпроводящей пленке с нормальным пятном - основа квантового детектирования. Показано поперечное сечение пленки, проходящее через точку, где фотон был поглощен [11].
Локальная плотность тока в областях между горячим пятном и границами пленки увеличивается и превышает критическую плотность тока, образуется резистивная область по всей ширине нанопроволоки. Резкое увеличение сопротивления от нуля до конечного значения порождает измеримый импульс выходного напряжения на нанопроволоке (рис. 5). Значение тока, при котором плотность тока между пятном и границами пленки локально достигает критического значения, может быть оценено (в приближении однородного распределения плотности тока между пятном и границами пленки) по формуле

, (4)

где R – радиус нормального пятна, w – ширина пленки. В простейшей модели радиус может быть найден, если приравнять энергию конденсации в области размером (d – толщина пленки) к энергии поглощенного фотона hc/λ. Скомбинировав два этих выражения, можно найти (длину волны отсечки) – длину волны, выше которой детектирование невозможно при заданном значении тока I и ширины пленки

, (5)
где коэффициент 0 < η < 1 учитывает, что не вся энергия фотона идет на разрушение куперовских пар, но также может уйти к фононам из-за электрон-фононного взаимодействия.

- сверхпроводящая щель,

- плотность состояний на уровне Ферми.

2. Затем эта модель была усовершенствована. В работе [12] было замечено, что для того, чтобы возникло резистивное состояние, сверхпроводимость необязательно должна быть разрушена полностью. Действительно, подавление сверхпроводящего параметра порядка понижает способность сверхпроводника проводить сверхпроводящий ток (простейший пример – подавление

с увеличением температуры, которое ведет к уменьшению тока распаривания). Было замечено, что если в области размером порядка

wd равномерно понизить концентрацию сверхпроводящих электронов

до значения

, тогда критический ток будет понижен по сравнению с током распаривания до значения

(6)

Далее, используя модель горячего пятна - региона с горячими квазичастицами (с практически постоянной концентрацией при , где D – коэффициент диффузии и - время термализации, и экспоненциально убывающей концентрацией при r>R), авторы [12] связывают уменьшение числа сверхпроводящих электронов с увеличенным числом квазичастиц (физически это означает, что создание горячих квазичастиц при низких температурах возможно только за счет разрушения куперовских пар) и получают (предполагая, что R<

(7)

Рис. 6. Сверхпроводящая полоска, проводящая ток I. Жирными линиями показан наименьший объем, в котором уменьшение числа сверхпроводящих электронов вызывает изменение их средней скорости. Серым цилиндром обозначено облако неравновесных квазичастиц диаметром A [12].
3. Существуют также модели, описывающие механизм детектирования фотонов за счет вихрей. В работе [13] модель основана на идее, что поглощенный фотон разрушает частично сверхпроводящий параметр порядка поперек всей ширины пленки в области размером (не в полосе размером как в работе [12]).

Рис. 7. Схема, показывающая пересечение вихрем пленки без падения фотона и с падением фотона. Сверху, слева направо: термически возбужденный вихрь пересекает пленку и формируется нормальная перемычка поперек пленки, это приводит к возникновению темнового отсчета. Снизу, слева направо: Упавший фотон создает горячее пятно (горячую перемычку) поперек сверхпроводящей полоски, за этим следует термически индуцированное пересечение вихрем пленки, которое переводит сверхпроводящую горячую перемычку в нормальное состояние [13].
Это приводит и к уменьшению критического тока (так же как в работе [12]), и увеличивает вероятность проникновения одиночного вихря за счет термоактивационных процессов. Для , когда эффективность детектирования достигает насыщения с уменьшением λ, барьер для входа вихря подавлен, и фотоны детектируются за счет подавления критического тока

. (8)

(в этом выражении принята в расчет зависимость критической сверхскорости от концентрации сверхпроводящих электронов, что делает его отличным от выражения (6)). В работе [13] авторы предложили найти через понижение сверхпроводящей энергии в области горячего пятна, отсюда получается

. (9)

Комбинируя выражения (8) и (9) мы находим длину волны отсечки, которая следует из этой модели

(10)
4. В работе [14] был предложен другой механизм детектирования посредством вихрей при

. Авторы работы [14] на основе модели горячего пятна рассмотрели нормальное пятно, и пятно с частично подавленным параметром порядка и приняли в расчет, что распределение сверхскорости (и плотности тока) существенно неоднородно вблизи пятна (что не учитывалось в предыдущих работах). Сверхскорость максимальна рядом с горячим пятном, это обеспечивает условия для возникновения пары вихрь-антивихрь в пятне, если ток выше некоторого критического значения, которое зависит от радиуса пятна, ширины пленки и величины подавления параметра порядка внутри пятна. Это значение было найдено в рамках модели Лондонов

, (11)

где ξ – сверхпроводящая длина когерентности и γ определяет отношение сверхпроводящего параметра порядка внутри и вне пятна (оно может быть выражено через концентрацию сверхпроводящих электронов как ).

Соотношение между радиусом такого пятна

, (12)

где - электронная теплоемкость и - температура окружающей среды. В работе [14] связь между радиусом пятна, γ и энергией фотона находилось в рамках следующей модели: поглощенный фотон создает горячие квазичастицы, которые характеризуются распределением температуры T(x,y,t), а динамика T(x,y,t) описывается уравнением теплопроводности. Степень подавления параметра порядка в области пятна оценивается из нестационарного уравнения Гинзбурга-Ландау. Из этого соотношения можно найти длину волны отсечки.

Рис. 8. Схема возникновения резистивной перемычки поперек пленки после поглощения фотона. Слева направо: после поглощения фотона образуется горячее пятно, около которого локально увеличивается плотность сверхпроводящего тока, образуются пары вихрь-антивихрь, которые движутся под действием силы Лоренца к краям пленки. Пары вихрь и антивихрь при движении поперек пленки разогревают ее, это приводит в образованию нормальной перемычки и регистрируется фотонный отсчет.
На рис. 9 приведено сравнение результатов вышеприведенных моделей с экспериментальными данными [15]. Здесь показана зависимость длины волны отсечки от ширины сверхпроводящей пленки. Из графика следует, что модель 2 лучше всего описывает экспериментальные результаты. В данной работе для подгонки теоретических результатов использовались два параметра: квантовая эффективность и отношение тока к критическому току. И авторы отмечают, что для других подгоночных параметров, модель 4 не хуже, чем модель 2 описывает данные экспериментальные результаты, кроме того, значения подгоночных параметров при этом лучше соответствуют реальным экспериментальным значениям.

Рис. 9. Сравнение зависимости длины волны отсечки TaN образца (квадраты) от ширины пленки с теоретическими моделями. Пунктирные линии соответствуют моделям, основанным на детектировании посредством образования вихрей, сплошная линия соответствует модели горячего пятна [15].
Эквивалентная схема
Для того чтобы увеличить рабочую площадь детектора, сверхпроводящую пленку изготавливают в форме меандра. Увеличение длины пленки приводит к пропорциональному увеличению ее кинетической индуктивности

. Для того, чтобы после поглощения фотона сверхпроводимость в пленке могла восстановиться, к сверхпроводящему меандру эффективно параллельно подключают шунтирующее сопротивление

. После поглощения фотона, у сверхпроводящей пленки появляется сопротивление

, с его ростом постепенно увеличивается ток через шунтирующее сопротивление, а ток через пленку соответственно уменьшается. Эквивалентная схема для детектора с конечным сопротивлением сверхпроводящей пленки показана на рис. 10 [16] (

- ток смещения чуть ниже критического тока). Токи, текущие в детекторе можно описать следующим уравнением

В требуемом режиме работы детектора после поглощения фотона сверхпроводимость полностью восстанавливается (см. рис. 10(b)). Это происходит благодаря тому, что горячее пятно остывает быстро после того, как ток начинает течь по шунтирующему сопротивлению, и сопротивление сверхпроводящей пленки обращается в ноль. Ток через пленку

экспоненциально возвращается к своему начальному значению до поглощения фотона -

с постоянной времени

. За 3

достигает приблизительно 95% от

. Это необходимо для того, чтобы обеспечить высокую вероятность детектирования следующего поглощенного нанопроволокой фотона. Максимальная скорость счета, таким образом, определяется величиной обратной к полному времени восстановления

. Время восстановления может быть уменьшено с помощью увеличения

или уменьшения

. Если

слишком мало, датчик не восстановится до исходного состояния, а останется в состоянии с фиксированным напряжением, в котором он нечувствителен к падающим фотонам (возникнет так называемое “запирание”). В работе [16] показано, что “запирание” происходит, если время восстановления

значительно меньше времени охлаждения горячего пятна

. Время охлаждения

зависит от параметров материала (например, времени электрон-фононного взаимодействия), а также от индуктивной энергии

Рис. 10. (a) Эквивалентная схема; (b) Измеренные и полученные с помощью моделирования выходные импульсы,

, для случая самовосстановления и случая запирания. Для случая самовосстановления отмечены три этапа работы устройства: (i) устройство в равновесии, R_d=0; (ii) начальный разогрев: фотон поглощен, горче пятно увеличивается, ток начинает течь в шунтирующем сопротивлении; (iii) сопротивление горячего пятна возвращается к нулевому значению, ток возвращается в устройство с характерной постоянной времени

[16].
Характеристики однофотонных детекторов
Эффективность детектирования

Идеальный однофотонный детектор (single photon detector - SPD) генерирует электрический сигнал только при поглощении фотона. Уровень сигнала хорошо различим на фоне шума; при отсутствии облучения электрический сигнал не появляется. На практике реальные SPD имеют много неидеальных характеристик и величины, описывающие эффективность работы детектора, должны быть точно определены. Наиболее очевидный показатель производительности в SPD – эффективность детектирования (η) - вероятность того, что сигнал регистрируется при падении фотона на детектор. На практике η меньше 100% и, зависит от длины волны λ падающих фотонов. В любом реальном эксперименте по счету фотонов, фотоны могут быть потеряны до достижения детектора за счет поглощения, рассеяния или отражения в экспериментальной среде, эти потери могут быть определены как эффективность связи (η_coupling). Материал и геометрия детектора определяют эффективность поглощения (η_absorption). Наконец, вероятность того, что детектор генерирует выходной электрический сигнал после поглощения фотона, может не равняться единице, эту величину называют вероятность регистрации (η_registering). Принимая во внимание все эти вклады, общая эффективность детектирования системы (η_sde)

Внутренняя эффективность детектирования устройства (η_dde) определяется как

Поэтому η_sde и η_dde равны только для идеальных оптических соединений, т.е. η_coupling = 1. Эффективность детектирования устройства, η_dde, часто называется "квантовой эффективностью" в литературе. Однако этот термин используется в различных значениях для различных технологий, так что мы для ясности будем использовать термин “эффективность детектирования устройства”. К сожалению, в опубликованной литературе по SPD нет единой договоренности о том, что представлять, η_sde или η_dde. В целом, в ранних публикациях по SPD использовалась величина η_dde, но когда SPD были включены в эксперименты по счету фотонов, η_sde стала использоваться чаще.

Рис. 11. Зависимость эффективности детектирования η_sde от тока смещения для a-W_xSi_1-_xсверхпроводящего детектора (λ = 1550 нм) [17].
Темновые отсчеты

Существуют и другие показатели эффективности, которые количественно ограничивают производительность SPD. Рассеянный свет и электрический шум может потенциально также имитировать оптический сигнал. Эти ложные события обнаружения называют темновыми отсчетами, как правило, их количественная характеристика - уровень темновых отсчетов (DCR).

DCR для SNSPD является одним из важнейших факторов производительности. Эмпирически, уровень DCR экспоненциально растет при стремлении I_bias к I_c (рис. 12).

Рис. 12. Зависимость скорости темновых отсчетов от тока смещения при разных температурах [18].
Теперь остановимся подробнее на происхождении темновых отсчетов. В работе [19] в рамках теории Гинзбурга-Ландау оценивается вероятность различных механизмов возникновения термодинамических флуктуаций, приводящих к возникновению темновых отсчетов. Авторы приходят к выводу, что причиной темновых отсчетов является пересечение пленки одиночными вихрями.

Существует энергетический барьер для входа вихря через край пленки, который показан на графике. Приложенный электрический ток уменьшает высоту и ширину этого барьера. Вероятность для вихря преодолеть этот барьер определяется распределением Больцмана от максимума барьера. В том случае, если вихрь преодолевает этот барьер, он движется под действием силы Лоренца к противоположному краю пленки. Движение вихря поперек пленки приводит к возникновению перемычки поперек пленки и, как следствие, темновому отсчету.

Рис. 13. Барьер свободной энергии Гиббса на вход вихря, по горизонтальной оси отложена координата, перпендикулярная направлению тока для трех различных образцов [20].
Джиттер

Кроме того, важной характеристикой SPD является джиттер.

Временная задержка между приходом фотона в SPD (которая как правило известна
очень точно при использовании современных оптических источников) и генерацией выходного импульса от SPD устанавливает временное разрешение. Неопределенность этой задержки известна как джиттер (Δt) SPD. Кроме того, реальный SPD имеет конечное время восстановления (τ), которое должно пройти до регистрации последующих фотонов, и эти величины накладывают ограничения на теоретически максимальную скорость счета SPD.

Рис. 14. Инструментальная функция отклика NbTiN сверхпроводящего однофотонного детектора при λ = 1550 нм. Полуширина 60 пс - джиттер устройства [21].
Очень низкий джиттер Δt у SNSPDs делает эти детекторы привлекательными для приложений. Так как время падения фотона известно очень хорошо (с использованием современных сверхбыстрых оптических источников) основная неопределенность времени возникает из-за джиттера SPD. 29 пс FWHM были продемонстрированы в одно- и несколько пиксельных SNSPDs небольшой площади (4μм 4.2μм) [22]. Большая площадь SNSPDs обычно дает больший временной джиттер, так как более однородная нанопроволока дает более низкую величину джиттера. Различные части неоднородной нанопроволоки имеют различные сопротивления в результате появления горячего пятна, что приводит к различным временам нарастания импульса, результатом чего и является увеличение общего временного джиттера. Более высокие критические токи уменьшают джиттер.
Сравнение с другими детекторами
Основными конкурентами в этой области являются твердотельные однофотонные лавинные фотодиоды (SPADs) и сверхпроводящие болометры (TES). Из приведенной таблицы видно, что длинноволновая чувствительность SSPD простирается далеко за пределы чувствительности кремниевого однофотонного лавинного фотодиода (SPAD). По сравнению с InGaAs SPAD SNSPD предлагает лучший компромисс между системной эффективностью детектирования, уровнем темновых отсчетов, максимальной скоростью счета и временным джиттером, а также позволяет детектировать излучение в более широком диапазоне длин волн. По сравнению с TES SSPD гораздо быстрее, и с их помощью можно гораздо точнее определить время поглощения фотона.

	SPAD (InGaAs)	TES	SSPD
T	200 K	0.1 K	2 K
λ	1-1.7 μm	0.1-5. μm	0.4-5.6 μm
эффективность детектирования	20%	>80%	93%
темновые отсчеты	few kHz	<0.001 Hz	<0.01 Hz
скорость счета	1-10 MHz	20 kHz	>1 GHz
джиттер	100 ps	few ps	60 ps

Материалы
NbN был первым выбран в качестве материала для SNSPDs. Впоследствии также были продемонстрированы SNSPDs на основе NbTiN (сверхпроводящий материал со свойствами очень похожими на свойства NbN) на подложках на основе кремния. Было показано, что NbTiN нанопроволочные устройства обладают низкой L_k в связи с их низким сопротивлением выше температуры сверхпроводящего перехода, поэтому
NbTiN SNSPDs имеют меньшее τ по сравнению с NbN устройствами. Точно так же Nb SNSPDs имеют более низкие сопротивления, чем NbN, дающие меньшие τ, но устройства на основе Nb страдают от “запираний” в связи с медленным процессом релаксации энергии. Изготовление сверхпроводящих нанопроволочных меандров с использованием новых или высокотемпературных сверхпроводников, пожалуй, только вопрос технологического развития. Недавно были изготовлены SNSPDs на основе MgB₂, и была продемонстрирована однофотонная чувствительность на длинах волн видимого диапазона, но должны быть разработаны новые методы производства и выращивания пленок с целью увеличения активной области с нанесенными однородными меандрами без дефектов. Ультра-тонкие нанопровода были получены из YBaCuO тонких пленок, но однофотонная чувствительность до сих пор не была продемонстрирована в видимом или инфракрасном диапазоне длин волн. SNSPDs на основе материалов с меньшей энергией сверхпроводящей щели, таких как аморфный W_xSi₁_-_х, NbSi и TaN, по всей видимости, имеют лучшую чувствительность, чем NbN на более длинных волнах. Эти сверхпроводящие материалы с узкой энергетической щелью имеют более низкие температуры перехода и, таким образом, SNSPD требует снижения рабочей температуры.
Приложения
SNSPDs - многообещающая альтернатива для однофотонного счета в инфракрасном диапазоне, эти детекторы предлагают однофотонную чувствительность в сочетании с низким уровнем темновых отсчетов, низким временным джиттером и коротким временем восстановления. В последние десять лет активно развивающаяся сфера оптической квантовой информации (QIS) выступила в качестве мощного толчка для развития концепции инфракрасного однофотонного детектора [23]. SNSPDs сейчас играют значительную роль в качестве технологии осуществления QIS. Тем не менее, важно понимать, что сфера потенциального применения для SNSPDs гораздо шире, чем QIS: SNSPD технология - потенциальная альтернатива для любого текущего применения InGaAs SPAD [24], наиболее широко доступная коммерческая альтернатива для счета фотонов в 1-1.7 μm диапазоне длин волн. SNSPDs используются в таких важных областях, как криптография (QKD), оптические квантовые вычисления, диагностика квантовых эмиттеров, связь космос-земля, тестирование интегральных схем.

Криптография

Квантовая криптография [25] имеет дело с методами, с помощью которых две стороны (называемые Алисой и Бобом) создают криптографический ключ по публичному каналу связи. На практике это достигается с помощью кодирования информации в фазе или поляризации единичных фотонов. Любая попытка подслушивающего (Ева) перехватить и копировать ключ будет обнаружена по повысившемуся уровню ошибок. В настоящее время существует множество криптографических протоколов и практических реализаций. Для передачи данных в оптическом волокне на большие расстояния наиболее подходящая длина волны – 1550 нм. Поэтому для передачи квантовых ключей по оптоволокну на большие расстояния необходимы однофотонные детекторы с высокими показателями производительности для длины волны 1550 нм. Детекторы должны обладать низким уровнем темновых отсчетов, так как они дают вклад в уровень ошибок. Низкий временной джиттер позволяет фиксировать время прибытия фотонов очень точно. Также желательно, чтобы детектор характеризовался высокой η_sde , но это не так существенно, так как значительные потери есть и в других местах, например, в месте соединения с волокном или в оптике приемника. На данный момент была продемонстрирована передача данных с использованием SNSPDs на расстояние 250 км [26].

Характеризация квантовых эмиттеров

Однофотонная эмиссия из атомов, квантовых точек и молекул может быть использована как средство для создания квантовых состояний света для квантовой криптографии и в качестве важной техники мониторинга в биологических науках. Также значительные усилия прикладываются для создания источников скоррелированных и “запутанных” фотонов для криптографических приложений. SNSPDs – инструмент, позволяющий проводить необходимые исследования для инфракрасных длин волн. Отдельные атомы излучают фотоны на длинах волн строго определенных энергетическими уровнями этих атомов [27]. Полупроводниковые квантовые точки ведут себя как искусственные атомы, но они позволяют перестраивать длину волны эмиссии в широкой области инфракрасного диапазона (обычно 850 – 1550 нм) [28]. Дефекты в виде азотных вакансий в алмазе также интересны как эмиттеры одиночных фотонов при комнатной температуре, излучающие на длине волны нм [29]. Сверхпроводящие однофотонные детекторы могут быть использованы в тандеме с ультрабыстрым лазером накачки для проведения двух ключевых измерений для характеризации эмиттера: во-первых, для измерения времени жизни фотолюминесценции, во-вторых, для измерений функции корреляции второго порядка в конфигурациях Ханбери-Брауна и Твисса [28]. Низкий джиттер и присущая SNSPD чувствительность в инфракрасном диапазоне позволяют разрешать очень короткие времена жизни на длинах волн, достигающих 2 мкм [29]. Измерения были успешно проведены с использованием SNSPDs на 1.3 мкм [30].

Тестирование интегральных схем

На данный момент велика потребность в улучшении практических технологий диагностирования и устранения неисправностей в чипах логических устройств в полупроводниковой индустрии. В таких устройствах, когда происходит переключение, в полевых транзисторах в режиме насыщения возникают высокие поля (~10⁵ В·см^-1), разгоняющие электроны до высоких энергий (> 1 эВ). Если электроны теряют энергию, происходит эмиссия фотонов. При уменьшении размеров транзистора уменьшается размер затвора и, соответственно, требуемое напряжение смещения, это приводит к увеличению длины волны эмиссии. Как правило, испускаются фотоны в ближнем инфракрасном диапазоне. Детектирование этих одиночных фотонов с использованием сверхпроводящих однофотонных детекторов позволяет анализировать временные параметры таких логических устройств [31].

Измерение температуры оптических волокон

Сверхпроводящие однофотонные детекторы с их чувствительностью на длине волны телекоммуникаций, низким уровнем темновых отсчетов, низким джиттером открывают новые возможности в измерении характеристик оптических волокон. Оптический импульс, распространяющийся в оптическом волокне, при рассеянии дает длины волн ниже и выше длины волны накачки (Рамановское рассеяние). SNSPDs способны зарегистрировать слабый отраженный обратно сигнал в одномодовом оптическом волокне. Сравнение интенсивностей этих рамановских сигналов (результатов стоксова и антистоксова рассеяния) позволяет определить температуру. Зная информацию о импульсе накачки, за счет того, что SNSPD имеет низкий джиттер, возможно найти распределение температуры по длине оптического волокна. В работе [32] было показано, что для тестового волокна длиной 1 м при времени измерения 60 с может быть достигнуто пространственное разрешение порядка 1 см и точность в измерении температуры порядка 3 К. С увеличением мощности накачки лазера могут быть достигнуты более короткие времена измерения. Оптические волокна обычно используются в масштабных сооружениях (зданиях, трубопроводах) – преимущество такой измерительной системы в том, что новый датчик может быть подключен непосредственно к существующей оптоволоконной инфраструктуре.

[1] Gol’tsman G. N., Okunev O., Chulkova G., Lipatov A., Semenov A., Smirnov K., Voronov B., Dzardanov A., Williams C. and Sobolewski R., Appl. Phys. Lett., 79, 705 (2001)

[2] Gol’tsman G., Okunev O., Chulkova G., Lipatov A., Dzardanov A., Smirnov K., Semenov A., Voronov B., Williams C. and Sobolewski R., IEEE Trans. Appl. Supercond., 11, 574 (2001)

[3] Bennett D. A., Swetz D. S., Schmidt D. R. and Ullom J. N., Phys. Rev. B, 87, 020508 (2013)

[4] Irwin K. D., Appl. Phys. Lett., 66, 1998 (1995)

[5] Kindt W. J., Delft University Press, Netherlands (1999)

[6] Kaganov M. L., Lifshitz I. M. and Tanatarov L. V., Sov. Phys.–JETP, 4, 173 (1957)

[7] Semenov A. D., Gol’tsman G. N. and Sobolewski R., Supercond. Sci. Technol., 15, R1–R16 (2002)

[8] Kadin A. M. and Johnson M. W., Appl. Phys. Lett., 69, 3938 (1996)

[9] Natarajan C. M., Tanner M. G. and Hadfield R. H., Supercond. Sci. Technol., 25, 063001 (2012)

[10] Il’in K. S., Lindgren M., Currie M., Semenov A. D., Gol’tsman G. N., Sobolewski R., Cherednichenko S. I. and Gershenzon E. M., Appl. Phys. Lett., 76, 2752 (2000)

[11] Semenov A., Gol’tsman G. and Korneev A., Physica C, 351, 349 (2001)

[12] Semenov A., Engel A., Hübers H.-W., Il’in K. and Siegel M., Eur. Phys. J. B, 47, 495 (2005)

[13] Bulaevskii L. N., Graf M. J. and Kogan V.G., Phys. Rev. B, 85, 014505 (2012)

[14] Zotova A. N. and Vodolazov D. Y., Phys. Rev. B, 85, 024509 (2012)

[15] Lusche R., Semenov A., Hübers H.-W., Ilin K., Siegel M., Korneeva Y., Trifonov A., Korneev A., Gol’tsman G. and Vodolazov D., arXiv:1303.4546

[16] Annunziata A. J., Quaranta O., Santavicca D. F., Casaburi A., Frunzio L., Ejrnaes M., Rooks M. J., Cristiano R., Pagano S., Frydman A. and Prober D. E., J. Appl. Phys., 108, 084507 (2010)

[17] Baek B., Lita A. E., Verma V. and Nam S. W., Appl. Phys. Lett., 98, 251105 (2011)

[18] Yamashita T., Miki S., Makise K., Qiu W., Terai H., Fujiwara M., Sasaki M. and Wang Z., Appl. Phys. Lett., 99, 161105 (2011)

[19] Bulaevskii L. N., Graf M. J., Batista C. D. and Kogan V. G., Phys. Rev. B, 83, 144526 (2011)

[20] Bartolf H., Engel A., Schilling A., Hübers H.-W. and Semenov A., Phys. Rev. B, 81, 024502 (2010)

[21] Tanner M. G., Natarajan C. M., Pottapenjara V. K., O’Connor J. A., Warburton R. J., Hadfield R. H., Baek B., Nam S., Dorenbos S. N., Bermúdez Ureña E., Zijlstra T., Klapwijk T. M. and Zwiller V., Appl. Phys. Lett., 96, 221109 (2010)

[22] Dauler E. A., Kerman A. J., Robinson B. S., Yang J. K. W., Voronov B., Goltsman G., Hamilton S. A. and Berggren K. K., J. Mod. Opt., 56, 364 (2009)

[23] Migdall A., J. Mod. Opt., 51, 1265 (2004)

[24] Itzler M. A., Jiang X. D., Entwistle M., Slomkowski K., Tosi A., Acerbi F., Zappa F. and Cova S., J. Mod. Opt., 58, 174 (2011)

[25] Gisin N., Ribordy G., Tittel W. and Zbinden H., Rev. Mod. Phys., 74, 145 (2002)

[26] Stucki D., Walenta N., Vannel F., Thew R. T., Gisin N., Zbinden H., Gray S., Towery C. R. and Ten S., New J. Phys., 11, 075003 (2009)

[27] Kimble H. J., Dagenais M. and Mandel L., Phys. Rev. Lett., 39, 691 (1977)

[28] Shields A. J., Nature Photon., 1, 215 (2007)

[29] Kurtsiefer C., Mayer S., Zarda P. and Weinfurter H., Phys. Rev. Lett., 85 290 (2000)

[29] Stevens M. J., Hadfield H. R., Gerrits T., Clement T. S., Mirin R. P. and Nam S. W., J. Mod. Opt., 56, 358 (2009)

[30] Zinoni C., Alloing B., Li L. H., Marsili F., Fiore A., Lunghi L., Gerardino A., Vakhtomin Y. B., Smirnov K. V. and Gol’tsman G. N., Appl. Phys. Lett., 91, 031106 (2007)

[31] Zhang J., Boiadjieva N., Chulkova G., Deslandes H., Gol'tsman G.N., Korneev A., Kouminov P., Leibowitz M., Lo W., Malinsky R., Okunev O., Pearlman A., Slysz W., Smirnov K., Tsao C., Verevkin A., Voronov B., Wilsher K. and Sobolewski R., Electron. Lett., 39, 1086 (2003)

[32] Tanner M. G., Dyer S. D., Baek B., Hadfield R. H. and Nam S. W., Appl. Phys. Lett., 99, 201110 (2011)

жүктеу/скачать 1.43 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: