Даниярова Дурия Ратбековна, к.т.н., ассоциированный профессор
Контактная информация: 8 707 8332108
Направления научной деятельности: спутниковая связь, ТВ
Обратная связь: limaan78@mail.ru
|
Факультет при КАУ
7 семестр
2021-2022
|
Структура дисциплины в соответствии модульному рабочему учебному плану
Модуль дисциплины
|
Аудиторные занятия, часы
|
Самостоятельная
работа, часы
|
Форма проведения промежуточной аттестации
|
Л
|
ПЗ
|
ЛР
|
СРОП
|
СРО
|
Модуль 1
|
8
|
5
|
|
3
|
33
|
Тестирование
|
Модуль 2
|
6
|
8
|
|
3
|
32
|
Тестирование
|
Итого:
|
14
|
13
|
|
6
|
63
|
|
Модуль 1
Содержание лекционных занятий
Лекция 1. Введение. Физические явления при контакте твердых тел – 1 час.
Физика полупроводников. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика.
Лекция 2. Полупроводниковые диоды – 1 час
Общие сведения. Выпрямительные и высококачественные диоды. Стабилитроны. Импульсные диоды. Диод Шотки.
Лекция 3-4. Биполярные транзисторы -2 часа
Свойства структуры с двумя p-n-переходами. Прицип действия (усиления) и схемы включения транзистора. Классификация транзисторов и краткие сведения о технологии их изготовления. Статические характеристики, h-параметры. Работа транзистора на высоких частотах и в импульсном режиме
Лекция 5-6. Полевые транзисторы. – 2 часа
Типы полевых транзисторов, их особенности. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Схемы включения. Статические характристики и параметры
Лекция 7. МДП – транзисторы – 1 час
Устройство и принцип действия транзисторов с индуцированным и со встроенными каналами. Статические характеристики и параметры МДП – транзисторов. Комплементарные пары МДП-транзисторов
Лекция 8. Тиристоры – 1 час
Тиристор, как управляемый полупроводниковый прибор с несколькими p-n-переходами. Вольтамперная характеристика тиристора и статические параметры приборы.
Содержание практических занятий
Практическое занятие 1. Исследование p-n перехода при прямом и обратном включении – 3 часа
Исследование выпрямительных диодов и стабилитронов. Структурная схема линейного усилителя. Расчет числа каскадов усиления
Практическое занятие 2. Расчет h – параметров по входным и выходным ВАХ БТ. Расчет параметров полевого транзистора – 2 часа
Построение нагрузочной характеристики БТ в режиме усиления по постоянному току. Построение нагрузочной характеристики БТ в режиме усиления по переменному току. Построение нагрузочной характеристики ПТ в режиме усиления по переменному току.
Модуль 2
Содержание лекционных занятий
Лекция 9. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы – 1 час
Оптические излучения в полупроводниковых структурах. Светоизлучатели. Светодиоды, характеристики, параметры. Полупроводниковые лазеры.
Лекция 10. Фотоприемники. – 1 час
Параметры и характеристики фотоприемников. Фотодиод. Оптопары. Параметры и характеристики. Индикаторы.
Лекция 11-12. Микроэлектроника, интегральные схемы (ИС). – 2 часа
Классификация ИС: полупроводниковые, пленочные, гибридные, совмещенные. Технологические основы микроэлектроники. Изоляция элементов. Транзисторы интегральных схем. Многоэмиттерный транзистор, транзистор с барьером Шоттки. МДП-транзисторы. Полупроводниковые резисторы, конденсаторы.
Лекция 13. Логические и линейные интегральные схемы. – 1 час
Транзисторная логика. Схемы с инжекционным питанием. Логические элементы на МДП-транзисторах. Параметры и характеристики логических элементов. Полупроводниковые интегральные схемы памяти. Линейные интегральные схемы. Дифференциальные каскады операционных усилителей.
Лекция 14. Перспективы развития электроники– 1 час
Транзисторы ИГБТ
Содержание практических занятий
Практическое занятие 3. Выбор принципиальной схемы усилителя – 2 часа
Расчет и выбор производится для офисного инфокоммуникационного оборудования.
Практическое занятие 4. Расчет оконечного каскада – 2 часа
Рассчитать различные схемы выпрямления, определить действующие значения фазового напряжения и тока, коэффициент трансформаторов.
Практическое занятие 5. Расчет элементов схемы по постоянному току – 2 часа
Проверочный расчет коэффициента усиления усилителя по напряжению.
Практическое занятие 6. Расчет глубины общей отрицательной обратной связи (ООС) – 2 часа
Рассчитать схемы параметрических стабилизаторов, выбрать подходящий тип кремниевого стабилитрона, определить сопротивление гасящего контура и коэффициента стабилизации. Расчет удлинителя в цепи общей ООС.
Достарыңызбен бөлісу: | 
