ТЕРМИН
|
ОПРЕДЕЛЕНИЕ
|
Биполярные транзисторы
|
- транзисторы, изготовленные по планарно-диффузионной или планарно-эпитаксиальной технологии
|
Гибридная_интегральная_схема
|
- интегральная микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
|
Диффузия
|
- перемещение частиц в направлении убывания их концентрации. Она обусловлена тепловым движением. Движущей силой диффузии является градиент концентрации атомов: чем он больше, тем интенсивнее перемещение атомов.
|
Добротность пленочного конденсатора
|
- свойство конденсатора, обусловленное потерями энергии складывающимися из диэлектрических потерь и потерь в обкладках
|
Ионное легирование
|
- ионная имплантация, применяемая для введения примесей в полупроводник, применяется при изготовлении полупроводниковых приборов с большой площадью; для изготовления резисторов с большими номиналами.
|
Комплементарный транзистор
|
- ИМС, содержащая транзисторы обоих типов проводимости, что позволяет на 2-3 порядка снизить мощность устройств в статическом режиме, очень важно для систем с ограниченным ресурсом питания. Такие структуры называются комплементарными МОП-приборами, или структурами на дополняющих МОП – транзисторах (КМОП – ИМС).
|
Компонент_интегральной_микросхемы
|
– часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, и которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации.
|
Кристалл_интегральной_микросхемы
|
– часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой интегральной микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.
|
Микроэлектронные_интегральные_схемы
|
- конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных между собой ЭРЭ, изготовленных в едином технологическом цикле.
|
Планарно диффузионные структуры
|
- ИМС, изготавливаемые с применением только процессов диффузии
|
Планарно-эпитаксиальные структуры
|
- ИМС, при изготовлении которых сочетаются процессы эпитаксиального наращивания, диффузии и ионного внедрения примесей
|
Плата интегральной микросхемы
|
– часть подложки гибридной интегральной микросхемы, на поверхности которой нанесены пленочные элементы микросхемы, межэлементные и межкомпонентные соединения, а также контактные площадки.
|
Пленочная_интегральная_схема
|
- интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Частными случаями являются тонкопленочные интегральные микросхемы, пассивные электрорадиоэлементы которых изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) пленок и толстопленочные толщиной 10-15 мкм.
|
Пленочные резисторы
|
- представляют собой полоску резистивной пленки, снабженную пленочными контактами, характеризуются такими основными параметрами как номинальное значение сопротивления R0, допуск на сопротивление ±dr, мощность рассеяния P, температурный коэффициент сопротивления ar, коэффициент старения, интервал рабочих температур, надежность и так далее, которые в свою очередь зависят от материала резистивной пленки, способа нанесения пленки на подложку, способа получения необходимой конфигурации и других технологических факторов
|
Пленочный конденсатор
|
- многослойная структура, нанесенная на диэлектрическую подложку в следующей последовательности: проводящий слой, выполняющий роль нижней обкладки; слой диэлектрика и проводящий слой, выполняющий роль верхней обкладки
|
Подложка_интегральной_микросхемы
|
– заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных интегральных микросхем, межэлементных и межкомпонентных соединений, а также контактных площадок
|
Полупроводниковая интегральная микросхема
|
- представляет собой полупроводниковый кристалл прямоугольной или квадратной формы, в объеме и на поверхности которого сосредоточены изолированные друг от друга элементы, соединенные согласно электрической схеме.
|
Полупроводниковая_интегральная_схема
|
- интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
|
Полупроводниковая_пластина
|
– заготовка из полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы.
|
Полупроводниковая структура с диэлектрической изоляцией
|
- структура, каждый элемент которой расположен в своеобразном кармане, а именно в области монокристаллического кремния, ограниченной слоем двуокиси Si (SiO2).
|
Полупроводниковые структуры с комбинированной изоляцией
|
- структуры, в которых элементы ИМС со стороны подложки изолированы обратносмещенным p-n переходом, а между собой – диэлектриком
|
Прецизионные конденсаторы
|
- конденсаторы повышенной точности, превосходящей технологические возможности производства
|
Прецизионные резисторы
|
- резисторы, к точности которых предъявляются повышенные требования, не обеспечиваемые существующим технологическим процессом
|
Симистор
|
- полупроводниковый прибор, состоящий из двух выполненных на одной кремниевой пластинке тиристоров, включенных параллельно, но противоположно. Один из тиристоров пропускает ток в одном полупериоде, а другой – в следующем. Для включения симистора предусматривается управляющий электрод
|
Термическая диффузия примесей
|
- процесс введения в полупроводниковые пластины и в эпитаксиальные слои легирующих примесей для получения p-n переходов
|
Термическое окисление кремния
|
- процесс окисления, предназначенный для создания на поверхности полупроводниковых структур защитных слоев из окислов исходных материалов, интенсифицируется нагревом пластины Si до высокой температуры
|
Тиристор
|
- полупроводниковый прибор, состоящий из двух транзисторов (npn и pnp), расположенных так, что коллектор pnp-части тиристора является базой npn-части, а коллектор npn-части – базой pnp-части; пропускает ток только в одном периоде переменного тока
|
Транзистор
|
- полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не превышают 0,025 мм
|
Транзисторная структура
|
- основа конструкции полупроводниковых ИМС, является базовой для реализации всех входящих в схему активных и пассивных элементов.
|
Униполярные транзисторы
|
- транзисторы с МДП-структурой одного или двух типов электропроводности канала, изготовляемые по планарной технологии.
|
Химическая подгонка резисторов
|
- метод подгонки сопротивления резисторов, основанный на использовании окислительно-восстановительных реакций, протекающих на поверхности и внутри пленок, который увеличивает ее сопротивление и тем самым получают резисторы требуемого номинала. При этом образование в процессе подгонки на поверхности пленки защитного окисного слоя значительно повышает коррозионную стойкость резистивного материала, уменьшая тем самым влияние климатических факторов на временную стабильность.
|
Элемент_интегральной_схемы
|
– часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
|
