Схема включения LM1881
2Предельно допустимые параметры
Если требуются устройства с военной/аэрокосмической приёмкой,
пожалуйста
, обращайтесь в представительство National Semiconductor за информацией о доступности и техническими данными.
Параметр
Значение
Напряжение питания
13.2V
Входное напряжение
3 Vpp (VCC =5V)
6 Vpp (VCC =8V)
Выходной ток
выводы 1, 3, 5: 5 mA
вывод 7: 2 mA
Рассеиваемая мощность (Note 1)
1100 mW
Диапазон рабочих температур
0 C - +70 C
Диапазон температур хранения
-65 C - +150 C
Электростатическая устойчивость
(Note 2)
2 kV
Информация о пайке
Корпус DIP (10 сек.) 260 C
Корпус SOIC: Vapor Phase (60 sec.) 215 C
Infrared (15 sec.) 220 C
См. AN-450 “Surface Mounting Methods and their Effect on
Product Reliability” о других методах пайки SMD устройств
3Электрические характеристики
V
CC
=5V; R
SET
=680 кОм; TA=25 C; ниже приводится остальное
Note 1: For operation in ambient temperatures above 25 C, the device must be derated based on a 150 C maximum junction temperature and a package thermal resistance of 110 C/W, junction to ambient.
Note 2: ESD susceptibility test uses the ``human body model, 100 pF discharged through a 1.5 kOhm resistor''.
Note 3: Typicals are at T J e 25 C and represent the most likely parametric norm.
Note 4: Tested Limits are guaranteed to National's AOQL (Average Outgoing Quality Level).
Note 5: Relative difference between the input clamp voltage and the minimum input voltage which produces a horizontal output pulse.
Note 6: Careful attention should be made to prevent parasitic capacitance coupling from any output pin (Pins 1, 3, 5, and 7) to the R SET pin (Pin 6).
Note 7: Delay time between the start of vertical sync (at input) and the vertical output pulse.
4Типовые характеристики
Достарыңызбен бөлісу: |