- Если зародившийся в твердом теле оже-электрон при движении к поверхности испытает хоть одно неупругое взаимодействие, то он потеряет часть энергии и не будет зарегистрирован в интересующем нас месте энергетического спектра вторичных электронов, который формируется при бомбардировке твердого тела ускоренными электронами
Глубина выхода оже-электронов Реализация метода - ЭОС широко используется для определения элементного состава газов и поверхности твердых тел, для изучения электронного строения и химического состояния атомов в пробе.
- 1. Регистрация оже-электронов
- 2. Получение энергетического спектра
Регистрация оже-электронов - Типичное распределение вторичных электронов по энергии N(E), наблюдаемое при бомбардировке поверхности мишени первичными электронами с энергией Е0, можно условно разбить на три области
Регистрация оже-электронов - Область 1 соответствует истинно-вторичным электронам (~90% от числа всех электронов) и характеризуется наличием большого пика с полушириной около 10эВ.
- Область 2 представляют неупруго-рассеянные первичные электроны, которые потеряли часть своей энергии в процессе многократных соударений и поэтому распределены в довольно широкой энергетической полосе.
- Область 3 содержит пик с энергией, равной Е0. Этот пик соответствует упруго-отраженным от мишени электронам, количество которых невелико (~3% от общего числа вторичных электронов).
Регистрация оже-электронов - Вторичные электроны образуются в процессе электронной бомбардировки из электронных оболочек атомов мишени.
- Оже-электроны на кривой N(E)-f(E) расположены на большом фоне вторичных электронов в виде небольших пиков и при фиксированных значениях энергии
Достарыңызбен бөлісу: |
